产品详情

Protocols Analog Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 100 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 4.5 CON (typ) (pF) 4 OFF-state leakage current (max) (µA) 10 Ron (max) (mΩ) 8000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 100 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 4.5 CON (typ) (pF) 4 OFF-state leakage current (max) (µA) 10 Ron (max) (mΩ) 8000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
VQFN (RGY) 14 12.25 mm² (3.5 mm × 3.5 mm) TSSOP (PW) 14 32 mm² (5 mm × 6.4 mm) TVSOP (DGV) 14 23.04 mm² (3.6 mm × 6.4 mm)
  • 输出电压转换跟踪 VCC
  • 所有数据 I/O 端口均支持混合模式信号运行
    • 5V 输入降至 3.3V 输出电平位移,VCC 为 3.3V
    • 5V/3.3V 输入降至 2.5V 输出电平位移,VCC 为 2.5V
  • 支持器件加电与断电的 5V 耐压 I/O
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通状态电阻 (ron) 特性
    (ron = 5Ω 典型)
  • 低输入/输出电容可减小负载
    (Cio(OFF) = 4.5pF 典型)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC = 20µA 最大值)
  • 2.3V 至 3.6V 的 VCC 工作电压范围
  • 数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 250mA,符合 JESD 17 规范
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD 22 规范
    • 2000V 人体放电模式
      (A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 输出电压转换跟踪 VCC
  • 所有数据 I/O 端口均支持混合模式信号运行
    • 5V 输入降至 3.3V 输出电平位移,VCC 为 3.3V
    • 5V/3.3V 输入降至 2.5V 输出电平位移,VCC 为 2.5V
  • 支持器件加电与断电的 5V 耐压 I/O
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通状态电阻 (ron) 特性
    (ron = 5Ω 典型)
  • 低输入/输出电容可减小负载
    (Cio(OFF) = 4.5pF 典型)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC = 20µA 最大值)
  • 2.3V 至 3.6V 的 VCC 工作电压范围
  • 数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 250mA,符合 JESD 17 规范
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD 22 规范
    • 2000V 人体放电模式
      (A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)

SN74CB3T3125 是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 总线开关,可实现最短传播延迟。该器件提供可跟踪 VCC 的电压转换,能够在所有数据 I/O 端口上全面支持混合模式信号运行。SN74CB3T3125 支持使用 5V TTL,3.3V LVTTL,2.5V CMOS 转换标准以及用户定义转换水平的系统(参阅典型直流电压转换特性)。

SN74CB3T3125 被划分为四个 1 位总线开关,各自具备输出使能(1OE、2OE、3OE、4OE)输入。可以作为四个 1 位总线开关或者一个 4 位总线开关。OE 为低时,相关 1 位总线开关打开,A 端口连接至 B 端口,可在两个端口之间实现双向数据流。OE 为高时,相关 1 位总线开关关闭,A、B 端口存在高阻抗状态。

该器件完全 适用于 使用 Ioff 的局部断电应用。Ioff 特性确保在关断时防止损坏电流通过器件回流。该器件可在关断时提供隔离。

为了确保加电或断电期间的高阻抗状态,OE 应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC;该电阻器的最小值由驱动器的电流吸入能力来决定。

SN74CB3T3125 是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 总线开关,可实现最短传播延迟。该器件提供可跟踪 VCC 的电压转换,能够在所有数据 I/O 端口上全面支持混合模式信号运行。SN74CB3T3125 支持使用 5V TTL,3.3V LVTTL,2.5V CMOS 转换标准以及用户定义转换水平的系统(参阅典型直流电压转换特性)。

SN74CB3T3125 被划分为四个 1 位总线开关,各自具备输出使能(1OE、2OE、3OE、4OE)输入。可以作为四个 1 位总线开关或者一个 4 位总线开关。OE 为低时,相关 1 位总线开关打开,A 端口连接至 B 端口,可在两个端口之间实现双向数据流。OE 为高时,相关 1 位总线开关关闭,A、B 端口存在高阻抗状态。

该器件完全 适用于 使用 Ioff 的局部断电应用。Ioff 特性确保在关断时防止损坏电流通过器件回流。该器件可在关断时提供隔离。

为了确保加电或断电期间的高阻抗状态,OE 应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC;该电阻器的最小值由驱动器的电流吸入能力来决定。

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技术文档

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 表面贴装转 DIP 接头适配器,用于快速测试 TI 的 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装。

EVM-LEADED1 电路板可用于对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。  该电路板具有足够的空间,可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

SN74CB3T3125 IBIS Model

SCDM024.ZIP (26 KB) - IBIS 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RGY) 14 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 14 Ultra Librarian

订购和质量

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支持和培训

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