可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同但引脚有所不同。
TLV1811-Q1 正在供货 具有推挽输出的汽车类单通道、微功耗高压比较器 Wider supply voltage, lower offset voltage, and lower Iq

产品详情

Number of channels 1 Output type Push-Pull Propagation delay time (µs) 0.25 Vs (max) (V) 40 Vs (min) (V) 3.3 Rating Automotive Features Hysteresis, POR, Shutdown Iq per channel (typ) (mA) 0.15 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4.5 Rail-to-rail In Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 0.5 VICR (max) (V) 0 VICR (min) (V) 0
Number of channels 1 Output type Push-Pull Propagation delay time (µs) 0.25 Vs (max) (V) 40 Vs (min) (V) 3.3 Rating Automotive Features Hysteresis, POR, Shutdown Iq per channel (typ) (mA) 0.15 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4.5 Rail-to-rail In Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 0.5 VICR (max) (V) 0 VICR (min) (V) 0
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² (2.9 mm × 2.8 mm)
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 的环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 电源电压范围:3.3V 至 40V
  • 低静态电流:135µA
  • 高峰值电流推挽输出
  • 具有相位反转保护功能的轨至轨输入
  • 内置迟滞:14mV
  • 250ns 传播延迟
  • 低输入失调电压:500µV
  • 关断后具有高阻态输出
  • 上电复位 (POR)
  • SOT-23-6 封装
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 的环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 电源电压范围:3.3V 至 40V
  • 低静态电流:135µA
  • 高峰值电流推挽输出
  • 具有相位反转保护功能的轨至轨输入
  • 内置迟滞:14mV
  • 250ns 传播延迟
  • 低输入失调电压:500µV
  • 关断后具有高阻态输出
  • 上电复位 (POR)
  • SOT-23-6 封装

TLV1805-Q1 高电压比较器集独特的宽电源范围、推挽输出、轨至轨输入、低静态电流、关断功能和快速输出响应组合特性于一体。所有这些 特性 使该比较器非常适合 需要 在正电压轨或负电压轨上进行检测的应用,例如智能二极管控制器的反向电流保护、过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动 P 沟道或 N 沟道 MOSFET 开关的栅极。

高峰值电流推挽输出级是高电压比较器的一个特色,它具有允许输出以较快的边沿速率主动将负载驱动至任一电源轨的优势。对于需要快速 将 MOSFET 栅极 驱动至高电平或低电平以将主机连接至电压高于预期的电源或与其断开的应用而言,这特别有用。其他 特性 (如低输入失调电压、低输入偏置电流和高阻态关断)使 TLV1805-Q1 能够灵活地处理各种 应用的要求。上电复位可防止加电时产生错误输出。

TLV1805-Q1 采用 6 引脚 SOT-23 封装并符合 AEC-Q100 标准,具有 –40°C 至 +125°C 的汽车 1 级温度范围。

TLV1805-Q1 高电压比较器集独特的宽电源范围、推挽输出、轨至轨输入、低静态电流、关断功能和快速输出响应组合特性于一体。所有这些 特性 使该比较器非常适合 需要 在正电压轨或负电压轨上进行检测的应用,例如智能二极管控制器的反向电流保护、过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动 P 沟道或 N 沟道 MOSFET 开关的栅极。

高峰值电流推挽输出级是高电压比较器的一个特色,它具有允许输出以较快的边沿速率主动将负载驱动至任一电源轨的优势。对于需要快速 将 MOSFET 栅极 驱动至高电平或低电平以将主机连接至电压高于预期的电源或与其断开的应用而言,这特别有用。其他 特性 (如低输入失调电压、低输入偏置电流和高阻态关断)使 TLV1805-Q1 能够灵活地处理各种 应用的要求。上电复位可防止加电时产生错误输出。

TLV1805-Q1 采用 6 引脚 SOT-23 封装并符合 AEC-Q100 标准,具有 –40°C 至 +125°C 的汽车 1 级温度范围。

下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

AMP-PDK-EVM — 放大器高性能开发套件评估模块

放大器高性能开发套件 (PDK) 是一款用于测试常见运算放大器参数的评估模块 (EVM) 套件,与大多数运算放大器和比较器均兼容。该 EVM 套件提供了一个主板,主板上具有多个插槽式子卡选项以满足封装需求,使工程师能够快速评估和验证器件性能。

AMP-PDK-EVM 套件支持五种常用的业界通用封装,包括:

  • D(SOIC-8 和 SOIC-14)
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-5 和 SOT23-6)
  • DCK(SC70-5 和 SC70-6)
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
评估板

TLV1805EVMQ1 — TLV1805-Q1 反向电流保护评估模块

TLV1805QEVM 采用基于离散比较器的解决方案,为 P 和 N 通道 MOSFET 拓扑提供反向电流和反向电池保护。
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

Over-Current Protection with Latched Output

SNOM675.ZIP (8 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV1805 PSpice Model

SNOM764.ZIP (51 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV1805Q1 TINA-TI Reference Design (Rev. A)

SNOM662A.TSC (42 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV1805Q1 TINA-TI Spice Model (Rev. A)

SNOM663A.ZIP (11 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP21953 — 基于 40V 隔离比较器的电源参考设计

该参考设计展示了一种具有低成本、低电流能力的隔离电源解决方案。该设计包含三种设计,它们采用三种不同的拓扑。所有这三种设计选项均基于高压比较器 TLV1805-Q1,该比较器用作自由运行的振荡器和驱动器。这三种设计都未采用稳压,输出电压直接取决于输入电压。

支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-020023 — 具有高精度电流传感器的汽车级成比例螺线管驱动器参考设计

此参考设计对使用简单推挽式输出比较器和高精度集成电流并联监控器的比例电磁阀驱动器进行了说明。为实现更平稳的驾驶性能,特别需要在车辆自动变速器上对比例电磁阀进行精确控制。该设计解决了影响螺线管精确位置的两个主要因素:温度范围内的驱动精度和电流感应精度。
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-050008 — 具有更强电压监控功能的 ADAS 电源参考设计

本汽车电源参考设计支持额外的高精度电压监控功能和窗口看门狗,可用于高级驾驶辅助系统 (ADAS) 中的安全 MCU。这些 ADAS 系统可以控制驾驶功能,例如自动紧急刹车、车道保持辅助和自适应巡航控制。高精度电压探测器会同时监控每条电压轨,监控能力更强,可以帮助客户实现功能性安全目标。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23 (DBV) 6 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供,并不构成 TI 规范。请参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频