封装信息
封装 | 引脚 WQFN (RTJ) | 20 |
工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
包装数量 | 包装 250 | SMALL T&R |
DRV425 的特性
- 高精度、集成磁通门传感器:
- 偏移:±8µT(最大值)
- 偏移漂移:±5nT/°C(典型值)
- 增益误差: 0.04%(典型值)
- 增益漂移:±7ppm/°C(典型值)
- 线性度:±0.1%
- 噪声:1.5nT/√Hz(典型值)
- 传感器范围:±2mT(最大值)
- 范围和增益可通过外部电阻进行调节
- 可选带宽:47kHz 或 32kHz
- 精密基准:
- 精度:2%(最大值),漂移:50ppm/°C(最大值)
- 引脚可选电压:2.5V 或 1.65V
- 可选比例模式:VDD/2
- 诊断 特性: 超限和错误标志
- 电源电压范围:3.0V 至 5.5V
应用
- 线性位置感测
- 母线电流感测
- 走线电流感测
- 通用磁场传感器
- 过流检测
- 电机可靠性诊断
- 频率和电压逆变器
- 太阳能逆变器
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DRV425 的说明
DRV425 专为单轴磁场感测 需要快速切换频率的应用, 而设计,可实现电气隔离式高灵敏度精密直流和交流磁场测量。该器件可提供独特且专有的集成磁通门传感器 (IFG)。该传感器内置一个补偿线圈,支持 ±2mT 的高精度感测范围,测量带宽最高可达 47kHz。该传感器的低偏移、低漂移、低噪声特性与内部补偿线圈的精确增益、低增益漂移和极低非线性度相结合,可提供无与伦比的磁场测量精度。DRV425 输出与感测到的场强成正比的模拟信号。
DRV425 提供了一组完整 采用,包括内部差分放大器、片上精密基准以及诊断功能,能够最大限度地减少组件数量并削减系统级成本。
DRV425 采用带有 PowerPAD的耐热增强型、无磁性、超薄四方扁平无引线 (WQFN) 封装来实现优化散热,并且在 –40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。