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SN74CB3Q3306A

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3.3V, 1:1(SPST), 2채널 FET 버스 스위치(액티브 로우)

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SN74CB3Q3306A

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제품 상세 정보

Protocols Analog, I2C, UART Configuration 1:1 SPST Number of channels 2 Bandwidth (MHz) 500 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 700 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 3.5 CON (typ) (pF) 8 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog, I2C, UART Configuration 1:1 SPST Number of channels 2 Bandwidth (MHz) 500 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 700 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 3.5 CON (typ) (pF) 8 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
TSSOP (PW) 8 19.2 mm² 3 x 6.4 VSSOP (DCU) 8 6.2 mm² 2 x 3.1
  • High-Bandwidth Data Path (up to 500 MHz(1))
  • 5-V-Tolerant I/Os With Device Powered Up or Powered Down
  • Low and Flat ON-State Resistance (ron) Characteristics Over
    Operating Range (ron = 4 Ω Typ)
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
    • 0- to 5-V Switching With 3.3-V VCC
    • 0- to 3.3-V Switching With 2.5-V VCC
    • Bidirectional Data Flow With Near-Zero Propagation Delay
  • Low Input/Output Capacitance Minimizes Loading and Signal Distortion
    (Cio(OFF) = 3.5 pF Typ)
  • Fast Switching Frequency (f OE = 20 MHz Max)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot Clamp Diodes
  • Low Power Consumption (ICC = 0.25 mA Typ)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0- to 5-V Signaling Levels
    (0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL or 5-V/3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications: USB Interface, Differential Signal
    Interface, Bus Isolation, Low-Distortion Signal Gating

(1) For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI application report, CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families, literature number SCDA008.
  • High-Bandwidth Data Path (up to 500 MHz(1))
  • 5-V-Tolerant I/Os With Device Powered Up or Powered Down
  • Low and Flat ON-State Resistance (ron) Characteristics Over
    Operating Range (ron = 4 Ω Typ)
  • Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports
    • 0- to 5-V Switching With 3.3-V VCC
    • 0- to 3.3-V Switching With 2.5-V VCC
    • Bidirectional Data Flow With Near-Zero Propagation Delay
  • Low Input/Output Capacitance Minimizes Loading and Signal Distortion
    (Cio(OFF) = 3.5 pF Typ)
  • Fast Switching Frequency (f OE = 20 MHz Max)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot Clamp Diodes
  • Low Power Consumption (ICC = 0.25 mA Typ)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0- to 5-V Signaling Levels
    (0.8 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL or 5-V/3.3-V CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Both Digital and Analog Applications: USB Interface, Differential Signal
    Interface, Bus Isolation, Low-Distortion Signal Gating

(1) For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI application report, CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families, literature number SCDA008.

The SN74CB3Q3306A is a high-bandwidth FET bus switch utilizing a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus. Specifically designed to support high-bandwidth applications, the SN74CB3Q3306A provides an optimized interface solution ideally suited for broadband communications, networking, and data-intensive computing systems.

The SN74CB3Q3306A is organized as two 1-bit switches with separate output-enable (1OE, 2OE) inputs. It can be used as two 1-bit bus switches or as one 2-bit bus switch. When OE is low, the associated 1-bit bus switch is ON and the A port is connected to the B port, allowing bidirectional data flow between ports. When OE is high, the associated 1-bit bus switch is OFF, and a high-impedance state exists between the A and B ports.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry prevents damaging current backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.

To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE should be tied to VCC through a pullup resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.

The SN74CB3Q3306A is a high-bandwidth FET bus switch utilizing a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus. Specifically designed to support high-bandwidth applications, the SN74CB3Q3306A provides an optimized interface solution ideally suited for broadband communications, networking, and data-intensive computing systems.

The SN74CB3Q3306A is organized as two 1-bit switches with separate output-enable (1OE, 2OE) inputs. It can be used as two 1-bit bus switches or as one 2-bit bus switch. When OE is low, the associated 1-bit bus switch is ON and the A port is connected to the B port, allowing bidirectional data flow between ports. When OE is high, the associated 1-bit bus switch is OFF, and a high-impedance state exists between the A and B ports.

This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry prevents damaging current backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during power off.

To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE should be tied to VCC through a pullup resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.
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기술 자료

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Selection guide Logic Guide (Rev. AB) 2017/06/12
Application note Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 2015/12/02
User guide LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007/01/16
More literature Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004/11/10
Application note Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004/07/08
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설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 어댑터 평가 모듈

소형 표면 실장 IC(집적 회로)와 쉽고 빠르며 경제적인 방식으로 인터페이싱하는 방법을 제공하는 DIP 어댑터 평가 모듈(DIP-ADAPTER-EVM)로 연산 증폭기 프로토타이핑 및 테스트 속도를 높이세요. 제품에 포함된 Samtec 터미널 스트립을 사용하여 지원되는 연산 증폭기를 연결하거나 기존 회로에 직접 연결할 수 있습니다.

DIP 어댑터 EVM 키트는 다음을 포함해 가장 널리 사용되는 6개의 업계 표준 패키지를 지원합니다.

  • D 및 U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8, VSSOP-8)
  • (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
인터페이스 어댑터

LEADED-ADAPTER1 — TI의 5, 8, 10, 16 및 24핀 리드 패키지의 빠른 테스트를 위한 DIP 헤더 어댑터에 대한 표면 실장

EVM-LEADED1 보드를 사용하면 TI의 공통 리드가 있는 패키지를 브레드보드 방식으로 빠르게 테스트할 수 있습니다.  이 보드에는 TI의 D, DBQ, DCT, DCU, DDF, DGS, DGV 및 PW 표면 실장 패키지를 100mil DIP 헤더로 변환할 수 있는 풋프린트가 있습니다.     

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

HSPICE Model for SN74CB3Q3306A

SCDJ017.ZIP (32 KB) - HSpice Model
다운로드
시뮬레이션 모델

SN74CB3Q3306A IBIS Model

SCDM030.ZIP (25 KB) - IBIS Model
다운로드
레퍼런스 디자인

TIDEP0054 — 변전소 자동화를 위한 병렬 중복 프로토콜(PRP) 이더넷 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 스마트 그리드 전송 및 배전 네트워크의 변전소 자동화 장비에 안정성이 높고 지연 시간이 낮은 네트워크 통신을 위한 레퍼런스 설계입니다. PRU-ICSS를 사용해 IEC 62439 표준의 PRP(병렬 중복 프로토콜) 사양을 지원합니다. 이 레퍼런스 설계는 FPGA 접근 방식에 대한 저렴한 대안이며, 추가 부품 없이 IEC 61850 지원과 같은 기능을 추가할 수 있는 유연성과 성능을 제공합니다.
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
TSSOP (PW) 8 Ultra Librarian
VSSOP (DCU) 8 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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