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TLV8811

アクティブ

コスト最適化システム向け 425nA シングル高精度ナノパワー・オペアンプ

製品詳細

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.7 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.55 GBW (typ) (MHz) 0.006 Features Cost Optimized, EMI Hardened Slew rate (typ) (V/µs) 0.0015 Rail-to-rail In to V-, Out Offset drift (typ) (µV/°C) 1 Iq per channel (typ) (mA) 0.00045 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 450 CMRR (typ) (dB) 95 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iout (typ) (A) 0.0047 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.9 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.0025 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.0035
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.7 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.55 GBW (typ) (MHz) 0.006 Features Cost Optimized, EMI Hardened Slew rate (typ) (V/µs) 0.0015 Rail-to-rail In to V-, Out Offset drift (typ) (µV/°C) 1 Iq per channel (typ) (mA) 0.00045 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 450 CMRR (typ) (dB) 95 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iout (typ) (A) 0.0047 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.9 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.0025 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.0035
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • コスト最適化システム用
  • Nanopower消費電流: チャネルごとに425nA
  • オフセット電圧: 500µV (最大値)
  • TcVos: 1µV/℃
  • ゲイン帯域幅: 6kHz
  • ユニティ・ゲインで安定
  • 低い入力バイアス電流: 100fA
  • 広い電源電圧範囲: 1.7V~5.5V
  • レール・ツー・レール出力
  • 出力反転なし
  • EMI保護
  • 温度範囲: -40℃~+125℃
  • 業界標準パッケージ:
    • シングル: 5ピンSOT-23
    • デュアル: 8ピンVSSOP

アプリケーション

  • ガス検出器(COおよびO2)
  • PIR動作検出器
  • 電流検出
  • サーモスタット
  • IoT (Internet of Things)リモート・センサ
  • アクティブRFIDリーダーおよびタグ
  • 携帯型医療機器
  • 携帯型血糖値計

All trademarks are the property of their respective owners.

  • コスト最適化システム用
  • Nanopower消費電流: チャネルごとに425nA
  • オフセット電圧: 500µV (最大値)
  • TcVos: 1µV/℃
  • ゲイン帯域幅: 6kHz
  • ユニティ・ゲインで安定
  • 低い入力バイアス電流: 100fA
  • 広い電源電圧範囲: 1.7V~5.5V
  • レール・ツー・レール出力
  • 出力反転なし
  • EMI保護
  • 温度範囲: -40℃~+125℃
  • 業界標準パッケージ:
    • シングル: 5ピンSOT-23
    • デュアル: 8ピンVSSOP

アプリケーション

  • ガス検出器(COおよびO2)
  • PIR動作検出器
  • 電流検出
  • サーモスタット
  • IoT (Internet of Things)リモート・センサ
  • アクティブRFIDリーダーおよびタグ
  • 携帯型医療機器
  • 携帯型血糖値計

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TLV8811 (シングル)およびTLV8812 (デュアル)ファミリの高精度、超低消費電力オペアンプは、ワイヤレス機器および低消費電力の有線機器における、コスト最適化された「常時オン」のセンシング・アプリケーションに理想的です。425nAの静止電流からの6kHz帯域幅、および500µV未満にトリムされたオフセット電圧により、TLV881xアンプはCOガス検出器や携帯用電子機器など、バッテリ動作時間が重要な機器において、高精度の実現と同時に消費電力を最小化できます。これらのオペアンプにはCMOS入力段があり、フェムトアンペアのバイアス電流が可能なため、ソース・インピーダンスの高いセンシング・アプリケーションに影響を及ぼすようなIBIASおよびIOSエラーを減らすことができます。さらに、EMI保護が組み込まれているため、携帯電話、WiFi、無線送信機、タグ・リーダーなどから発生する不要なRF信号への感度が低くなります。

TLV8811 (シングル)およびTLV8812 (デュアル)チャネル・バージョンは、それぞれ業界標準の5ピンのSOT-23および8ピンのVSSOPパッケージで供給されます。

TLV8811 (シングル)およびTLV8812 (デュアル)ファミリの高精度、超低消費電力オペアンプは、ワイヤレス機器および低消費電力の有線機器における、コスト最適化された「常時オン」のセンシング・アプリケーションに理想的です。425nAの静止電流からの6kHz帯域幅、および500µV未満にトリムされたオフセット電圧により、TLV881xアンプはCOガス検出器や携帯用電子機器など、バッテリ動作時間が重要な機器において、高精度の実現と同時に消費電力を最小化できます。これらのオペアンプにはCMOS入力段があり、フェムトアンペアのバイアス電流が可能なため、ソース・インピーダンスの高いセンシング・アプリケーションに影響を及ぼすようなIBIASおよびIOSエラーを減らすことができます。さらに、EMI保護が組み込まれているため、携帯電話、WiFi、無線送信機、タグ・リーダーなどから発生する不要なRF信号への感度が低くなります。

TLV8811 (シングル)およびTLV8812 (デュアル)チャネル・バージョンは、それぞれ業界標準の5ピンのSOT-23および8ピンのVSSOPパッケージで供給されます。

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技術資料

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* データシート TLV8811、TLV8812 コスト最適化システム用425nA高精度Nanopowerオペアンプ データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2017年 2月 9日
e-Book(PDF) The Signal - オペアンプ設計ブログ集 英語版 2018年 3月 23日
アプリケーション・ノート Nano-Power Transimpedance Amplifier for Current Output Sensors 2018年 3月 7日
アプリケーション・ノート Nano-Power Battery Monitoring in Personal Electronics 2017年 12月 8日

設計と開発

デスクトップにある「Design & development」 (設計と開発) セクションをご覧ください。

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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