TMCS2100-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 温度等级 0：-40°C 至 150°C
- 提供功能安全
- 可帮助进行功能安全系统设计的文档
- 可编程增益
- 全差动输出
- 快速响应
- 信号带宽：250kHz
- 响应时间：2.6µs
- 传播延迟：0.7µs
- 过流检测响应：500ns
- 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
TMCS2100-Q1 是一款精密多传感器无芯电流检测器件，专为满足高电压、高电流多相系统的苛刻需求而设计。该测量设计可达到明显更大、更重且成本更高的磁芯产品的性能要求，同时可节省占用空间，并且无需对高载流母线进行修改或陷波。
交流或直流电流流经母线，从而产生磁场。集成式片上霍尔效应传感器可测量磁场。通常，由于系统制造公差、位移和振动，差动无芯电流检测器件非常容易受到磁场强度变化的影响。TMCS2100-Q1 利用 TI 专有算法来显著降低位移的影响。此外，还可对涡流引起的振幅误差进行主动频率补偿。
TMCS2100-Q1 表征过程可更大限度地减少相间磁串扰误差，并可在超过 1000A 的满标度电流电平下实现低于 0.5% 的测量误差。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TMCS2100-Q1 无芯多传感器霍尔效应电流传感器 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2025-9-29 |
| 产品概述 | TI Coreless Hall Sensors Redefine Current Sensing | PDF | HTML | 2026-7-24 | |||
| 证书 | TMCS2100EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025-7-18 |
设计与开发
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评估板
TMCS2100CHAREVM — TMCS2100 特性评估模块
TMCS2100 表征 EVM (CHAREVM) 是一款用来促进系统中 TMCS2100 器件表征过程的电路板。本用户指南介绍了如何设置 TMCS2100CHAREVM 来与 TMCS2100EVM 搭配使用。CHAREVM 并非设计为独立模块，仅支持搭配 TMCS2100EVM 或带有 TMCS2100 器件的其他电路板一起使用。本文档包括原理图、参考印刷电路板 (PCB) 布局和完整的物料清单 (BOM)。
评估板
TMCS2100EVM — TMCS2100 评估模块
TMCS2100 评估模块 (EVM) 是用于评估 TMCS2100 主要特性和性能的平台。TMCS2100EVM 附带一个 3D 打印夹和一个镀镍汇流条。借助外部接头，可以轻松访问器件的所有引脚。TMCS2100EVM 与 TMCS2100CHAREVM 结合使用，该器件可执行必要的表征编程。
模拟工具
TMCS2100-DC-SIM-TOOL — Simulate the TMCS2100 using DC fields
Simulate the TMCS2100 using DC fields
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| TSSOP (PW) | 14 | Ultra Librarian |