CSD75208W1015

現行

-20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、雙共源極 WLP 1 mm x 1.5 mm、108 mOhm、閘極 ESD 防護

產品詳細資料

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 108 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 150 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.23 QGS (typ) (nC) 0.48 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 108 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 150 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.23 QGS (typ) (nC) 0.48 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² (— mm × — mm)
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection –3 kV
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection –3 kV
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

This device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

下載 觀看有字幕稿的影片 影片

技術文件

找不到結果。請清除您的搜尋條件,然後再試一次。
檢視所有 9
重要文件 類型 標題 格式選項 下載最新的英文版本 日期
* 資料表 CSD75208W1015 Dual 20-V Common Source P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2017/5/16
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025/10/31
應用說明 MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025/10/27
應用說明 Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024/3/25
應用說明 Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
應用說明 Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023/12/14
應用說明 Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/3/13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/5/31
應用說明 AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019/6/14

設計與開發

如需其他條款或必要資源,請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

模擬型號

CSD75208W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM131A.ZIP (2 KB) - PSpice 模型
支援產品和硬體
參考設計

TIDA-00488 — 適用於 Sub-1GHz 網路的能源採集環境光和環境感測器節點參考設計

TIDA-00488 展示了一種利用日光能源收集進行無線環境感測的超低功耗、可再生方法,並具有較長的備用電池壽命。此參考設計運用我們的超低功耗採集器電源管理 SimpleLink™ 超低功耗 sub-1 GHz 無線微控制器 (MCU) 平台,以及環境光、濕度和溫度感測技術,可在能量採集電路處於活動狀態時進行持續監測,並在使用備用電池運行時中斷監測。

支援產品和硬體
參考設計

TIDA-00712 — 智慧型手錶電池管理解決方案參考設計

此參考設計適用於智慧型手錶的電池管理解決方案 (BMS)。它適用於智慧型手錶等低功率穿戴式裝置。此設計包括一個超低電流 1 芯鋰離子線性充電器;一個高度集成、Qi 標準相容的無線電源接收器;一個符合成本效益的電壓和電流防護積體電路;一個系統側集成感測電阻器電池電量計和一個輸出高達 28 V 的升壓器,適用於 LCD 顯示裝置。

此設計採用小尺寸 (20mm x 29mm) PCB 實作;其輸入電源可為來自 micro-USB 連接器或符合 Qi 標準的無線電源發射器,並且當偵測到來自 micro-USB 連接器的 5V 電源供應時,無線電源發射器將關閉。

支援產品和硬體
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian

訂購與品質

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供,且不構成 TI 規範。檢視使用條款

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題,請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

影片