产品详细信息

Integrated isolated power No Number of channels (#) 2 Forward/reverse channels 1/1 Isolation rating (Vrms) 5000, 3000 Data rate (Max) (Mbps) 100 Rating Catalog Surge voltage capability (Vpk) 12800, 8000, 7800 Current consumption per channel (DC) (Typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (Typ) (mA) 1.6 Operating temperature range (C) -55 to 125 Default output High, Low Supply voltage (Max) (V) 5.5 Supply voltage (Min) (V) 2.25 Propagation delay (Typ) (ns) 10.7
Integrated isolated power No Number of channels (#) 2 Forward/reverse channels 1/1 Isolation rating (Vrms) 5000, 3000 Data rate (Max) (Mbps) 100 Rating Catalog Surge voltage capability (Vpk) 12800, 8000, 7800 Current consumption per channel (DC) (Typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (Typ) (mA) 1.6 Operating temperature range (C) -55 to 125 Default output High, Low Supply voltage (Max) (V) 5.5 Supply voltage (Min) (V) 2.25 Propagation delay (Typ) (ns) 10.7
SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5 SOIC (DWV) 8 67 mm² 5.85 x 11.5
  • 信号传输速率:高达 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平低电平 选项
  • 宽温度范围:–55°C 至 +125°C
  • 低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:典型值为 11ns
    (由 5V 电源供电)
  • 高 CMTI:±100kV/µs(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • 宽体 SOIC(DW-16 和 DWV-8)和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 VDE 增强型绝缘
    • 符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 和 DWV)和 3000VRMS (D) 隔离额定值
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
    • 符合 EN 60950-1 和 EN 61010-1 的 TUV 认证
    • DWV 封装认证已提上日程,所有其他认证均已完成
  • 信号传输速率:高达 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平低电平 选项
  • 宽温度范围:–55°C 至 +125°C
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  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • 宽体 SOIC(DW-16 和 DWV-8)和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
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    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 VDE 增强型绝缘
    • 符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 和 DWV)和 3000VRMS (D) 隔离额定值
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
    • 符合 EN 60950-1 和 EN 61010-1 的 TUV 认证
    • DWV 封装认证已提上日程,所有其他认证均已完成

ISO772x 器件是一款高性能双通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 标准的 5000VRMS(DW 和 DWV 封装)和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值。这些器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO772x 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器。ISO7720 器件具有两条同向通道,而 ISO7721 器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见 器件功能模式 部分。

与隔离式电源一起使用时,这些器件有助于防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地并且干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO772x 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO772x 系列器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW)、8 引脚 SOIC 宽体 (DWV) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

ISO772x 器件是一款高性能双通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 标准的 5000VRMS(DW 和 DWV 封装)和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值。这些器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO772x 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每个隔离通道都有一个由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器。ISO7720 器件具有两条同向通道,而 ISO7721 器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见 器件功能模式 部分。

与隔离式电源一起使用时,这些器件有助于防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地并且干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO772x 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO772x 系列器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW)、8 引脚 SOIC 宽体 (DWV) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

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设计与开发

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评估板

DIGI-ISO-EVM — Universal digital isolator evaluation module

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块,用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚 NB SOIC (D)、8 引脚 WB SOIC (DWV)、16 引脚 WB SOIC (DW)、16 引脚 Ultra WB SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

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ISO7721DEVM 是一款用于评估采用 8 引脚窄体 SOIC 封装(封装代码 - D)的高性能增强型双通道数字隔离器 ISO7721 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
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ISO7721DWVEVM — EMC 性能优异的 DWV 封装 ISO7721 高速双通道数字隔离器评估模块

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ISO7741EVM — EMC 性能优异的 ISO7741 高速四通道数字隔离器评估模块

ISO7741EVM 是一款用于评估采用宽体 SOIC 封装(封装代码 - DW)的高性能增强型四通道数字隔离器 ISO7741 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
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仿真模型

ISO7721 IBIS Model (Rev. B)

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ISO7721 PSpice Transient Model

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TIDA-010065 — TIDA-010065

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该参考设计概述了单相双有源电桥 (DAB) 直流/直流转换器的实现。DAB 拓扑具有软开关换向、减少器件数量和高效等优势。该设计在功率密度、成本、重量、电隔离、高电压转换比和可靠性等关键要素方面大有裨益,是电动汽车充电站和能量存储应用的理想之选。DAB 中的模块化和对称结构能堆叠多个转换器,实现高功率吞吐量和双向运行模式,从而支持电池充电和放电应用。
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TIDA-010210 — 6.6kW 三相三级 ANPC 逆变器/PFC 双向功率级参考设计

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该参考设计是一个三相逆变器,其在环境温度为 50°C 时连续额定功率为 1.25kW,在 85°C 时为 550W,用于驱动 200V 交流伺服电机。其具有 600V LMG3411R150 氮化镓 (GaN) 功率模块,并将一个集成 FET 和栅极驱动器安装在 1.95mm 绝缘金属基板 (IMS) 上,以获得高效热耗散。隔离和控制电路安装在单独的 FR-4 板上 - 该设计的尺寸是 80mm × 46mm × 37mm,包括散热器、控制电路、隔离电路和功率级。该超小外形尺寸具有自然对流无风扇冷却能力,能轻松将驱动器与电机集成,最多可将包含机器人、CNC 机器等的 6 轴电机应用所需的机柜空间降低 50%,电缆长度降低 90m。
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封装 引脚 下载
SOIC (D) 8 了解详情
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SOIC (DWV) 8 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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