产品详细信息

Number of channels (#) 1 IO capacitance (Typ) (pF) 1.8 Vrwm (V) 3.6 IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) 30 Features Bi-/uni-directional Uni-Directional IO leakage current (Max) (nA) 10 Rating Catalog Operating temperature range (C) -40 to 125 Dynamic resistance (Typ) (Ω) 0.1 Clamping voltage (V) 6.5
Number of channels (#) 1 IO capacitance (Typ) (pF) 1.8 Vrwm (V) 3.6 IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) 30 Features Bi-/uni-directional Uni-Directional IO leakage current (Max) (nA) 10 Rating Catalog Operating temperature range (C) -40 to 125 Dynamic resistance (Typ) (Ω) 0.1 Clamping voltage (V) 6.5
X1SON (DPY) 2 1 mm² .6 x 1
  • IEC 61000-4-2 4 级静电放电 (ESD) 保护
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 气隙放电
  • IEC 61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 6A (8µs/20µs)
  • IO 电容:1.8pF(典型值)
  • 直流击穿电压:4.5V(最小值)
  • 低泄漏电流 0.1nA(典型值)
  • 极低 ESD 钳位电压
    • 在 16A TLP 下为 6.5V(I/O 引脚至 GND)
    • RDYN:0.1Ω(I/O 引脚至 GND)
  • 工业温度范围:-40°C 至 +125°C
  • 行业标准的 0402 封装 (DFN1006P2)
  • IEC 61000-4-2 4 级静电放电 (ESD) 保护
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 气隙放电
  • IEC 61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 6A (8µs/20µs)
  • IO 电容:1.8pF(典型值)
  • 直流击穿电压:4.5V(最小值)
  • 低泄漏电流 0.1nA(典型值)
  • 极低 ESD 钳位电压
    • 在 16A TLP 下为 6.5V(I/O 引脚至 GND)
    • RDYN:0.1Ω(I/O 引脚至 GND)
  • 工业温度范围:-40°C 至 +125°C
  • 行业标准的 0402 封装 (DFN1006P2)

ESD351 是一种单向 TVS ESD 保护二极管,具有低动态电阻 RDYN 和低钳位电压。ESD351 的额定 ESD 冲击消散值高达 30kV(接触放电和空气放电),级别符合 IEC 61000-4-2 标准。超低动态电阻 (0.1Ω) 和极低钳位电压(16A TLP 时为 6.5V)可针对瞬变事件提供系统级保护。该器件的电容为 1.8pF(典型值),因此非常适用于保护 USB 2.0 等接口。

ESD351 采用符合行业标准的 0402 (DPY/DFN1006P2) 封装。

ESD351 是一种单向 TVS ESD 保护二极管,具有低动态电阻 RDYN 和低钳位电压。ESD351 的额定 ESD 冲击消散值高达 30kV(接触放电和空气放电),级别符合 IEC 61000-4-2 标准。超低动态电阻 (0.1Ω) 和极低钳位电压(16A TLP 时为 6.5V)可针对瞬变事件提供系统级保护。该器件的电容为 1.8pF(典型值),因此非常适用于保护 USB 2.0 等接口。

ESD351 采用符合行业标准的 0402 (DPY/DFN1006P2) 封装。

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 采用 0402 封装的低钳位电压 ESD351 单通道 30kV ESD 保护二极管 数据表 下载英文版本 2018年 7月 30日
应用手册 ESD 包装和布局指南 下载英文版本 2021年 5月 26日
白皮书 Demystifying surge protection 2018年 11月 6日

设计与开发

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