TXS4558
- 电平转换器
- VCC的电压范围 1.65 V 至 3.3 V
- VBATT的电压范围 2.3 V 至 5.5 V
- 低压降 (LDO) 稳压器
- 50-mA LDO 调节器具有可用的
- 1.8-V 或者 2.95-V 可选输出电压
- 超低压降: 在100 mV (最大值) 电压下 50 mA
- 通过GPIO 接口与基带处理器实现控制和通信
- 用于 SIM1 和 SIM2 卡的分离时钟停止模式
- ESD 保护等级超过 JESD 22 标准的要求
- 2000-V 人体模式 (A114-B)
- 500-V 充电设备模式（C101）
- 8kV HBM 用于 SIM 引脚
- 封装
- 20-引脚 QFN (3 mm x 3 mm)
TXS4558 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连，以存储移动手机应用程序的数据。 这是一款定制器件，用于把单个 SIM/UICC 接口扩展至能够支持两个 SIM/UICC （通用集成芯片卡）。
该器件不但符合 ISO / IEC 智能卡接口要求，而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 Class B (2.95 V) 与 Class C (1.8 V) 接口的高速电平转换器、低压降 (LDO) 稳压器，可在 2.95 V Class B 与 1.8 V Class C 接口之间选择输出电压。 简单GPIO输入用于在两个SIM卡之间进行交换并使其进入不同模式。 电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VCC 负责设定用于基带接口的基准，并可采用 1.65V 至 3.3V 的工作电压。 VSIM1 和 VSIM2 被设置为
1.8V 或 2.95V，各由一个独立的内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压，并向B侧电路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡输出高达 50mA 的电流。
此外，TXS4558 还根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 该器件不但可为 SIM 引脚提供 8 kV HBM 保护，而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | 双 SIM 卡电源，配备电平转换器和专用双路 LDO 数据表 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2011-10-31 | ||
| 应用手册 | 原理图检查清单 - 使用自动双向转换器进行设计的指南 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024-12-3 | |
| 应用手册 | Understanding Transient Drive Strength vs. DC Drive Strength in Level-Shifters (Rev. A) | PDF | HTML | 2024-7-3 | |||
| 选择指南 | Voltage Translation Buying Guide (Rev. A) | 2021-4-15 |
设计与开发
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TXS4558EVM — TXS4558 评估模块
德州仪器 (TI) TXS4558 评估模块 (EVM) 旨在展示 TXS4558。TXS4558 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连，以存储移动手机应用的数据。此器件面向 GPIO 控制和通信，其中 GPIO 信号用于在 SIM 和 SIM 模式之间进行切换，从而允许单个接口支持两个 SIM。
此 EVM 包括两个用于 SIM 卡的插座以及连接所有器件信号的测试点。跳线、连接器和测试点均标有器件信号名称。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WQFN (RUK) | 20 | Ultra Librarian |