SN54SC4T125-SEP
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VID V62/23631-01XE
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抗辐射
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单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm 2/mg
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每个晶圆批次的辐射批次验收测试 (RLAT) 电离辐射总剂量 (TID) 高达 30krad(Si)
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单粒子瞬变 (SET) 额定值高达 LET = 43MeV-cm 2/mg
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1.2V 至 5.5V 的宽工作电压范围
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单电源电压转换器：
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升压转换：
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1.2V 至 1.8V
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1.5V 至 2.5V
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1.8V 至 3.3V
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3.3V 至 5.0V
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降压转换：
- 5.0V、3.3V、2.5V 至 1.8V
- 5.0V、3.3V 至 2.5V
- 5.0V 至 3.3V
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- 5.5V 容限输入引脚
- 支持标准引脚排列
- 速率高达 150Mbps，具有 5V 或 3.3V V CC
- 闩锁性能超过 250mA，符合 JESD 17 规范
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增强型航天塑料
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受控基线
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Au 键合线和 NiPdAu 铅涂层
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符合 NASA ASTM E595 释气规格要求
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制造、封装测试一体化基地
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延长了产品生命周期
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产品可追溯性
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SN54SC4T125-SEP 包含四个具有三态输出的独立缓冲器且支持扩展电压运行，可实现电平转换。每个缓冲器以正逻辑执行布尔函数 Y = A。通过对 OE 引脚施加高电平，可以将输出置于高阻态 (Hi-Z)。输出电平以电源电压 (V CC) 为基准，并且支持 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V CMOS 电平。
该输入经设计，具有较低阈值电路，支持较低电压 CMOS 输入的升压转换（例如 1.2V 输入转换为 1.8V 输出或 1.8V 输入转换为 3.3V 输出）。此外，5V 容限输入引脚可实现降压转换（例如 3.3V 转 2.5V 输出）。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | SN54SC4T125-SEP 具有三态输出 CMOS 逻辑电平转换器的耐辐射、单电源四路缓冲器转换器门 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-11-15 |
| * | 辐射与可靠性报告 | SN54SC4T125-SEP Single Event Effects Report | PDF | HTML | 2023-12-5 | ||
| * | 辐射与可靠性报告 | SN54SC4T125-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report | PDF | HTML | 2023-12-1 | ||
| * | 辐射与可靠性报告 | SN54SC4T125-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2023-11-9 | ||
| 应用手册 | 原理图检查清单 - 使用自动双向转换器进行设计的指南 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024-12-3 | |
| 应用手册 | 原理图检查清单 - 使用固定或方向控制转换器进行设计的指南 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024-10-3 | |
| 应用简报 | TI 增强型航天塑料逻辑器件概述及在近地轨道卫星平台中的应 用 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024-9-11 | |
| 应用手册 | Understanding Transient Drive Strength vs. DC Drive Strength in Level-Shifters (Rev. A) | PDF | HTML | 2024-7-3 |
设计与开发
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评估板
14-24-LOGIC-EVM — 采用 14 引脚至 24 引脚 D、DB、DGV、DW、DYY、NS 和 PW 封装的逻辑产品通用评估模块
14-24-LOGIC-EVM 评估模块 (EVM) 设计用于支持采用 14 引脚至 24 引脚 D、DW、DB、NS、PW、DYY 或 DGV 封装的任何逻辑器件。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| TSSOP (PW) | 14 | Ultra Librarian |