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SN74CB3Q3257

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3.3V, 2:1(SPDT), 4채널 범용 FET 버스 스위치

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SN74CB3Q3257

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제품 상세 정보

Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 2:1 SPDT Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 250 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 3.5 CON (typ) (pF) 10.5 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 2:1 SPDT Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 250 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 3.5 CON (typ) (pF) 10.5 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6 TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 16 23.04 mm² 3.6 x 6.4 VQFN (RGY) 16 14 mm² 4 x 3.5
  • High-bandwidth data path (up to 500MHz)
  • 5V Tolerant I/Os with device powered up or powered down
  • Low and flat on-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron= 4Ω typical)
  • Rail-to-rail switching on data I/O ports
    • 0- to 5V Switching with 3.3V VCC
    • 0- to 3.3V Switching with 2.5V VCC
  • Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
  • Low input and output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 3.5pF typical)
  • Fast switching frequency (f OE = 20MHz maximum)
  • Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
  • Low power consumption (ICC = 0.7mA typical)
  • VCC Operating range from 2.3V to 3.6V
  • Data I/Os support 0- to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V)
  • Control inputs can be driven by TTL or 5V and 3.3V CMOS outputs
  • Ioff Supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA Per JESD 78, class II
  • ESD Performance tested per JESD 22
    • 2000V Human body model (A114-B, class II)
    • 1000V Charged-device model (C101)
  • Supports both digital and analog applications: USB interface, differential signal interface, bus isolation, low-distortion signal gating (1)

(1)For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families application report.
  • High-bandwidth data path (up to 500MHz)
  • 5V Tolerant I/Os with device powered up or powered down
  • Low and flat on-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron= 4Ω typical)
  • Rail-to-rail switching on data I/O ports
    • 0- to 5V Switching with 3.3V VCC
    • 0- to 3.3V Switching with 2.5V VCC
  • Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
  • Low input and output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 3.5pF typical)
  • Fast switching frequency (f OE = 20MHz maximum)
  • Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
  • Low power consumption (ICC = 0.7mA typical)
  • VCC Operating range from 2.3V to 3.6V
  • Data I/Os support 0- to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V)
  • Control inputs can be driven by TTL or 5V and 3.3V CMOS outputs
  • Ioff Supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA Per JESD 78, class II
  • ESD Performance tested per JESD 22
    • 2000V Human body model (A114-B, class II)
    • 1000V Charged-device model (C101)
  • Supports both digital and analog applications: USB interface, differential signal interface, bus isolation, low-distortion signal gating (1)

(1)For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families application report.

The SN74CB3Q3257 device is a high-bandwidth FET bus switch using a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron).

The SN74CB3Q3257 device is a high-bandwidth FET bus switch using a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron).
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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet SN74CB3Q3257 4-Bit 1-of-2 FET Multiplexer and Demultiplexer 2.5V and 3.3V Low-Voltage High-Bandwidth Bus Switch datasheet (Rev. E) PDF | HTML 2024/12/06
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설계 및 개발

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평가 보드

AM261-SOM-EVM — AM261x 제어 시스템 온 모듈 평가 모듈(EVM)

AM261-SOM-EVM은 텍사스 인스트루먼트 Sitara™ AM261x 마이크로컨트롤러(MCU) 시리즈용 평가 및 개발 보드입니다. 120핀 고속, 고밀도 커넥터 3개를 갖춘 시스템 온 모듈 설계는 초기 평가 및 신속한 프로토타입 개발에 이상적입니다. AM261-SOM-EVM을 사용한 평가에 XDS110ISO-EVM이 필요하며 별도로 구매할 수 있습니다.

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TAS2770EVM-Stereo 평가 모듈(EVM)은 개발자에게 스테레오 솔루션으로 미리 구성된 사용이 간편한 모듈을 제공합니다. IV 감지 기능 이용과 관계없이 TAS2770의 스테레오 또는 모노 구현을 평가할 수 있는 강력한 툴 키트입니다. 기존 증폭기로서의 TAS2770을 평가하는 데 필요한 모든 것이 제공됩니다. TAS2559YZEVM을 연결하여 스피커 보호 알고리즘 및 처리를 제공하는 스테레오 또는 모노 스피커 보호 솔루션을 평가할 수 있습니다. 알고리즘은 PPC3를 사용하여 제어 및 조정됩니다. TAS2559YZEVM (...)
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EVM-LEADLESS1 보드를 사용하면 TI의 공통 리드가 없는 패키지를 브레드보드 방식으로 빠르게 테스트할 수 있습니다.  이 보드에는 TI의 DRC, DTP, DQE, RBW, RGY, RSE, RSV, RSW, RTE, RTJ, RUK, RUC, RUG, RUM, RUT 및 YZP 표면 실장 패키지를 100mil DIP 헤더로 변환할 수 있는 풋프린트가 있습니다.
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TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

HSPICE Model of SN74CB3Q3257

SCDJ024.ZIP (28 KB) - HSpice Model
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시뮬레이션 모델

SN74CB3Q3257 IBIS Model

SCDM049.ZIP (44 KB) - IBIS Model
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레퍼런스 디자인

TIDA-01572 — 디지털 입력, 클래스 D, IV 감지 오디오 증폭기의 스테레오 평가 모듈 레퍼런스 디자인

이 레퍼런스 설계는 PC 애플리케이션에 사용할 수 있는 고성능 스테레오 오디오 서브시스템을 제공합니다. 4.5V~16V의 단일 전원으로 작동하며, 탁월한 잡음 및 왜곡 성능을 제공하며 WCSP 및 QFN 패키지 모두로 제공되는 디지털 입력 클래스 D 오디오 증폭기인 TAS2770을 갖추고 있습니다. 또한 이 설계에는 각각 필요한 3.3V 및 1.8V 시스템 레일을 생성하는 저손실 고정 전압 레귤레이터인 TL760M33 및 TPS73618이 포함되어 있습니다. 이 레퍼런스 설계의 다용도 디지털 입력 인터페이스는 다양한 입력 형식을 (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 16 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 16 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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