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LM5110

AKTIV

Zweikanaliger Gate-Treiber, 5 A/3 A, mit 4-V-UVLO, dedizierter Eingangsmasse und Abschalteingang

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UCC27624 AKTIV 2-Kanal-Low-Side-Treiber, 5 A/5 A, mit 4 V UVLO, 30 V VDD und geringer Ausbreitungsverzögerung Wide VDD and higher driver current

LM5110

AKTIV
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Produktdetails

Number of channels 2 Power switch MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Combination, Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 224 Driver configuration Dual, Independent
Number of channels 2 Power switch MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Combination, Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 224 Driver configuration Dual, Independent
WSON (DPR) 10 16 mm² (4 mm × 4 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 5A sink/3A Source Current Capability
  • Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
  • Independent Inputs (TTL Compatible)
  • Fast Propagation Times (25-ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14-ns/12-ns Rise/Fall With 2-nF Load)
  • Dedicated Input Ground Pin (IN_REF) for Split Supply or Single Supply Operation
  • Outputs Swing from VCC to VEE Which Can Be Negative Relative to Input Ground
  • Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
  • Shutdown Input Provides Low Power Mode
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Pin-Out Compatible With Industry Standard Gate Drivers
  • Packages:
    • SOIC-8
    • WSON-10 (4 mm × 4 mm)
  • Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
  • 5A sink/3A Source Current Capability
  • Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
  • Independent Inputs (TTL Compatible)
  • Fast Propagation Times (25-ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14-ns/12-ns Rise/Fall With 2-nF Load)
  • Dedicated Input Ground Pin (IN_REF) for Split Supply or Single Supply Operation
  • Outputs Swing from VCC to VEE Which Can Be Negative Relative to Input Ground
  • Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
  • Shutdown Input Provides Low Power Mode
  • Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
  • Pin-Out Compatible With Industry Standard Gate Drivers
  • Packages:
    • SOIC-8
    • WSON-10 (4 mm × 4 mm)

The LM5110 Dual Gate Driver replaces industry standard gate drivers with improved peak output current and efficiency. Each "compound" output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 5A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Separate input and output ground pins provide Negative Drive Capability allowing the user to drive MOSFET gates with positive and negative VGS voltages. The gate driver control inputs are referenced to a dedicated input ground (IN_REF). The gate driver outputs swing from VCC to the output ground VEE which can be negative with respect to IN_REF. Undervoltage lockout protection and a shutdown input pin are also provided. The drivers can be operated in parallel with inputs and outputs connected to double the drive current capability. This device is available in the SOIC-8 and the thermally-enhanced WSON-10 packages.

The LM5110 Dual Gate Driver replaces industry standard gate drivers with improved peak output current and efficiency. Each "compound" output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 5A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Separate input and output ground pins provide Negative Drive Capability allowing the user to drive MOSFET gates with positive and negative VGS voltages. The gate driver control inputs are referenced to a dedicated input ground (IN_REF). The gate driver outputs swing from VCC to the output ground VEE which can be negative with respect to IN_REF. Undervoltage lockout protection and a shutdown input pin are also provided. The drivers can be operated in parallel with inputs and outputs connected to double the drive current capability. This device is available in the SOIC-8 and the thermally-enhanced WSON-10 packages.
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Technische Dokumentation

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* Datenblatt LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability datasheet (Rev. B) PDF | HTML 05.11.2012
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Application brief High-Side Cutoff Switches for High-Power Automotive Applications (Rev. A) 26.11.2018
Weitere Dokumente Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 29.10.2018
Auswahlhilfe Power Management Guide 2018 (Rev. R) 25.06.2018
Application brief Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole 16.03.2018

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC27423-4-5-Q1EVM — UCC2742xQ1 Dual 4-A Highspeed-Low-Side-MOSFET-Treiber mit Aktivierung – Evaluierungsmodul (EVM)

Das UCC2742xQ1-EVM ist ein Highspeed-Dual-MOSFET-Evaluierungsmodul, das eine Testplattform für die schnelle und einfache Inbetriebnahme des UCC2742xQ1-Treibers bereitstellt. Die Stromversorgung findet über eine einzelne externe Stromversorgung mit 4 V bis 15 V statt und das EVM ist mit einem (...)
Benutzerhandbuch: PDF
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Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
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LM5110-1M PSpice Transient Model (Rev. A)

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LM5110-1M TINA-TI Transient Reference Design

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LM5110-2M PSpice Transient Model

SNVM308.ZIP (47 KB) - PSpice-Modell
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LM5110-2M TINA-TI Transient Reference Design

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LM5110-2M TINA-TI Transient Spice Model

SNVM409.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice-Modell
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LM5110-3M PSpice Transient Model

SNVM309.ZIP (47 KB) - PSpice-Modell
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LM5110-3M TINA-TI Transient Reference Design

SNVM412.TSC (136 KB) - TINA-TI-Referenzdesign
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LM5110-3M TINA-TI Transient Spice Model

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LM5110_1M Unencrypted PSpice Transient Model

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LM5110_2M Unencrypted PSpice Transient Model

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LM5110_3M Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAD1.ZIP (1 KB) - PSpice-Modell
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
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