TMCS1143

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具有 AFR、基准、OCP 和警报功能的 125ARMS 250kHz 霍尔效应电流传感器

产品详情

Continuous current (max) (A) 110 Rating Catalog Sensitivity (typ) (mV/mT) 12, 15, 25, 40, 60, 100 Input offset current (±) (max) (mA) 45, 50, 52.5, 60, 80 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 200, 250, 266.7, 333.3 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 250 Sensitivity error (%) 0.2 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 100 Propagation delay time (typ) (ns) 110 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.8 Clearance (min) (mm) 8.8 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 17000
Continuous current (max) (A) 110 Rating Catalog Sensitivity (typ) (mV/mT) 12, 15, 25, 40, 60, 100 Input offset current (±) (max) (mA) 45, 50, 52.5, 60, 80 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 200, 250, 266.7, 333.3 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Iq (max) (mA) 14 Small-signal bandwidth (kHz) 250 Sensitivity error (%) 0.2 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 100 Propagation delay time (typ) (ns) 110 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.8 Clearance (min) (mm) 8.8 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 17000
SOIC (DVF) 10 138.43 mm² (10.9 mm × 12.7 mm)
  • 高持续电流能力:125ARMS
  • 可靠的增强型隔离
  • 高精度
    • 灵敏度误差:±0.2%
    • 灵敏度热漂移:±20ppm/°C
    • 灵敏度寿命漂移:±0.2%
    • 失调电压误差:±0.2mV
    • 偏移热漂移:±4µV/°C
    • 偏移寿命漂移:±0.2mV
    • 非线性:±0.1%
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 精密零电流基准输出
  • 快速响应
    • 信号带宽:275kHz
    • 响应时间:1µs
    • 传播延迟:110ns
    • 过流检测响应:100ns
  • 工作电源电压范围:3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项:
    • 范围为 12mV/A 至 100mV/A
  • 安全相关认证(计划)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1
  • 高持续电流能力:125ARMS
  • 可靠的增强型隔离
  • 高精度
    • 灵敏度误差:±0.2%
    • 灵敏度热漂移:±20ppm/°C
    • 灵敏度寿命漂移:±0.2%
    • 失调电压误差:±0.2mV
    • 偏移热漂移:±4µV/°C
    • 偏移寿命漂移:±0.2mV
    • 非线性:±0.1%
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 精密零电流基准输出
  • 快速响应
    • 信号带宽:275kHz
    • 响应时间:1µs
    • 传播延迟:110ns
    • 过流检测响应:100ns
  • 工作电源电压范围:3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项:
    • 范围为 12mV/A 至 100mV/A
  • 安全相关认证(计划)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC/CB 62368-1

TMCS1143 是一款电隔离霍尔效应电流传感器,具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压,且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下,在温度和寿命范围内实现小于 1.5% 的最大灵敏度误差,或在一次性室温校准的情况下,实现小于 1% 的最大灵敏度误差(包括寿命和温度漂移)。

交流或直流输入电流流经内部导体,所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±160A,同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS,加上最小 8.8mm 的爬电距离和间隙,可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行,因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

TMCS1143 是一款电隔离霍尔效应电流传感器,具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压,且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下,在温度和寿命范围内实现小于 1.5% 的最大灵敏度误差,或在一次性室温校准的情况下,实现小于 1% 的最大灵敏度误差(包括寿命和温度漂移)。

交流或直流输入电流流经内部导体,所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±160A,同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS,加上最小 8.8mm 的爬电距离和间隙,可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行,因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

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技术文档

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TMCS-A-ADAPTER-EVM — 适用于 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应电流传感器适配器卡(不包括 IC)

TMCS-A-ADAPTER-EVM 评估模块 (EVM) 旨在促进快速、方便地使用具有 DVG、DVF 或 DZP 封装的 TMCS 隔离式霍尔效应精密电流检测监控器。此 EVM 支持用户通过霍尔输入侧推送高达 90A 的电流,同时通过隔离栅测量隔离式输出。TMCS-A-ADAPTER-EVM 只有一个未组装的 PCB,预留了用于组装测试点的位置和用于器件评估的分线接头引脚。PCB 焊盘采用重叠结构,因此任何 DVG、DVF 或 DZP TMCS 器件都能与 TMCS-A-ADAPTER-EVM 配合使用。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
计算工具

CS-MAGNETIC-ERROR-TOOL-CALC — Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool

Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DVF) 10 Ultra Librarian

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