封装信息
| 封装 | 引脚 SOT-23 (DBV) | 5 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 85 |
| 包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
SN65LVDT2 的特性
- 符合或超出 ANSI TIA/EIA-644 标准
- 专为信号传输速率而设计(1)：
- 高达 630Mbps（驱动器）
- 高达 400Mbps（接收器）
- 由 2.4V 至 3.6V 电源供电
- 采用 SOT-23 和 SOIC 封装
- 总线终端 ESD 保护等级超过 9kV
- 低电压差分信号，可向一个 100Ω 负载提供 350mV 的典型输出电压
- 传播延迟时间
- 典型值为 1.7ns（驱动器）
- 典型值为 2.5ns（接收器）
- 200MHz 频率下的功耗
- 典型值为 25mW（驱动器）
- 典型值为 60mW（接收器）
- LVDT 接收器包含线路端接
- 低压 TTL (LVTTL) 电平驱动器输入可耐受 5V 电压
- 驱动器为输出高阻抗且 VCC < 1.5V
- 接收器输出和输入都为高阻抗且 VCC < 1.5V
- 接收器开路失效防护
- 差分输入电压阈值小于 100mV
(1)线路的信号传输速率是每秒进行电压转换的次数，以单位 bps（每秒位数）来表示
SN65LVDT2 的说明
SN65LVDS1、SN65LVDS2 和 SN65LVDT2 器件均为采用小外形晶体管封装的单通道、低电压、差分线路驱动器和接收器。它们的输出符合 TIA/EIA-644 标准，并且在信号传输速率高达 630Mbps（对于驱动器）和 400Mbps（对于接收器）的条件下为 100Ω 负载提供 247mV 的最小差分输出电压幅度。
当在点对点连接中将 SN65LVDS1 器件与 LVDS 接收器（例如 SN65LVDT2）配合使用时，数据或时钟信号能够以极高的速率通过印刷电路板布线或电缆传输，同时具有极低的电磁辐射和功耗。由于其封装、低功耗、低 EMI、高 ESD 容差和宽电源电压范围等特性，因此该器件非常适合电池供电型应用。
SN65LVDS1、SN65LVDS2 和 SN65LVDT2 器件的额定工作温度范围是 –40°C 至 85°C。