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TLV2352

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双路低电压 LinCMOS™ 差分比较器

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产品详情

Number of channels 2 Output type Open-collector, Open-drain Propagation delay time (µs) 0.65 Vs (max) (V) 8 Vs (min) (V) 2 Rating Catalog Iq per channel (typ) (mA) 0.07 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Rail-to-rail In to V- Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input bias current (±) (max) (nA) 2 VICR (max) (V) 7 VICR (min) (V) 0
Number of channels 2 Output type Open-collector, Open-drain Propagation delay time (µs) 0.65 Vs (max) (V) 8 Vs (min) (V) 2 Rating Catalog Iq per channel (typ) (mA) 0.07 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Rail-to-rail In to V- Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input bias current (±) (max) (nA) 2 VICR (max) (V) 7 VICR (min) (V) 0
TSSOP (PW) 8 19.2 mm² (3 mm × 6.4 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) PDIP (P) 8 92.5083 mm² (9.81 mm × 9.43 mm)
  • 宽电源电压范围：2V 至 8V
  • 宽电源电压范围：2.7V 至 8V（仅限 TLV2352IDR 和 TLV2352IPWR）
  • 已在 3V 和 5V 电压下完成全面特性测试
  • 超低电流损耗：3V 时典型值为 120µA
  • 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容
  • 快速响应时间：TTL 电平输入阶跃的典型值为 200ns
  • 高输入阻抗：典型值为 1012Ω
  • 极低输入偏置电流：5pA（典型值）
  • 共模输入电压范围包括接地
  • 内置 ESD 保护
  • 宽电源电压范围：2V 至 8V
  • 宽电源电压范围：2.7V 至 8V（仅限 TLV2352IDR 和 TLV2352IPWR）
  • 已在 3V 和 5V 电压下完成全面特性测试
  • 超低电流损耗：3V 时典型值为 120µA
  • 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容
  • 快速响应时间：TTL 电平输入阶跃的典型值为 200ns
  • 高输入阻抗：典型值为 1012Ω
  • 极低输入偏置电流：5pA（典型值）
  • 共模输入电压范围包括接地
  • 内置 ESD 保护

TLV2352 包含两个独立的低功耗比较器，专为单电源 应用而设计，可在低至 2V 的电源轨下运行（仅限 2.7V TLV2352IDR 和 TLV2352IPWR）。由 3V 电源供 电时，典型的电源电流仅为 120µA。

TLV2352 采用德州仪器 (TI) CMOS 技术设计，因此具 有超高的输入阻抗（通常大于 1012Ω），可直接连接 高阻抗源。输出采用 N 沟道开漏配置，需要外接上拉 电阻器以提供正向输出电压摆幅，并且可以进行连接以 实现正逻辑线 AND 关系。TLV2352I 在 3V 和 5V 电压 下完成全面特性测试，工作温度范围为 -40°C 至 85°C。TLV2352M 在 3V 和 5V 电压下完成全面特性测 试，工作温度范围为 -55°C 至 125°C。

TLV2352 具有内部静电放电 (ESD) 保护电路，并根据 人体放电模型测试获评 1000V ESD 等级。不过，在处 理该器件时必须小心，因为接触 ESD 会导致器件参数 性能下降。

TLV2352 包含两个独立的低功耗比较器，专为单电源 应用而设计，可在低至 2V 的电源轨下运行（仅限 2.7V TLV2352IDR 和 TLV2352IPWR）。由 3V 电源供 电时，典型的电源电流仅为 120µA。

TLV2352 采用德州仪器 (TI) CMOS 技术设计，因此具 有超高的输入阻抗（通常大于 1012Ω），可直接连接 高阻抗源。输出采用 N 沟道开漏配置，需要外接上拉 电阻器以提供正向输出电压摆幅，并且可以进行连接以 实现正逻辑线 AND 关系。TLV2352I 在 3V 和 5V 电压 下完成全面特性测试，工作温度范围为 -40°C 至 85°C。TLV2352M 在 3V 和 5V 电压下完成全面特性测 试，工作温度范围为 -55°C 至 125°C。

TLV2352 具有内部静电放电 (ESD) 保护电路，并根据 人体放电模型测试获评 1000V ESD 等级。不过，在处 理该器件时必须小心，因为接触 ESD 会导致器件参数 性能下降。
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* 数据表 TLV2352 双通道低电压差分比较器 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2025-7-22
电子书 The Signal e-book: 有关运算放大器设计主题的博客文章汇编 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2018-1-31

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

AMP-PDK-EVM — 放大器高性能开发套件评估模块

放大器高性能开发套件 (PDK) 是一款用于测试常见运算放大器参数的评估模块 (EVM) 套件，与大多数运算放大器和比较器均兼容。该 EVM 套件提供了一个主板，主板上具有多个插槽式子卡选项以满足封装需求，使工程师能够快速评估和验证器件性能。

AMP-PDK-EVM 套件支持五种常用的业界通用封装，包括：

  • D（SOIC-8 和 SOIC-14）
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • DBV（SOT23-5 和 SOT23-6）
  • DCK（SC70-5 和 SC70-6）
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV2352 PSpice Model

SLCJ030.ZIP (1 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
TSSOP (PW) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
PDIP (P) 8 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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