产品详情

Protocols Analog Configuration 1:1 SPST Number of channels 8 Bandwidth (MHz) 100 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 5 CON (typ) (pF) 5 OFF-state leakage current (max) (µA) 10 Ron (max) (mΩ) 8500 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog Configuration 1:1 SPST Number of channels 8 Bandwidth (MHz) 100 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 5 CON (typ) (pF) 5 OFF-state leakage current (max) (µA) 10 Ron (max) (mΩ) 8500 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
SOIC (DW) 20 131.84 mm² (12.8 mm × 10.3 mm) TSSOP (PW) 20 41.6 mm² (6.5 mm × 6.4 mm) SSOP (DBQ) 20 51.9 mm² (8.65 mm × 6 mm) VSSOP (DGS) 20 24.99 mm² (5.1 mm × 4.9 mm) TVSOP (DGV) 20 32 mm² (5 mm × 6.4 mm)
  • 标准 ’245 型引脚排列
  • 输出电压转换跟踪 VCC
  • 所有数据 I/O 端口上均支持以混合模式信号运行
    • 5V 输入降至 3.3V 输出的电平位移,VCC 为 3.3V
    • 5V/3.3V 输入降至 2.5V 输出的电平位移,VCC 为 2.5V
  • 可耐受 5V 电压并支持器件加电或断电的 I/O
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通状态电阻 (ron) 特性(ron 典型值 = 5Ω)
  • 低输入、输出电容可更大程度减小负载(Cio(OFF) 典型值 = 5pF)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC 最大值 = 40µA)
  • VCC 工作范围为 2.3V 至 3.6V
  • 数据 I/O 支持 0 至 5V 信号电平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 250mA,符合 JESD 17 规范
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体放电模型(A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 专为低功耗便携式设备设计
  • 标准 ’245 型引脚排列
  • 输出电压转换跟踪 VCC
  • 所有数据 I/O 端口上均支持以混合模式信号运行
    • 5V 输入降至 3.3V 输出的电平位移,VCC 为 3.3V
    • 5V/3.3V 输入降至 2.5V 输出的电平位移,VCC 为 2.5V
  • 可耐受 5V 电压并支持器件加电或断电的 I/O
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通状态电阻 (ron) 特性(ron 典型值 = 5Ω)
  • 低输入、输出电容可更大程度减小负载(Cio(OFF) 典型值 = 5pF)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC 最大值 = 40µA)
  • VCC 工作范围为 2.3V 至 3.6V
  • 数据 I/O 支持 0 至 5V 信号电平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 250mA,符合 JESD 17 规范
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体放电模型(A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 专为低功耗便携式设备设计

SN74CB3T3245 是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 8 位 FET 总线开关,可实现超短传播延迟。该器件通过提供可跟踪 VCC 的电压转换,完全支持在所有数据 I/O 端口上以混合模式信号运行。

SN74CB3T3245 是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 8 位 FET 总线开关,可实现超短传播延迟。该器件通过提供可跟踪 VCC 的电压转换,完全支持在所有数据 I/O 端口上以混合模式信号运行。

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* 数据表 SN74CB3T3245 8 位 FET 总线开关 2.5V 和 3.3V 低压且可耐受 5V 电压的电平移 位器 PDF | HTML PDF | HTML 2026-5-8
应用手册 选择正确的德州仪器 (TI) 信号开关 (Rev. E) PDF | HTML 英语版 (Rev.E) PDF | HTML 2022-8-5
应用手册 多路复用器和信号开关词汇表 (Rev. B) 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022-3-11
应用简报 利用关断保护信号开关消除电源时序 (Rev. C) 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2021-10-21

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 表面贴装转 DIP 接头适配器,用于快速测试 TI 的 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装。

EVM-LEADED1 电路板可用于对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。  该电路板具有足够的空间,可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

HSPICE Model for SN74CB3T3245

SCDJ028.ZIP (99 KB) - HSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

SN74CB3T3245 IBIS Model

SCDM055.ZIP (26 KB) - IBIS 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 20 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 20 Ultra Librarian
SSOP (DBQ) 20 Ultra Librarian
VSSOP (DGS) 20 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 20 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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