ZHDA313 September 2026
图 3-6 中的热性能测量结果表明,在高功率工作条件下,DC/AC 逆变器级的 GaN 器件温升约为 50°C。测试在散热器预热至约 40°C、环境温度约 30°C 的条件下进行,代表了现实中的高温工作环境。
GaN 器件温度使用放置在 LMG366x 功率级引脚附近的 ISOTMP35 温度传感器进行测量。尽管工作在 100kHz 开关频率下,测得的温升仍得到了良好控制,突出了集成式 GaN 设计的低损耗特性,并减少了对激进热管理措施的需求。