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ISO7721

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EMC 性能优异的双通道、1/1、增强型数字隔离器

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Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (MBps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 7800, 8000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.6 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (MBps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 7800, 8000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.6 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWV) 8 67.275 mm² 5.85 x 11.5
  • 100Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1.5 kV RMS 工作电压下预计寿命超过 100 年
    • 隔离等级高达 5000V RMS
    • 浪涌能力高达 12.8kV
    • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出 高电平 (ISO772x) 和 低电平 (ISO772xF) 选项
  • 宽温度范围：–55°C 至 +125°C
  • 低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟：11ns（典型值）
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低干扰 (EMI)
  • 宽体 SOIC（DW-16 、DWV-8）和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
  • 提供汽车版本： ISO772x-Q1
  • 安全相关认证
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证
  • 100Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅：
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  • 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出 高电平 (ISO772x) 和 低电平 (ISO772xF) 选项
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  • 低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
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  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
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    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低干扰 (EMI)
  • 宽体 SOIC（DW-16 、DWV-8）和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
  • 提供汽车版本： ISO772x-Q1
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    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证

ISO772x 器件是一款高性能双通道数字隔离器，可提供符合 UL 1577 标准的 5000V RMS（DW 和 DWV ）和 3000V RMS（D 封装）隔离额定值。该系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强绝缘等级。 ISO7721B 器件专为仅需要基础型绝缘等级的应用而设计。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时， ISO772x 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO 2) 绝缘栅相隔离。 ISO7720 器件具有两条同向通道，而 ISO7721 器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出 高电平，带后缀 F 的器件默认输出 低电平。有关更多详细信息，请参阅 器件功能模式 部分。

这些器件与隔离式电源结合使用，有助于防止 RS-485、RS-232、CAN 等数据总线损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术， ISO772x 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。 ISO772x 系列器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 、8 引脚 SOIC 宽体 (DWV) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

ISO772x 器件是一款高性能双通道数字隔离器，可提供符合 UL 1577 标准的 5000V RMS（DW 和 DWV ）和 3000V RMS（D 封装）隔离额定值。该系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强绝缘等级。 ISO7721B 器件专为仅需要基础型绝缘等级的应用而设计。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时， ISO772x 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO 2) 绝缘栅相隔离。 ISO7720 器件具有两条同向通道，而 ISO7721 器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出 高电平，带后缀 F 的器件默认输出 低电平。有关更多详细信息，请参阅 器件功能模式 部分。

这些器件与隔离式电源结合使用，有助于防止 RS-485、RS-232、CAN 等数据总线损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术， ISO772x 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。 ISO772x 系列器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 、8 引脚 SOIC 宽体 (DWV) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。
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设计和开发

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评估板

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LP-AM263 — AM263x 基于 Arm® 的 MCU 通用 LaunchPad™ 开发套件

LP-AM263 是一款适用于 AM263x 系列 Sitara™ 高性能微控制器 (MCU) 的成本优化型开发板。该板提供易于使用的标准化平台来开发下一个应用，非常适用于初始评估和原型设计。

LP-AM263 配备 Sitara AM2634 处理器以及其他元件，使用户可以利用各种器件接口，包括工业以太网 (IE)、标准以太网、快速串行接口 (FSI) 等，从而轻松创建原型。AM2634 支持各种 IE 协议，例如 EtherCAT、EtherNet/IP 和 PROFINET®。

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