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LM239A-EP

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增强型产品，四路差分比较器

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产品详情

Number of channels 4 Output type Open-collector, Open-drain Propagation delay time (µs) 1.3 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 2 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 2.5 Iq per channel (typ) (mA) 0.2 Input bias current (±) (max) (nA) 50 Rail-to-rail In to V- Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -55 to 125 VICR (max) (V) 34.5 VICR (min) (V) 0
Number of channels 4 Output type Open-collector, Open-drain Propagation delay time (µs) 1.3 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 2 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 2.5 Iq per channel (typ) (mA) 0.2 Input bias current (±) (max) (nA) 50 Rail-to-rail In to V- Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -55 to 125 VICR (max) (V) 34.5 VICR (min) (V) 0
SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4
  • Wide Supply Ranges
    • Single Supply: 2 V to 36 V
      (Tested to 30 V for Non-V Devices and
      32 V for V-Suffix Devices)
    • Dual Supplies: ±1 V to ±18 V
      (Tested to ±15 V for Non-V Devices and
      ±16 V for V-Suffix Devices)
  • Low Supply-Current Drain Independent of Supply Voltage: 0.8 mA (Typ)
  • Low Input Bias Current: 25 nA (Typ)
  • Low Input Offset Current: 5 nA (Typ)
  • Low Input Offset Voltage: 2 mV (Typ)
  • Common-Mode Input Voltage Range Includes Ground
  • Differential Input Voltage Range Equal to Maximum-Rated Supply Voltage: ±36 V
  • Low Output Saturation Voltage
  • Output Compatible With TTL, MOS, and CMOS
  • APPLICATIONS
    • Controlled Baseline
    • One Assembly/Test Site
    • One Fabrication Site
    • Available in Military (–55°C/125°C) Temperature Range(1)
    • Extended Product Life Cycle
    • Extended Product-Change Notification
    • Product Traceability

(1) Custom temperature ranges available
  • Wide Supply Ranges
    • Single Supply: 2 V to 36 V
      (Tested to 30 V for Non-V Devices and
      32 V for V-Suffix Devices)
    • Dual Supplies: ±1 V to ±18 V
      (Tested to ±15 V for Non-V Devices and
      ±16 V for V-Suffix Devices)
  • Low Supply-Current Drain Independent of Supply Voltage: 0.8 mA (Typ)
  • Low Input Bias Current: 25 nA (Typ)
  • Low Input Offset Current: 5 nA (Typ)
  • Low Input Offset Voltage: 2 mV (Typ)
  • Common-Mode Input Voltage Range Includes Ground
  • Differential Input Voltage Range Equal to Maximum-Rated Supply Voltage: ±36 V
  • Low Output Saturation Voltage
  • Output Compatible With TTL, MOS, and CMOS
  • APPLICATIONS
    • Controlled Baseline
    • One Assembly/Test Site
    • One Fabrication Site
    • Available in Military (–55°C/125°C) Temperature Range(1)
    • Extended Product Life Cycle
    • Extended Product-Change Notification
    • Product Traceability

(1) Custom temperature ranges available

These devices consist of four independent voltage comparators that are designed to operate from a single power supply over a wide range of voltages. Operation from dual supplies also is possible, as long as the difference between the two supplies is 2 V to 36 V, and VCC is at least 1.5 V more positive than the input common-mode voltage. Current drain is independent of the supply voltage. The outputs can be connected to other open-collector outputs to achieve wired-AND relationships.

These devices consist of four independent voltage comparators that are designed to operate from a single power supply over a wide range of voltages. Operation from dual supplies also is possible, as long as the difference between the two supplies is 2 V to 36 V, and VCC is at least 1.5 V more positive than the input common-mode voltage. Current drain is independent of the supply voltage. The outputs can be connected to other open-collector outputs to achieve wired-AND relationships.
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LM239A-EP 数据表 (Rev. C) 2010年 7月 27日
* 辐射与可靠性报告 LM239A-EP quad differential comparator reliability report (Rev. B) 2020年 4月 20日
* VID LM239A-EP VID V6203672 2016年 6月 21日
电子书 The Signal e-book: 有关运算放大器设计主题的博客文章汇编 英语版 2018年 1月 31日

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TINA-TI 安装需要大约 500MB。直接安装，如果想卸载也很容易。我们相信您肯定会爱不释手。

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如需获取可用 TINA-TI 模型的完整列表，请参阅：SpiceRack - 完整列表 

需要 HSpice (...)

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  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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