TMCS1123
- High continuous current capability: 80ARMS
- Robust reinforced isolation
- High accuracy
- Sensitivity error: ±0.1%
- Sensitivity thermal drift: ±20ppm/°C
- Sensitivity lifetime drift: ±0.2%
- Offset error: ±0.2mV
- Offset thermal drift: ±2µV/°C
- Offset lifetime drift: ±0.2mV
- Non-linearity: ±0.1%
- High immunity to external magnetic fields
- Precision zero-current reference output
- Fast Response
- Signal bandwidth: 250kHz
- Response time: 1µs
- Propagation delay: 110ns
- Overcurrent detection response: 100ns
- Overcurrent detection MASK (TMCS1123D71)
- Operating supply range: 3V to 5.5V
- Bidirectional and unidirectional current sensing
- Multiple sensitivity options:
- Ranging from 25mV/A to 150mV/A
- Safety related certifications
- UL 1577 Component Recognition Program
- IEC/CB 62368-1
The TMCS1123 is a galvanically isolated Hall-effect current sensor with industry leading isolation and accuracy. An output voltage proportional to the input current is provided with excellent linearity and low drift at all sensitivity options. Precision signal conditioning circuitry with built-in drift compensation is capable of less than 1.4% maximum sensitivity error over temperature 1.4%and lifetime with no system level calibration, or less than 0.9% maximum sensitivity error including both lifetime and temperature drift with a one-time calibration at room temperature.
AC or DC input current flows through an internal conductor generating a magnetic field measured by integrated, on-chip, Hall-effect sensors. Core-less construction eliminates the need for magnetic concentrators. Differential Hall sensors reject interference from stray external magnetic fields. Low conductor resistance increases measurable current ranges up to ±96A while minimizing power loss and easing thermal dissipation requirements. Insulation capable of withstanding 5kVRMS, coupled with a minimum of 8mm creepage and clearance, provides high levels of reliable lifetime reinforced working voltage.
Integrated shielding enables excellent common-mode rejection and transient immunity. Fixed sensitivity allows the device to operate from a single 3V to 5.5V power supply, eliminating ratiometry errors and improving supply noise rejection.
기술 자료
설계 및 개발
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TMCS-A-ADAPTER-EVM — DVG, DVF 또는 DZP 패키지용 TMCS 절연 홀 효과 전류 센서 어댑터 카드(IC 포함 안 됨)
TMCS-A-ADAPTER-EVM은 DVG, DVF 또는 DZP 패키지를 사용하는 TMCS 절연 홀 효과 정밀 전류 감지 모니터를 빠르고 편리하게 사용할 수 있도록 설계된 평가 모듈(EVM)입니다. 이 EVM을 사용하면 절연 장벽을 통해 절연 출력을 측정하는 동시에 홀 입력 측을 통해 최대 90A 전류를 푸시할 수 있습니다. TMCS-A-ADAPTER-EVM은 장치 평가를 위한 테스트 포인트를 채우는 위치와 브레이크아웃 헤더 핀을 채우기 위한 위치가 포함된 단일의 채워지지 않은 PCB로 구성됩니다. PCB 패드는 중첩되어 DVG, (...)
TMCS1123EVM — 절연 홀 효과 전류 감지용 TMCS1123 평가 모듈
CS-MAGNETIC-ERROR-TOOL-CALC — Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool
TIDA-010257 — 10kW Vienna 정류기 기반, 3상 역률 보정 레퍼런스 설계
TIDA-010933 — GaN 레퍼런스 설계 기반의 1.6kW, 양방향 마이크로 인버터
TIDA-010937 — 디지털 인터페이스를 지원하는 절연된 낮은 지연, 높은 PWM 제거 홀 전류 감지 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 최대 ±62A까지, 100ns 미만의 과전류 감지 시간을 지원하는 3상 인버터를 갖춘 안정적인 위상 전류 및 DC 링크 전류 감지를 위한 TMCS1123 정밀 홀 효과 전류 센서를 사용하여 정확한 저지연 강화 절연 양방향 전류 감지 시스템을 보여줍니다. 과전류 임계값은 최대 입력 전류 범위의 2.5배까지 구성할 수 있습니다. 고속 SPI 또는 최대 21MHz 클록의 델타-시그마 변조기를 지원하는 소형 폼 팩터 12비트 A/D 컨버터는 높은 잡음 내성을 가진 3.3V I/O 디지털 인터페이스를 제공합니다. 이 (...)
TIDA-010938 — 배터리 에너지 저장 시스템 레퍼런스 설계가 포함된 10kW, GaN 기반 단상 스트링 인버터
이 레퍼런스 디자인은 배터리 에너지 저장 시스템(BESS)을 위한 양방향 전력 변환 시스템을 갖춘 GaN 기반 단상 스트링 인버터의 구현에 대한 개요를 제공합니다. 이 디자인은 두 개의 스트링 입력, 각각 직렬로 최대 10개의 PV(태양광) 패널을 처리할 수 있는 스트링 입력 그리고 50V~500V 범위의 배터리 스택을 처리할 수 있는 에너지 저장 시스템 포트를 하나씩 처리합니다. 스트링 입력에서 BESS까지 공칭 정격 전력은 최대 10kW입니다. 구성 가능한 DC-AC 컨버터는 230V 단상 그리드 연결로 최대 4.6kW를 (...)
TIDA-010954 — 600W, GaN 기반 단상 사이클로컨버터 레퍼런스 설계
TIDA-011008 — 3.6kW, GaN 기반 단상 스트링 인버터 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 GaN 기반 단상 스트링 인버터의 구현에 대한 개요를 제공합니다. 이 설계는 하나의 스트링 입력으로 구성되어 있으며, 최대 10개의 PV(태양광) 패널을 직렬로 처리할 수 있습니다. 스트링 입력에서 230V 단상 그리드 연결까지의 공칭 정격 전력은 최대 3.6kW입니다. 세 가지 전력계에 대한 디지털 제어는 단일 C2000™ MCU에서 실행됩니다. 또한 이 보드에는 WiFi® 통신 포트가 있어 쉽게 원격으로 모니터링 및 제어가 가능합니다.
TIDA-01606 — 11kW, 양방향 3상 3레벨(T형) 인버터 및 PFC 레퍼런스 설계
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| SOIC (DVG) | 10 | Ultra Librarian |