产品详情

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 6 Forward/reverse channels 4 forward / 2 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.77 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.38 Creepage (min) (mm) 3.7, 8 Clearance (min) (mm) 3.7, 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 6 Forward/reverse channels 4 forward / 2 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.77 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.38 Creepage (min) (mm) 3.7, 8 Clearance (min) (mm) 3.7, 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 的环境温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 功能安全型
  • 100Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 预计寿命超过 30 年
    • 隔离等级高达 5000VRMS
    • 浪涌能力高达 12.8kV
    • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO776x) 和低电平 (ISO776xF) 选项
  • 低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.4mA
  • 低传播延迟:5V 时为 11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC):
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低辐射
  • 宽体 SOIC (DW-16) 和 SSOP (DBQ-16) 封装选项
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划
    • 符合 IEC 62368-1 和 IEC 60601-1 标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1 标准的 CQC 认证
    • 符合 EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 的环境温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
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  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 预计寿命超过 30 年
    • 隔离等级高达 5000VRMS
    • 浪涌能力高达 12.8kV
    • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO776x) 和低电平 (ISO776xF) 选项
  • 低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.4mA
  • 低传播延迟:5V 时为 11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC):
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低辐射
  • 宽体 SOIC (DW-16) 和 SSOP (DBQ-16) 封装选项
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划
    • 符合 IEC 62368-1 和 IEC 60601-1 标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1 标准的 CQC 认证
    • 符合 EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证

ISO776x-Q1 器件是高性能六通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 封装)和 3000VRMS(DBQ 封装)隔离额定值。该系列器件还通过了 VDE、CSA、TUV 和 CQC 认证。

在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时,ISO776x-Q1 系列的器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅分开的逻辑输入和逻辑输出缓冲器。ISO776x-Q1 系列的器件采用所有可能的引脚配置,因此所有六个通道都可以处于同一方向,或者一个、两个或三个通道处于反向,而其余通道处于正向。如果输入电源或信号丢失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参阅器件功能模式 部分。

该系列器件与隔离式电源结合使用,有助于防止数据总线(例如,CAN 和 LIN)或者其他电路上的噪声电流进入本地接地以及干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布局技术,ISO776x-Q1 系列器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO776x-Q1 系列器件可采用 16 引脚 SOIC 和 SSOP 封装。

ISO776x-Q1 器件是高性能六通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 封装)和 3000VRMS(DBQ 封装)隔离额定值。该系列器件还通过了 VDE、CSA、TUV 和 CQC 认证。

在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时,ISO776x-Q1 系列的器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅分开的逻辑输入和逻辑输出缓冲器。ISO776x-Q1 系列的器件采用所有可能的引脚配置,因此所有六个通道都可以处于同一方向,或者一个、两个或三个通道处于反向,而其余通道处于正向。如果输入电源或信号丢失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参阅器件功能模式 部分。

该系列器件与隔离式电源结合使用,有助于防止数据总线(例如,CAN 和 LIN)或者其他电路上的噪声电流进入本地接地以及干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布局技术,ISO776x-Q1 系列器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO776x-Q1 系列器件可采用 16 引脚 SOIC 和 SSOP 封装。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

ISO7762DBQEVM — EMC 性能优异的 ISO7762DBQ 高速六通道数字隔离器评估模块

ISO7762DBQEVM 是一款用于评估采用 16 引脚 SSOP 封装(封装代码 - DBQ)的高性能增强型六通道数字隔离器 ISO7762 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

ISO7762DWEVM — 具有优异 EMC 性能的 ISO7762DW 高速六通道数字隔离器评估模块

ISO7762DWEVM 是一款用于评估采用 16 引脚宽体 SOIC 封装(封装代码 - DW)的高性能增强型六通道数字隔离器 ISO7762 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

ISO7762 IBIS Model (Rev. A)

SLLM386A.ZIP (52 KB) - IBIS Model
仿真模型

ISO7762 PSpice Transient Model

SLLM476.ZIP (337 KB) - PSpice Model
参考设计

TIDA-020030 — 具有热敏二极管和感应 FET 的 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器参考设计

此参考设计是一款具有高级保护功能、驱动 IGBT 模块的 IGBT 或 SiC 隔离式栅极驱动器功率级。该设计包含牵引逆变器的单相功率级,可提供高级安全功能。IGBT 模块具有用于温度监测的集成式热敏二极管和用于过流保护的感应 FET,可快速提供精确保护。它包含偏置电源及其输出电压监控、冗余电路上的隔离式直流总线感应、高低侧驱动器温度感应、PWM 栅极信号监控和故障信号注入诊断。该电源可接受 4.5V 至 65V 直流的宽输入范围,可提供高达 180mA 的输出电流。该隔离式栅极驱动器具有高达 ±10A 的驱动强度,还包含一个用于温度和电压感应的模拟至 PWM 转换器。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

视频