ZHDU029A November   2025  – December 2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   特性
  4.   应用
  5.   5
  6. 1评估模块概述
    1. 1.1 简介
    2. 1.2 套件内容
    3. 1.3 规格
    4. 1.4 器件信息
    5. 1.5 通用德州仪器 (TI) 高压评估模块 (TI HV EVM) 用户安全指南
  7. 2硬件
    1. 2.1 测试点
      1. 2.1.1 主要连接
        1. 2.1.1.1 将电源连接到 J3 连接器
        2. 2.1.1.2 PWM 输入
          1. 2.1.1.2.1 使用板载死区时间生成电路（单 PWM 输入）的 IIM 模式 – 默认模式
          2. 2.1.1.2.2 使用两个单独 PWM 输入（双 PWM 输入）的 IIM 模式
          3. 2.1.1.2.3 PWM 输入模式（单个 PWM 输入）
        3. 2.1.1.3 电阻控制
          1. 2.1.1.3.1 压摆率控制电阻器
          2. 2.1.1.3.2 死区时间控制电阻器
        4. 2.1.1.4 电源
    2. 2.2 上电程序
      1. 2.2.1 第 1 步：驱动器辅助电源
      2. 2.2.2 第 2 步：输入电源
      3. 2.2.3 第 3 步：测量 SW 电压
      4. 2.2.4 设置死区时间
    3. 2.3 断电过程
    4. 2.4 零电压检测 (ZVD) 报告
    5. 2.5 理想二极管模式
    6. 2.6 故障检测
    7. 2.7 组装指南
  8. 3实现结果
    1. 3.1 电气性能规格
      1. 3.1.1 评估设置
    2. 3.2 性能数据和结果
      1. 3.2.1 效率结果
  9. 4硬件设计文件
    1. 4.1 原理图
    2. 4.2 PCB 布局
    3. 4.3 物料清单 (BOM)
  10. 5其他信息
    1.     商标
  11. 6修订历史记录

1.4 器件信息

LMG210x 器件是一个 100V 半桥功率级系列，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET，它们采用半桥配置并由一个高频 GaN FET 驱动器驱动。GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG210x 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压调节技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全工作范围内。该器件支持两个 FET 的导通和关断压摆率控制、与 IO 数量受限的控制器配合使用的单 PWM 模式、短路保护 (SCP)、过热检测 (OTD) 以及尽可能缩短第三象限导通时间的零电压检测 (ZVD) 报告或理想二极管模式。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。