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INA1H182-SEP

正在供货

耐辐射、低失调电压、7nV/√Hz 噪声、低功耗仪表放大器

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数据表

INA1H182-SEP

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产品详情

Number of channels

1

Vs (max) (V)

18

Vs (min) (V)

4.5

Input offset (±) (max) (µV)

55

Voltage gain (min) (V/V)

1

Voltage gain (max) (V/V)

10000

Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz)

7

Features

Overvoltage protection, Small Size, Super-beta

CMRR (min) (dB)

136

Input offset drift (±) (max) (µV/°C)

0.4

Input bias current (±) (max) (nA)

0.5

Iq (typ) (mA)

0.6

Bandwidth at min gain (typ) (MHz)

4.7

Gain error (±) (max) (%)

0.15

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

Rating

Space

Type

Resistor

Gain nonlinearity (±) (max) (%)

0.0015

Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)

0.15

Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)

-0.15

Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)

2

Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)

-2

Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP)

0.14

Number of channels

1

Vs (max) (V)

18

Vs (min) (V)

4.5

Input offset (±) (max) (µV)

55

Voltage gain (min) (V/V)

1

Voltage gain (max) (V/V)

10000

Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz)

7

Features

Overvoltage protection, Small Size, Super-beta

CMRR (min) (dB)

136

Input offset drift (±) (max) (µV/°C)

0.4

Input bias current (±) (max) (nA)

0.5

Iq (typ) (mA)

0.6

Bandwidth at min gain (typ) (MHz)

4.7

Gain error (±) (max) (%)

0.15

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

Rating

Space

Type

Resistor

Gain nonlinearity (±) (max) (%)

0.0015

Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)

0.15

Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)

-0.15

Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)

2

Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)

-2

Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP)

0.14

VSSOP (DGK)

8

14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm)

抗辐射
- 每个晶圆的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 30krad(Si)
- 在高达 TID = 30krad(Si) 的条件下无 ELDRS
- 单粒子闩锁 (SEL) 抗扰度高达 43MeV×cm2/mg
- 单粒子瞬变 (SEE) 额定值为 43MeV×cm2/mg
增强型航天塑料
- 支持国防与航空航天应用
- 受控基线
- 一个封装测试厂
- 一个制造厂
- 延长了产品生命周期
- 产品可追溯性
- 根据 ASTM E595 进行了释气测试
- Au 键合线和 NiPdAu 铅涂层
低失调电压：10µV（典型值）
输入级电压噪声：7nV/√Hz
带宽：在 G = 1 时为 2MHz，在 G = 100 时为 190kHz
输入保护高达 ±40V
共模抑制：110dB，G = 10（最小值）
电源抑制：110dB，G = 1（最小值）
电源电流：650µA（最大值）
电源电压范围：
- 单电源：4.5V 至 18V
- 双电源：±2.25V 至 ±9V
封装：8 引脚 VSSOP

抗辐射
- 每个晶圆的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 30krad(Si)
- 在高达 TID = 30krad(Si) 的条件下无 ELDRS
- 单粒子闩锁 (SEL) 抗扰度高达 43MeV×cm2/mg
- 单粒子瞬变 (SEE) 额定值为 43MeV×cm2/mg
增强型航天塑料
- 支持国防与航空航天应用
- 受控基线
- 一个封装测试厂
- 一个制造厂
- 延长了产品生命周期
- 产品可追溯性
- 根据 ASTM E595 进行了释气测试
- Au 键合线和 NiPdAu 铅涂层
低失调电压：10µV（典型值）
输入级电压噪声：7nV/√Hz
带宽：在 G = 1 时为 2MHz，在 G = 100 时为 190kHz
输入保护高达 ±40V
共模抑制：110dB，G = 10（最小值）
电源抑制：110dB，G = 1（最小值）
电源电流：650µA（最大值）
电源电压范围：
- 单电源：4.5V 至 18V
- 双电源：±2.25V 至 ±9V
封装：8 引脚 VSSOP

INA1H182-SEP 是一款耐辐射、高精度仪表放大器，可提供低功耗且可在较宽的单电源或双电源电压范围内工作。可通过单个外部电阻器在 1 到 10,000 范围内设置任意增益。该器件采用超 β 型输入晶体管，因此具有高精度，可提供低输入偏置电压、偏置电压漂移、输入偏置电流和输入电压和电流噪声。附加电路可保护输入端免受高达 ±40V 过压的影响。

INA1H182-SEP 经过优化，可提供高共模抑制比。当增益 (G) = 1 时，整个输入共模范围内的共模抑制比超过 90dB。根据设计，此器件在低电压下运行，由 4.5V 单电源和高达 ±9V 的双电源供电。

INA1H182-SEP 采用 8 引脚 VSSOP 封装。

INA1H182-SEP 是一款耐辐射、高精度仪表放大器，可提供低功耗且可在较宽的单电源或双电源电压范围内工作。可通过单个外部电阻器在 1 到 10,000 范围内设置任意增益。该器件采用超 β 型输入晶体管，因此具有高精度，可提供低输入偏置电压、偏置电压漂移、输入偏置电流和输入电压和电流噪声。附加电路可保护输入端免受高达 ±40V 过压的影响。

INA1H182-SEP 经过优化，可提供高共模抑制比。当增益 (G) = 1 时，整个输入共模范围内的共模抑制比超过 90dB。根据设计，此器件在低电压下运行，由 4.5V 单电源和高达 ±9V 的双电源供电。

INA1H182-SEP 采用 8 引脚 VSSOP 封装。

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*	数据表	INA1H182-SEP 低偏置、7nV/√Hz 噪声、低功耗、抗辐射、高精度仪表放大器，采用航天级增强型塑料封装	PDF \| HTML	PDF \| HTML	2021-3-8
*	辐射与可靠性报告	INA1H182-SEP Radiation-Tolerant, Low offset, Low Noise, Precision Instrumentation Amplifier TID Report			2026-3-18
*	辐射与可靠性报告	INA1H182-SEP Single-Event Effects (SEE) Radiation Report	PDF \| HTML		2026-3-18
*	辐射与可靠性报告	INA1H182-SEP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization			2026-3-18
*	辐射与可靠性报告	INA1H182-SEP Production Flow and Reliability Report	PDF \| HTML		2026-2-25
	选择指南	TI Space Products (Rev. L)			2026-3-27