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Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 CON (typ) (pF) 4 ON-state leakage current (max) (µA) 20 Bandwidth (MHz) 100 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Signal path translation Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 5 CON (typ) (pF) 4 ON-state leakage current (max) (µA) 20 Bandwidth (MHz) 100 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Powered-off protection, Signal path translation Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (max) (V) 3.6
TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 14 23.04 mm² 3.6 x 6.4 VQFN (RGY) 14 12.25 mm² 3.5 x 3.5
  • 输出电压转换跟踪 VCC
  • 所有数据 I/O 端口均支持混合模式信号运行
    • 5V 输入降至 3.3V 输出电平位移,VCC 为 3.3V
    • 5V/3.3V 输入降至 2.5V 输出电平位移,VCC 为 2.5V
  • 支持器件加电与断电的 5V 耐压 I/O
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通状态电阻 (ron) 特性
    (ron = 5Ω 典型)
  • 低输入/输出电容可减小负载
    (Cio(OFF) = 4.5pF 典型)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC = 20µA 最大值)
  • 2.3V 至 3.6V 的 VCC 工作电压范围
  • 数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 250mA,符合 JESD 17 规范
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD 22 规范
    • 2000V 人体放电模式
      (A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 输出电压转换跟踪 VCC
  • 所有数据 I/O 端口均支持混合模式信号运行
    • 5V 输入降至 3.3V 输出电平位移,VCC 为 3.3V
    • 5V/3.3V 输入降至 2.5V 输出电平位移,VCC 为 2.5V
  • 支持器件加电与断电的 5V 耐压 I/O
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通状态电阻 (ron) 特性
    (ron = 5Ω 典型)
  • 低输入/输出电容可减小负载
    (Cio(OFF) = 4.5pF 典型)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC = 20µA 最大值)
  • 2.3V 至 3.6V 的 VCC 工作电压范围
  • 数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 250mA,符合 JESD 17 规范
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD 22 规范
    • 2000V 人体放电模式
      (A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)

SN74CB3T3125 是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 总线开关,可实现最短传播延迟。该器件提供可跟踪 VCC 的电压转换,能够在所有数据 I/O 端口上全面支持混合模式信号运行。SN74CB3T3125 支持使用 5V TTL,3.3V LVTTL,2.5V CMOS 转换标准以及用户定义转换水平的系统(参阅典型直流电压转换特性)。

SN74CB3T3125 被划分为四个 1 位总线开关,各自具备输出使能(1OE、2OE、3OE、4OE)输入。可以作为四个 1 位总线开关或者一个 4 位总线开关。OE 为低时,相关 1 位总线开关打开,A 端口连接至 B 端口,可在两个端口之间实现双向数据流。OE 为高时,相关 1 位总线开关关闭,A、B 端口存在高阻抗状态。

该器件完全 适用于 使用 Ioff 的局部断电应用。Ioff 特性确保在关断时防止损坏电流通过器件回流。该器件可在关断时提供隔离。

为了确保加电或断电期间的高阻抗状态,OE 应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC;该电阻器的最小值由驱动器的电流吸入能力来决定。

SN74CB3T3125 是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 总线开关,可实现最短传播延迟。该器件提供可跟踪 VCC 的电压转换,能够在所有数据 I/O 端口上全面支持混合模式信号运行。SN74CB3T3125 支持使用 5V TTL,3.3V LVTTL,2.5V CMOS 转换标准以及用户定义转换水平的系统(参阅典型直流电压转换特性)。

SN74CB3T3125 被划分为四个 1 位总线开关,各自具备输出使能(1OE、2OE、3OE、4OE)输入。可以作为四个 1 位总线开关或者一个 4 位总线开关。OE 为低时,相关 1 位总线开关打开,A 端口连接至 B 端口,可在两个端口之间实现双向数据流。OE 为高时,相关 1 位总线开关关闭,A、B 端口存在高阻抗状态。

该器件完全 适用于 使用 Ioff 的局部断电应用。Ioff 特性确保在关断时防止损坏电流通过器件回流。该器件可在关断时提供隔离。

为了确保加电或断电期间的高阻抗状态,OE 应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC;该电阻器的最小值由驱动器的电流吸入能力来决定。

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* 数据表 SN74CB3T3125 四通道 FET 总线开关 2.5V、3.3V 低压总线开关,带可耐受 5V 电压的电平转换器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2019年 1月 16日
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选择指南 逻辑器件指南 2014 (Rev. AA) 最新英语版本 (Rev.AB) 2014年 11月 17日
用户指南 LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
应用手册 选择正确的电平转换解决方案 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2006年 3月 23日
更多文献资料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
应用手册 Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
用户指南 Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
应用手册 Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 用于快速测试 TI 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装的表面贴装转 DIP 接头适配器

EVM-LEADED1 板可对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。该评估板具有足够的空间,可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

SN74CB3T3125 IBIS Model

SCDM024.ZIP (26 KB) - IBIS Model
封装 引脚 下载
TSSOP (PW) 14 查看选项
TVSOP (DGV) 14 查看选项
VQFN (RGY) 14 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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