产品详情

Number of channels 1 Output type Push-Pull Propagation delay time (µs) 0.36 Vs (max) (V) 5.5 Vs (min) (V) 1.6 Rating Catalog Features Fail-safe, Hysteresis, Internal Reference, POR Iq per channel (typ) (mA) 0.002 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Rail-to-rail In Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 5 VICR (max) (V) 5.5 VICR (min) (V) 1.6
Number of channels 1 Output type Push-Pull Propagation delay time (µs) 0.36 Vs (max) (V) 5.5 Vs (min) (V) 1.6 Rating Catalog Features Fail-safe, Hysteresis, Internal Reference, POR Iq per channel (typ) (mA) 0.002 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Rail-to-rail In Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 5 VICR (max) (V) 5.5 VICR (min) (V) 1.6
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² (2.9 mm × 2.8 mm) DSBGA (YKA) 4 0.788544 mm² (0 mm × 0 mm)
  • 宽电源电压范围:1.6V 至 5.5V
  • 精密基准:0.2V、0.5V 和 1.2V
  • 3.2V 的固定阈值
  • 基准精度
    • 25°C 时为 0.5%
    • 工作温度范围内精度为 1%
  • 低静态电流:2µA
  • 传播延迟:360ns
  • 推挽和开漏输出选项
  • 已知启动条件
  • 同相和反相输入选项
  • 精密迟滞
  • 温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 封装:
    • 0.73mm × 0.73mm DSBGA(4 凸点)
    • SOT-23(5 引脚)  
  • 宽电源电压范围:1.6V 至 5.5V
  • 精密基准:0.2V、0.5V 和 1.2V
  • 3.2V 的固定阈值
  • 基准精度
    • 25°C 时为 0.5%
    • 工作温度范围内精度为 1%
  • 低静态电流:2µA
  • 传播延迟:360ns
  • 推挽和开漏输出选项
  • 已知启动条件
  • 同相和反相输入选项
  • 精密迟滞
  • 温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 封装:
    • 0.73mm × 0.73mm DSBGA(4 凸点)
    • SOT-23(5 引脚)  

TLV40x1 器件是具有精密基准和快速响应功能的低功耗、高精度比较器。这些比较器采用 0.73mm × 0.73mm 超小型 DSBGA 封装,使得 TLV40x1 适用于空间关键型设计,例如要求低功耗和对工作条件变化作出快速响应的便携式或电池供电设计。

经过出厂校准的基准和精密迟滞相结合,使得 TLV40x1 非常适合在必须将慢速输入信号转换为纯净数字输出的严苛、嘈杂环境中进行电压和电流监测。同样地,输入端的短时毛刺脉冲也得以抑制,可确保稳定的输出运行,不会引起误触发。

TLV40x1 提供多种配置,从而使系统设计人员可实现他们所需的输出响应。例如,TLV4021 和 TLV4041 具有同相输入,而 TLV4031 和 TLV4051 具有反相输入。此外,TLV4021 和 TLV4031 具有开漏输出级,而 TLV4041 和 TLV4051 具有推挽式输出级。最后,TLV40x1 系列中的每款比较器都提供 0.2V、0.5V 或1.2V 精密基准。

TLV40x1 器件是具有精密基准和快速响应功能的低功耗、高精度比较器。这些比较器采用 0.73mm × 0.73mm 超小型 DSBGA 封装,使得 TLV40x1 适用于空间关键型设计,例如要求低功耗和对工作条件变化作出快速响应的便携式或电池供电设计。

经过出厂校准的基准和精密迟滞相结合,使得 TLV40x1 非常适合在必须将慢速输入信号转换为纯净数字输出的严苛、嘈杂环境中进行电压和电流监测。同样地,输入端的短时毛刺脉冲也得以抑制,可确保稳定的输出运行,不会引起误触发。

TLV40x1 提供多种配置,从而使系统设计人员可实现他们所需的输出响应。例如,TLV4021 和 TLV4041 具有同相输入,而 TLV4031 和 TLV4051 具有反相输入。此外,TLV4021 和 TLV4031 具有开漏输出级,而 TLV4041 和 TLV4051 具有推挽式输出级。最后,TLV40x1 系列中的每款比较器都提供 0.2V、0.5V 或1.2V 精密基准。

下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 7
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 具有精密基准电压的 TLV40x1 小尺寸、低功耗比较器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2023-2-24
电路设计 比较器电路限流 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024-10-21
电路设计 采用比较器的高侧电流检测电路. (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024-10-3
应用简报 使用比较器进行电压监控 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-10-12
应用简报 在数字输出模块中实现测试脉冲 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-2-24
应用简报 High-Side Switch Open-Load Detection in ON-State PDF | HTML 2022-7-5
技术文章 Minimizing input power protection for smart speakers and smart displays PDF | HTML 2019-6-24

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

AMP-PDK-EVM — 放大器高性能开发套件评估模块

放大器高性能开发套件 (PDK) 是一款用于测试常见运算放大器参数的评估模块 (EVM) 套件,与大多数运算放大器和比较器均兼容。该 EVM 套件提供了一个主板,主板上具有多个插槽式子卡选项以满足封装需求,使工程师能够快速评估和验证器件性能。

AMP-PDK-EVM 套件支持五种常用的业界通用封装,包括:

  • D(SOIC-8 和 SOIC-14)
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-5 和 SOT23-6)
  • DCK(SC70-5 和 SC70-6)
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
评估板

TLV4021-41EVM — 适用于 TLV40x1 集成式基准比较器的评估模块

TLV40x1EVM 评估模块 (EVM) 可展示具有集成基准的 TLV40x1 比较器系列的性能。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

Precision Over-Current Latch Circuit

SBVM944.ZIP (12 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV4041R1 PSpice Model

SNVMC86.ZIP (132 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV4041R1 TINA TI MACRO and Reference Design

SNVMC85.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV4041R2 PSpice Model (Rev. A)

SNVMC32A.ZIP (21 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV4041R2 TINA-TI MACRO and Reference Design

SNVMC84.ZIP (8 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV4041R5 PSpice Model

SNVMC83.ZIP (132 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV4041R5 TINA-TI MACRO and Reference Design

SNVMC82.ZIP (8 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
设计工具

CIRCUIT060037 — 精密过流锁存电路

该高侧电流检测解决方案使用一个电流检测放大器、一个带有集成基准的比较器和一个 P 沟道 MOSFET 来创建一个过流锁存电路。当检测到大于 200mA 的负载电流时,电路将断开系统与其电源的连接。比较器输出将进行锁存(将 P 沟道 MOSFET 的栅源电压保持在 0V),直到电路循环供电,原因在于比较器驱动 P 沟道 MOSFET 的栅极并将信号反馈回电流检测放大器的基准引脚。
支持的产品和硬件
设计工具

CIRCUIT060083 — 采用比较器的欠压保护电路

该欠压保护电路使用一个带有精度集成基准的比较器,以在电池电压降至低于 2.0V 时在比较器输出端 (OUT) 生成警报信号。该方式中的欠压警报为低电平有效。因此,当电池电压降至 2.0V 以下时,比较器输出变为低电平,向监控输出的任何器件提供警报信号。磁滞集成在比较器中,当电池电压升至 2.034V 以上时,比较器输出将返回至逻辑高电平状态。该电路采用漏极开路输出比较器,以便对输出高逻辑电平进行电平位移,从而控制数字逻辑输入引脚。对于需要驱动 MOSFET 开关栅极的应用,最好使用具有推挽输出的比较器。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian
DSBGA (YKA) 4 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供,并不构成 TI 规范。请参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频