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Rating Space Architecture Gate driver Control topology Sensored, Trapezoidal Control interface 1xPWM Vs (min) (V) 10 Vs ABS (max) (V) 20 Features Hardware Management I/F, Tach/FG Feedback Operating temperature range (°C) -55 to 125
Rating Space Architecture Gate driver Control topology Sensored, Trapezoidal Control interface 1xPWM Vs (min) (V) 10 Vs ABS (max) (V) 20 Features Hardware Management I/F, Tach/FG Feedback Operating temperature range (°C) -55 to 125
CDIP_SB (JDJ) 28 266.3444 mm² (— mm × — mm)
  • 经QML-V 标准认证,SMD 5962-91689
  • 耐辐射: 40 kRad (Si) TID辐射容限是基于初始器件鉴定 (放射量率 = 10 mrad/sec) 的典型值。 可提供辐射批量接受测试——详情请与厂家联系。
  • 直接驱动功率场效应管(MOSFET)或者达灵顿功率管(Darlington)
  • 50-V 开路集电极高层驱动器
  • 锁存软启动
  • 装有理想二极管的高速电流感应放大器
  • 逐脉冲和平均电流感应
  • 过压及欠压保护
  • 用于安全方向反转的方向闩
  • 转速计
  • 修整参考源 30 mA
  • 可编程交叉传导保护
  • 两象限和四象限运算

  • 经QML-V 标准认证,SMD 5962-91689
  • 耐辐射: 40 kRad (Si) TID辐射容限是基于初始器件鉴定 (放射量率 = 10 mrad/sec) 的典型值。 可提供辐射批量接受测试——详情请与厂家联系。
  • 直接驱动功率场效应管(MOSFET)或者达灵顿功率管(Darlington)
  • 50-V 开路集电极高层驱动器
  • 锁存软启动
  • 装有理想二极管的高速电流感应放大器
  • 逐脉冲和平均电流感应
  • 过压及欠压保护
  • 用于安全方向反转的方向闩
  • 转速计
  • 修整参考源 30 mA
  • 可编程交叉传导保护
  • 两象限和四象限运算

UC1625 电机控制器在一个封装内集成了高性能无刷dc电机控制所需的大多数功能。 当与外部功率场效应管(MOSFET)或者达灵顿功率管(Darlington)耦合的时候,此器件在电压或者电流模式下件执行固定频率PWM电机控制的同时执行闭环速度控制和具有智能噪音抑制功能的刹车,安全方向反转,和交叉传导保护。

虽然额定工作电压范围是 10 V至 18V,UC1625 可借助于外部电平位移组件来控制具有更高电源电压的器件。 UC1625 含有用于低侧功率器件的快速、高电流推挽驱动器和用于高侧功率器件或者电平位移电路的 50 V开路集电极输出。

UC1625 额定军用工作温度范围是 -55°C 至 125°C。

UC1625 电机控制器在一个封装内集成了高性能无刷dc电机控制所需的大多数功能。 当与外部功率场效应管(MOSFET)或者达灵顿功率管(Darlington)耦合的时候,此器件在电压或者电流模式下件执行固定频率PWM电机控制的同时执行闭环速度控制和具有智能噪音抑制功能的刹车,安全方向反转,和交叉传导保护。

虽然额定工作电压范围是 10 V至 18V,UC1625 可借助于外部电平位移组件来控制具有更高电源电压的器件。 UC1625 含有用于低侧功率器件的快速、高电流推挽驱动器和用于高侧功率器件或者电平位移电路的 50 V开路集电极输出。

UC1625 额定军用工作温度范围是 -55°C 至 125°C。

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* 数据表 V 类无刷直流电机控制器。 数据表 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2011-10-31
* 辐射与可靠性报告 UC1625-SP ELDRS Report 2015-3-31
* SMD UC1625-SP SMD 5962-91689 2016-7-8

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