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Number of channels 2 Output type Open-collector, Open-drain Propagation delay time (µs) 0.65 Vs (max) (V) 8 Vs (min) (V) 2 Rating Military Iq per channel (typ) (mA) 0.07 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Rail-to-rail In to V- Operating temperature range (°C) -55 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 20 VICR (max) (V) 7 VICR (min) (V) 0
Number of channels 2 Output type Open-collector, Open-drain Propagation delay time (µs) 0.65 Vs (max) (V) 8 Vs (min) (V) 2 Rating Military Iq per channel (typ) (mA) 0.07 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 5 Rail-to-rail In to V- Operating temperature range (°C) -55 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 20 VICR (max) (V) 7 VICR (min) (V) 0
CDIP (JG) 8 64.032 mm² 9.6 x 6.67
  • 宽电源电压范围:2V 至 8V
  • 宽电源电压范围:2.7V 至 8V(仅限 TLV2352IDR 和 TLV2352IPWR)
  • 已在 3V 和 5V 电压下完成全面特性测试
  • 超低电流损耗:3V 时典型值为 120µA
  • 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容
  • 快速响应时间:TTL 电平输入阶跃的典型值为 200ns
  • 高输入阻抗:典型值为 1012Ω
  • 极低输入偏置电流:5pA(典型值)
  • 共模输入电压范围包括接地
  • 内置 ESD 保护
  • 宽电源电压范围:2V 至 8V
  • 宽电源电压范围:2.7V 至 8V(仅限 TLV2352IDR 和 TLV2352IPWR)
  • 已在 3V 和 5V 电压下完成全面特性测试
  • 超低电流损耗:3V 时典型值为 120µA
  • 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容
  • 快速响应时间:TTL 电平输入阶跃的典型值为 200ns
  • 高输入阻抗:典型值为 1012Ω
  • 极低输入偏置电流:5pA(典型值)
  • 共模输入电压范围包括接地
  • 内置 ESD 保护

TLV2352 包含两个独立的低功耗比较器,专为单电源 应用而设计,可在低至 2V 的电源轨下运行(仅限 2.7V TLV2352IDR 和 TLV2352IPWR)。由 3V 电源供 电时,典型的电源电流仅为 120µA。

TLV2352 采用德州仪器 (TI) CMOS 技术设计,因此具 有超高的输入阻抗(通常大于 1012Ω),可直接连接 高阻抗源。输出采用 N 沟道开漏配置,需要外接上拉 电阻器以提供正向输出电压摆幅,并且可以进行连接以 实现正逻辑线 AND 关系。TLV2352I 在 3V 和 5V 电压 下完成全面特性测试,工作温度范围为 -40°C 至 85°C。TLV2352M 在 3V 和 5V 电压下完成全面特性测 试,工作温度范围为 -55°C 至 125°C。

TLV2352 具有内部静电放电 (ESD) 保护电路,并根据 人体放电模型测试获评 1000V ESD 等级。不过,在处 理该器件时必须小心,因为接触 ESD 会导致器件参数 性能下降。

TLV2352 包含两个独立的低功耗比较器,专为单电源 应用而设计,可在低至 2V 的电源轨下运行(仅限 2.7V TLV2352IDR 和 TLV2352IPWR)。由 3V 电源供 电时,典型的电源电流仅为 120µA。

TLV2352 采用德州仪器 (TI) CMOS 技术设计,因此具 有超高的输入阻抗(通常大于 1012Ω),可直接连接 高阻抗源。输出采用 N 沟道开漏配置,需要外接上拉 电阻器以提供正向输出电压摆幅,并且可以进行连接以 实现正逻辑线 AND 关系。TLV2352I 在 3V 和 5V 电压 下完成全面特性测试,工作温度范围为 -40°C 至 85°C。TLV2352M 在 3V 和 5V 电压下完成全面特性测 试,工作温度范围为 -55°C 至 125°C。

TLV2352 具有内部静电放电 (ESD) 保护电路,并根据 人体放电模型测试获评 1000V ESD 等级。不过,在处 理该器件时必须小心,因为接触 ESD 会导致器件参数 性能下降。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TLV2352 双通道低电压差分比较器 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 7月 22日

订购和质量

包含信息:
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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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