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LMG1210

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1.5A, 3A, 200V 하프 브리지 게이트 드라이버, 5V UVLO, GaNFET 및 MOSFET용 프로그래머블 데드 타임

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LMG1210

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제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Bootstrap supply voltage clamp, Dead time control, Internal LDO, Resistor-controllable deadtime Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Bootstrap supply voltage clamp, Dead time control, Internal LDO, Resistor-controllable deadtime Driver configuration Half bridge
WQFN (RVR) 19 12 mm² (4 mm × 3 mm)
  • Up to 50-MHz operation
  • 10-ns typical propagation delay
  • 3.4-ns high-side to low-side matching
  • Minimum pulse width of 4 ns
  • Two control input options
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Independent input mode
  • 1.5-A peak source and 3-A peak sink currents
  • External bootstrap diode for flexibility
  • Internal LDO for adaptability to voltage rails
  • High 300-V/ns CMTI
  • HO to LO capacitance less than 1 pF
  • UVLO and overtemperature protection
  • Low-inductance WQFN package
  • Up to 50-MHz operation
  • 10-ns typical propagation delay
  • 3.4-ns high-side to low-side matching
  • Minimum pulse width of 4 ns
  • Two control input options
    • Single PWM input with adjustable dead time
    • Independent input mode
  • 1.5-A peak source and 3-A peak sink currents
  • External bootstrap diode for flexibility
  • Internal LDO for adaptability to voltage rails
  • High 300-V/ns CMTI
  • HO to LO capacitance less than 1 pF
  • UVLO and overtemperature protection
  • Low-inductance WQFN package

The LMG1210 is a 200-V, half-bridge MOSFET and Gallium Nitride Field Effect Transistor (GaN FET) driver designed for ultra-high frequency, high-efficiency applications that features adjustable deadtime capability, very small propagation delay, and 3.4-ns high-side low-side matching to optimize system efficiency. This part also features an internal LDO which ensures a gate-drive voltage of 5-V regardless of supply voltage.

To enable best performance in a variety of applications, the LMG1210 allows the designer to choose the optimal bootstrap diode to charge the high-side bootstrap capacitor. An internal switch turns the bootstrap diode off when the low side is off, effectively preventing the high-side bootstrap from overcharging and minimizing the reverse recovery charge. Additional parasitic capacitance across the GaN FET is minimized to less than 1 pF to reduce additional switching losses.

The LMG1210 features two control input modes: Independent Input Mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is independently controlled by a dedicated input. In PWM mode the two complementary output signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time from 0 to 20 ns for each edge. The LMG1210 operates over a wide temperature range from –40°C to 125°C and is offered in a low-inductance WQFN package.

The LMG1210 is a 200-V, half-bridge MOSFET and Gallium Nitride Field Effect Transistor (GaN FET) driver designed for ultra-high frequency, high-efficiency applications that features adjustable deadtime capability, very small propagation delay, and 3.4-ns high-side low-side matching to optimize system efficiency. This part also features an internal LDO which ensures a gate-drive voltage of 5-V regardless of supply voltage.

To enable best performance in a variety of applications, the LMG1210 allows the designer to choose the optimal bootstrap diode to charge the high-side bootstrap capacitor. An internal switch turns the bootstrap diode off when the low side is off, effectively preventing the high-side bootstrap from overcharging and minimizing the reverse recovery charge. Additional parasitic capacitance across the GaN FET is minimized to less than 1 pF to reduce additional switching losses.

The LMG1210 features two control input modes: Independent Input Mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is independently controlled by a dedicated input. In PWM mode the two complementary output signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time from 0 to 20 ns for each edge. The LMG1210 operates over a wide temperature range from –40°C to 125°C and is offered in a low-inductance WQFN package.
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기술 자료

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* 데이터 시트 LMG1210 200-V, 1.5-A, 3-A half-bridge MOSFET and GaN FET driver with adjustable dead time for applications up to 50 MHz datasheet (Rev. D) PDF | HTML 2019. 2. 7
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애플리케이션 노트 Optimizing efficiency through dead time control with the LMG1210 GaN driver (Rev. A) 2018. 11. 27
백서 Optimizing multi-megahertz GaN driver design white paper (Rev. A) 2018. 11. 27
기술 문서 The sound of GaN PDF | HTML 2018. 6. 26
기술 문서 GaN drivers – switching faster than today’s technology PDF | HTML 2018. 3. 5
백서 A comprehensive methodology to qualify the reliability of GaN products 2015. 3. 2

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LMG1210EVM-012 — LMG1210 하프 브리지 개방형 루프 평가 모듈

LMG1210EVM-012는 GaN FET용 LMG1210 메가헤르츠 200V 하프 브리지 드라이버를 평가하도록 설계되었습니다. 이 EVM은 단일 LMG1210으로 구동되는 하프 브리지로 구성된 질화 갈륨 FET 두 개로 구성되어 있습니다. 보드에 컨트롤러가 없습니다.
사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

LMG1210 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM615C.ZIP (22427 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

LMG1210 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

SNOM617C.TSC (610 KB) - TINA-TI 레퍼런스 설계
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

LMG1210 Unencrypted PSPICE Transient Model

SNOM677.ZIP (7 KB) - PSpice 모델
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SNOR035 — LMG1210 Component Design Calculator and Schematic Review

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PMP21440 — 비교: 0.8V/8W GaN 대 실리콘 전원 공급 장치 레퍼런스 설계

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레퍼런스 설계는 GaN 기반 3kW 위상 변환 풀 브리지(PSFB) 컨버터입니다. 이 설계에서는 동기식 정류기(SR) MOSFET에 대한 전압 응력을 최소화하기 위해 이차측에 액티브 클램프를 사용하며, 그에 따라 FOM(figure-of-merit)이 더 우수한, 상대적으로 낮은 전압 정격 MOSFET을 활용할 수 있습니다. PMP22951은 일차측에서 30mΩ GaN을 사용하고, 동기식 정류기용으로 100V, 1.8mΩ GaN을 사용합니다. PSFB 제어는 TMS320F280049C 실시간 마이크로컨트롤러를 사용해 구현합니다. (...)
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지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
WQFN (RVR) 19 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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