产品详情

Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 10 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.7 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.36 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Dual LDO, Edge rate accelerator Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 6 Data rate (max) (Mbps) 10 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.7 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.36 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Dual LDO, Edge rate accelerator Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
WQFN (RUK) 20 9 mm² (3 mm × 3 mm)
  • 平转换器
    • VDDIO 范围: 1.7V 至 3.3V
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 带启用功能的 50mA LDO 稳压器
    • 1.8V 或 2.95V 可选输出电压
    • 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
    • 超低压降: 在 50mA 电流条件下为 100mV (最大值)
  • 通过 I2C 接口和基带处理器实现控制和通信
  • ESD 保护等级超过了 JESD 22 规格的要求
    • 2000V 人体模型 (A114-B)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 封装
    • 20 引脚 QFN (3mm x 3mm)

  • 平转换器
    • VDDIO 范围: 1.7V 至 3.3V
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 带启用功能的 50mA LDO 稳压器
    • 1.8V 或 2.95V 可选输出电压
    • 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
    • 超低压降: 在 50mA 电流条件下为 100mV (最大值)
  • 通过 I2C 接口和基带处理器实现控制和通信
  • ESD 保护等级超过了 JESD 22 规格的要求
    • 2000V 人体模型 (A114-B)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 封装
    • 20 引脚 QFN (3mm x 3mm)

TXS02324 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案,用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连,以存储移动手机应用程序的数据。 这是一款定制器件,用于把单个 SIM/UICC 接口扩展至能够支持两个 SIM/UICC (通用集成芯片卡)。

该器件遵循 ISO / IEC 智能卡接口要求以及 GSM 和 3G 移动标准。 它包括一个能够支持 Class B (2.95V) 和 Class C (1.8V) 接口的高速电平转换器、两个具有可在 2.95V Class B 和 1.8V Class C 接口之间选择的输出电压的低压降 (LDO) 稳压器、一个用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “从” I2C 控制寄存器接口、一个用于内部定时发生的 32kHz 时钟输入。

电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VDDIO 引脚负责设定用于基带接口的基准,并可采用 1.7V 至 3.3V 的工作电压。 VSIM1 和 VSIM2 被设置为 1.8V 或 2.95V,各由一个独立的内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压,并向B侧电路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡输出高达 50mA 的电流。

TXS02324 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案,用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连,以存储移动手机应用程序的数据。 这是一款定制器件,用于把单个 SIM/UICC 接口扩展至能够支持两个 SIM/UICC (通用集成芯片卡)。

该器件遵循 ISO / IEC 智能卡接口要求以及 GSM 和 3G 移动标准。 它包括一个能够支持 Class B (2.95V) 和 Class C (1.8V) 接口的高速电平转换器、两个具有可在 2.95V Class B 和 1.8V Class C 接口之间选择的输出电压的低压降 (LDO) 稳压器、一个用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “从” I2C 控制寄存器接口、一个用于内部定时发生的 32kHz 时钟输入。

电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VDDIO 引脚负责设定用于基带接口的基准,并可采用 1.7V 至 3.3V 的工作电压。 VSIM1 和 VSIM2 被设置为 1.8V 或 2.95V,各由一个独立的内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压,并向B侧电路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡输出高达 50mA 的电流。

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* 数据表 具有插槽专用双通道  LDO 的双电源 2:1 SIM 卡多路复用器/转换器 数据表 英语版 2011-3-15
应用手册 原理图检查清单 - 使用自动双向转换器进行设计的指南 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024-12-3
应用手册 Understanding Transient Drive Strength vs. DC Drive Strength in Level-Shifters (Rev. A) PDF | HTML 2024-7-3
选择指南 Voltage Translation Buying Guide (Rev. A) 2021-4-15

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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian

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