封装信息
| 封装 | 引脚 VQFN-HR (VAP) | 12 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
TMCS1170 的特性
- 小型 3mm × 3mm 低高度 QFN 封装
- 高持续电流能力：60 ARMS
- 低损耗 0.6mΩ 导体
- ±100V 功能隔离
- 电流检测精度
- 灵敏度误差：±1%，典型值
- 灵敏度误差：±2.85%，TA = 25℃ 至 125℃
- 失调电压误差：±15mV，TA = 25℃ 至 125℃
- 偏移寿命漂移：±20mV
- 对外部磁场具有高抗扰度
- 内置过流检测
- 信号带宽：285kHz
- 输出传播延迟：300ns
- 过流检测响应：1.3µs
- 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
- 双向和单向电流检测
- 多个灵敏度选项：
- 范围为 26.4mV/A 至 200mV/A
TMCS1170 的说明
TMCS1170 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有 100V 功能隔离，采用小型 QFN 封装。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的信号调节电路能够在整个温度范围内实现小于 2.85% 的最大灵敏度误差，使用寿命偏移小于 3%，并且无需系统级校准。
交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±60A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。
固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。该器件具有小解决方案尺寸、电流能力和环境磁场抑制等特性，是监测狭小空间内电流的理想解决方案。