封装信息
| 封装 | 引脚 VQFN (RGC) | 64 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 85 |
| 包装数量 | 包装 250 | SMALL T&R |
ADS4229 的特性
- 最大采样率：250MSPS
- 使用单个 1.8V 电源时的超低功耗：
- 250MSPS 时总体功耗为 545mW
- 高动态性能：
- 170MHz 时为 80.8dBc 无杂散动态范围 (SFDR)
- 170MHz 时信噪比 (SNR) 为 69.4dBFS
- 串扰：185MHz 时大于 90dB
- 针对
SNR 和 SFDR 折衷的可编程增益高达 6dB - DC 偏移校正
- 输出接口选项：
- 1.8V 并行 CMOS 接口
- 支持可编程摆幅的双数据速率 (DDR) 低压差分信令 (LVDS)：
- 标准摆幅：350mV
- 低摆幅：200mV
- 支持低输入时钟振幅
低至 200mVPP - 封装：9mm x 9mm，64 引脚四方扁平
无引线 (QFN) 封装
应用
- 无线通信基础设施
- 由软件定义的无线电
- 功率放大器线性化
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ADS4229 的说明
ADS4229 是 ADS42xx 双通道，12 位和 14 位模数转换器 (ADC) 超低功耗系列产品。 采用创新设计技术实现高动态性能，而同时功耗极低（采用一个 1.8 V 电源）。 该拓扑使 ADS4229 非常适合多载波、宽带宽通信应用。
ADS4229 具有可被用于在较低满量程输入范围内改进无杂散动态范围 (SFDR) 性能的增益选项。 这个器件还包括一个 dc 偏移校正环路，此环路可被用于消除 ADC 偏移。 双数据速率 (DDR) 低压差分信令 (LVDS) 和并行互补金属氧化物半导体 (CMOS) 数字输出接口采用一个紧凑型 QFN-64 PowerPAD 封装。
此器件包含内部基准，而删除了传统基准引脚和相关的去耦合电容器。 ADS4229 可在工业温度范围（-40°C 至 +85°C）内工作。