ZHDS020 December   2025 UCD91160

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 线性参数
    7. 5.7 POR 和 BOR
    8. 5.8 低频晶体/时钟
    9. 5.9 闪存特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 TI Sequencer Studio 软件
      2. 6.3.2 PMBUS 接口
      3. 6.3.3 PMBUS 安全性
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 黑盒首次故障记录
      2. 6.4.2 PMBUS 地址选择
      3. 6.4.3 欠压
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.8 低频晶体/时钟

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
低频晶体振荡器 (LFXT)
fLFXTLFXT 频率32768Hz
DCLFXTLFXT 占空比3070%
OALFXTLFXT 晶体振荡容差419kΩ
CL, eff集成的有效负载电容(1)1pF
tstart, LFXTLFXT 启动时间483640ms
(1) 该集成等效负载电容包括寄生接合和封装电容（每个引脚约为 2pF），计算公式为 CLFXIN×CLFXOUT/(CLFXIN+CLFXOUT)，其中 CLFXIN 和 CLFXOUT 分别是 LFXIN 和 LFXOUT 上的总电容。