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SN74CB3Q3125

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4-Kanal-FET-Busschalter, 3,3 V, 1:1 (SPST)

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SN74CB3Q3125

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Produktdetails

Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 2000 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 4 CON (typ) (pF) 8 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 Turnoff time (disable) (max) (ns) 5.3 Turnon time (enable) (max) (ns) 6.6 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 2000 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 4 CON (typ) (pF) 8 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 Turnoff time (disable) (max) (ns) 5.3 Turnon time (enable) (max) (ns) 6.6 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) TVSOP (DGV) 14 23.04 mm² (3.6 mm × 6.4 mm) TSSOP (PW) 14 32 mm² (5 mm × 6.4 mm) VQFN (RGY) 14 12.25 mm² (3.5 mm × 3.5 mm)
  • High-bandwidth data path (up to 500MHz)
  • 5V tolerant I/Os with device powered up or powered down
  • Low and flat ON-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron = 3Ω typical)
  • Rail-to-rail switching on data I/O ports
    • 0V to 5V switching with 3.3V VCC
    • 0V to 3.3V switching with 2.5V VCC
  • Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
  • Low input and output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 4pF typical)
  • Fast switching frequency (fOE = 20MHz maximum)
  • Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
  • Low power consumption (ICC = 0.3mA typical)
  • VCC operating range from 2.3V to 3.6V
  • Data I/Os support 0V to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V)
  • Control inputs can be driven by TTL, 5V, or 3.3V CMOS outputs
  • Ioff supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, Class II
  • ESD performance tested per JESD 22
    • 2000V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000V Charged-Device Model (C101)
  • Supports both digital and analog applications: USB interface, differential signal interface, bus isolation, low-distortion signal gating.
  • For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI application note CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families.
  • High-bandwidth data path (up to 500MHz)
  • 5V tolerant I/Os with device powered up or powered down
  • Low and flat ON-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron = 3Ω typical)
  • Rail-to-rail switching on data I/O ports
    • 0V to 5V switching with 3.3V VCC
    • 0V to 3.3V switching with 2.5V VCC
  • Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
  • Low input and output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 4pF typical)
  • Fast switching frequency (fOE = 20MHz maximum)
  • Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
  • Low power consumption (ICC = 0.3mA typical)
  • VCC operating range from 2.3V to 3.6V
  • Data I/Os support 0V to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V)
  • Control inputs can be driven by TTL, 5V, or 3.3V CMOS outputs
  • Ioff supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, Class II
  • ESD performance tested per JESD 22
    • 2000V Human-Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000V Charged-Device Model (C101)
  • Supports both digital and analog applications: USB interface, differential signal interface, bus isolation, low-distortion signal gating.
  • For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI application note CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families.

The SN74CB3Q3125 device is a high-bandwidth FET bus switch that uses a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, thus providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The SN74CB3Q3125 device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus.

The SN74CB3Q3125 device is a high-bandwidth FET bus switch that uses a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, thus providing a low and flat ON-state resistance (ron). The low and flat ON-state resistance allows for minimal propagation delay and supports rail-to-rail switching on the data input/output (I/O) ports. The SN74CB3Q3125 device also features low data I/O capacitance to minimize capacitive loading and signal distortion on the data bus.
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Technische Dokumentation

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* Datenblatt SN74CB3Q3125 Quadruple FET Bus Switch 2.5V/3.3V Low-Voltage, High-Bandwidth Bus Switch datasheet (Rev. D) PDF | HTML 16.01.2026
Anwendungshinweis Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 02.06.2022
Anwendungshinweis Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 01.12.2021
Application brief Eliminate Power Sequencing with Powered-off Protection Signal Switches (Rev. C) PDF | HTML 06.01.2021
Technischer Artikel Logic gates and switches with Ioff or powered-off protection: empowering you to po PDF | HTML 02.11.2016

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Schnittstellenadapter

LEADED-ADAPTER1 — Oberflächenmontierbarer DIP-Header-Adapter zur schnellen Prüfung der 5-, 8-, 10-, 16- und 24-poligen

Die EVM-LEADED1-Platine ermöglicht schnelles Testen und Testbrettaufbauten von gängigen bleihaltigen Gehäusen von TI.  Die Platine verfügt über Anschlussflächen, um die oberflächenmontierten Gehäuse D, DBQ, DCT,DCU, DDF, DGS, DGV und PW von TI in 100-mil-DIP-Stiftleisten umzuwandeln.     

Benutzerhandbuch: PDF
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Simulationsmodell

HSPICE MODEL OF SN74CB3Q3125

SCEJ199.ZIP (93 KB) - HSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

SN74CB3Q3125 IBIS Model (Rev. A)

SCDM067 (127 KB) - IBIS-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Referenzdesign

TIDA-00180 — Stromversorgung mit programmierbarer Ausgangsspannung und Schutzfunktion für Positionsgeberschnittst

This reference design implements a universal power supply with programmable output voltage and innovative smart eFuse technology for use in a multi-standard position encoder interface module on an industrial drive. The eFuse provides inrush-current and over-current protection as well as user (...)

Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 14 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 14 Ultra Librarian
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