ZHDA322 September   2026 TPS481HS04-Q1

 

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简介

基于 48V 的架构在汽车配电中的采用正以稳步而坚定的步伐逐步推进。48V 领域的优势在于能够实现更高水平的优化,即进一步降低功率损耗,并进一步减少材料用量(电缆、连接器和 PCB 面积)。然而,OEM 及其供应商在将负载从传统 12V 领域迁移时,也面临着新的挑战。

要使半导体器件满足这一目标,除了执行指定功能外,还必须具备有助于优化功耗和材料用量的特性。例如,配电开关不仅必须具备全面的电源管理功能,还应具备进一步降低功耗和材料用量的特性。这一构想在 TI 首款 48V 汽车智能电子保险丝 TPS481HS04-Q1 中成为现实。TPS481HS04-Q1 是一款开关,具备管理和降低功耗、减少材料用量的功能,最终有助于缓解 48V 迁移过程中的难点。

降低功耗

由于电压更高,且导通损耗会随负载电流增大而增加,因此成熟的 48V 架构在从 12V 迁移后能够降低功率损耗。利用 TPS481HS04-Q1 灵活的低功耗模式,还可进一步降低功耗。在该模式下,器件保持使能状态,并可在较低电流下继续供电,同时大幅降低静态电流消耗,静态电流消耗最多可降低两个数量级。

表 1 TPS481HS04-Q1 低功耗模式静态电流
规格 IQ (µA)
手动 VBB IQ 小型 FET 10
大型 FET 15
VDD IQ 小型 FET 10
大型 FET 15
自动 VBB IQ 15
VDD IQ 15
正常运行 VBB IQ 3300
VDD IQ 1650

这些数值基于量产前的芯片,可能与最终量产芯片有所不同

该器件提供两种变体:大型 FET 和小型 FET。这两种变体均具有可配置的退出电流,因此可以根据负载需求调节从低功耗模式到活动模式的转换。小型 FET 模式的退出电流较低,因此静态电流消耗更低,但可编程值范围也相应较小。大型 FET 模式的退出电流较高,因此范围更大,但静态电流消耗也更高。大型 FET 低功耗模式可配置为自动进入和退出,使器件能够在固定阈值下自主进入和退出 LPM。通过这两种变体,可以实现显著降低静态电流消耗的方案。表 1 显示了基于所用 FET 的典型静态电流消耗。

降低线束重量

与上一代 12V 电源网络相比,48V 电源网络自然可以采用更小线径的电缆。TI 的 48V 电子保险丝具有完整的 I2T 曲线,并提供多个调节参数,可对过流特性进行精确调整。该曲线表示一个可编程的能量阈值,代表熔断式保险丝的热限制。得益于集成式电流传感功能,该曲线能够更精确地与熔断式保险丝特性曲线或导线容差曲线匹配。使其与导线特性曲线匹配有助于减小导线规格。

 TPS481HS04-Q1 的可配置 I2T 曲线图 1 TPS481HS04-Q1 的可配置 I2T 曲线

如图 1 所示,可配置的 I2T 曲线由多个变量构成。该曲线包含四个区域:标称区域、累加 (I2T) 区域、延迟关断区域和立即关断区域。这些区域在 I2T 保护机制中分别发挥不同作用。可配置的标称限值是启动 I2T 累加的阈值。累加过程实际上是并行计算电流与时间的关系,以确定是否超过设定的 I2T 阈值。除此之外,还有一个延迟关断区域,在该区域中,可编程的延迟时间和阈值提供了另一种方式,用于定义对更快速、更强瞬态的容差。最后,立即关断区域支持配置快速触发限值,以提供瞬时保护。这些配置共同构成完整的功率曲线,在增加一层保护的同时,还能够进一步减轻 48V 系统的电缆重量。

一体化封装

如本文档前文所述,48V 的核心优势之一是减少材料用量,包括减少电缆和连接器的用量以及 PCB 面积。因此,半导体器件也必须遵循这一原则。尽管在 48V 领域中,单位 FET 面积所能提供的功率高于 12V 领域,但市场上一直没有集成式电子保险丝元件。早期的 48V 设计采用栅极驱动器和外部 FET 来驱动高功率负载。在这些情况下,元件层面的材料减少目标并未实现。采用 TPS481HS04-Q1 后,可以实现缩减 PCB 面积的优势。

 集成式设计有助于减小 PCB 面积图 2 集成式设计有助于减小 PCB 面积

如图 2 所示,并如表 2 中所列,集成式设计具有明显优势。对于低于 1kW 的电源轨,所需空间最多可缩减 80%。

表 2 面积比较
尺寸比较 (mm2)
特性 48V 栅极驱动器 TPS481HS04-Q1
控制器 25 集成式
分流器 50
FET 64
钳位 40
总计 170 32

浪涌管理方法

TPS481HS04-Q1 的功能集进一步发挥了 48V 的优势。同时,该器件也进一步拓展了配电开关的功能。以某种方式管理浪涌电流是电源开关的基本要求,而 TPS481HS04-Q1 还引入了多种额外的方法。这一功能对于配电至关重要,因为大多数 ECU 都具有输入大容量电容,需要以受控方式进行充电。使用 TPS481HS04-Q1 时,可以采用立即关断方法;如果器件在硬短路状态下启用,则当电流超过设定阈值后,FET 将被关断。如前所述,I2T 是一种更先进的基于能量和时间的方法;同样,一旦发生超限,FET 就会被关断。除上述两种方法外,还提供三种电容充电方案,可根据电缆、负载或系统要求进行选择。

 提供三种不同的电容充电模式图 3 提供三种不同的电容充电模式

每种模式都有不同的可配置参数和优势,具体如表 3 所示。第一种方法是线性电容充电模式,在该模式下,浪涌电流被钳位在设定值,以固定速率为负载充电。电流限值和充电持续时间均可配置。该模式开关噪声较低,适用于对 EMC 敏感的应用,并且易于配置。第二种模式基于 PWM。在该模式下,占空比、频率和持续时间均可配置。与线性模式相比,该模式具有更好的热管理性能,并提供更高程度的可配置性。最后一种模式是基于短路保护 (SCP) 的自动重试方案。在该方案中,器件会持续重试,并采用较低的电流限制;一旦超过该限制,器件将立即关断。持续时间和电流限制同样是可调参数。基于 SCP 的模式无需考虑线束电感,而线束电感会因电缆不同而有所变化。这些充电模式结合起来,可根据电缆、负载和系统要求提供很大的灵活性。

表 3 电容充电方法
电容充电方法
模式 可配置参数 优势
线性 1.浪涌电流限制
2.充电持续时间
易于配置,开关噪声低
PWM 1.充电持续时间
2.占空比
3.频率
热性能优异,可配置性高
SCP 1.浪涌电流限制
2.充电持续时间
热性能优异,可独立于线束电感进行设置

结语

为了从 48V 迁移中获得功耗和材料方面的收益,汽车制造商需要具备能够实现这一目标的工具。关于 48V 的讨论大多集中在配电领域,因此,实现 48V 相关功能的重任也很大程度上落在配电开关上。

如今,随着 TI 的 TPS481HS04-Q1 推向市场,实现这些目标所需的各项功能已集于一体。该器件配备高度可配置的 I2T 曲线,可实现保护并减小电缆规格;还具备低功耗模式,可进一步节省功耗;此外还提供多种电容充电方法,使其成为一款功能高度多样的配电器件。

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