TLV4H390-SEP
- VID
- V62/24636-01XE
- V62/24636-02XE
- 辐射 - 总电离剂量 (TID)
- TID 特征值为 30krad (Si)
- 在高达 30krad (Si) 的条件下无 ELDRS
- RHA/RLAT 高达 30krad (Si)
- 辐射 - 单粒子效应 (SEE)
- SEL 对于 LET 的抗扰度 = 43MeV·cm2/mg
- SET 对于 LET 的抗扰度 = 43MeV·cm2/mg
- 增强型航天塑料
- 受控基线
- 一个封装/测试基地
- 一个制造基地
- 延长了产品生命周期
- 产品可追溯性
- 1.65V 至 5.5V 的电源电压范围
- 精密输入失调电压为 300µV
- 容错输入
- 100ns 典型传播延迟
- 每通道的低静态电流为 25µA
- 低输入偏置电流 5pA
- 开漏输出选项 (TLV4H290-SEP)
- 推挽输出选项 (TLV4H390-SEP)
- -55°C 到 125°C 的完整温度范围
- 2kV ESD 保护
TLV4H290-SEP 和 TLV4H390-SEP 均为四通道比较器，可提供低输入失调电压和出色的速度功率比组合，且传播延迟为 100ns。工作电压范围为 1.65V 至 5.5V，每个通道的静态电源电流为 25µA。
该器件系列包含容错输入，即使没有为比较器施加电源，也可以将电压施加到输入引脚，从而使其非常适合电源时序有挑战的应用。同样，这些比较器功能不会产生输出相位反转，容错输入电压可升至 6V 而不会损坏器件。
TLV4H290-SEP 比较器具有开漏输出级，可拉到低于或超过电源电压，使输出适合电平转换。TLV4H390-SEP 比较器具有推挽输出级，既能灌入电流，也能拉出电流。
TLV4H290-SEP 和 TLV4H390-SEP 采用塑料 14 引脚 SOT-23 封装，辐射耐受性高达 43MeV·cm2/mg。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | 采用增强型航天塑料的 TLV4H290-SEP 和 TLV4H390-SE 耐辐射高精度四通道比较器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2025-1-13 |
| * | 辐射与可靠性报告 | TLV4H390-SEP Radiation Tolerant High-Speed Comparator TID Report | 2025-10-20 | |||
| * | 辐射与可靠性报告 | TLV4H390-SEP Single-Event Effects (SEE) Radiation Report | 2025-7-31 | |||
| * | 辐射与可靠性报告 | TLV4Hx90-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2024-12-17 | ||
| 应用简报 | 采用德州仪器 (TI) 工具包进行模拟前端设计 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-2-22 |
设计与开发
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评估板
SURFACE-MOUNT-ADAPTER-EVM — 用于在不同放大器和比较器封装之间进行转换的评估模块
SURFACE-MOUNT-ADAPTER-EVM 让工程师无需旋转现有电路板，即可测试尺寸更小的新放大器和比较器封装。此评估模块 (EVM) 可将最常用的小型封装转换为常见的较大封装，例如 8 引脚、14 引脚和 16 引脚的 SOIC、TSSOP 和 VSSOP 封装。这让工程师能够验证器件是否能够实现其设计目标，然后再决定是否需要调整印刷电路板 (PCB) 布局，从而帮助工程师节省时间和精力。设计评估完成后，工程师可以使用此 EVM 作为参考，以实现支持更大和更小封装的双封装布局，也可以通过优化更小封装的布局来减小 PCB 尺寸。SURFACE-MOUNT-ADAPTER-EVM (...)
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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| SOT-23-THN (DYY) | 14 | Ultra Librarian |
订购和质量
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