ZHDA041A January   2026  – September 2026 AM62P , AM62P-Q1

 

  1.   1
  2.    AM62Px eMMC HS400 IBIS 模型仿真方法
  3.   商标
  4. 1概述
    1. 1.1 支持的电路板设计
    2. 1.2 通用电路板布局布线指南
    3. 1.3 PCB 层叠
    4. 1.4 旁路电容器
      1. 1.4.1 大容量旁路电容器
      2. 1.4.2 高速旁路电容器
    5. 1.5 速度补偿
  5. 2eMMC 电路板设计和布局布线指南
    1. 2.1 eMMC 简介
    2. 2.2 eMMC 信号端接
    3. 2.3 信号布线规范
    4. 2.4 电源设计
  6. 3eMMC 电路板设计仿真
    1. 3.1 电路板模型提取
    2. 3.2 电路板模型验证
    3. 3.3 电容器环路电感
    4. 3.4 交流阻抗
    5. 3.5 IBIS 模型仿真
      1. 3.5.1 仿真设置
      2. 3.5.2 仿真位模式
      3. 3.5.3 仿真最佳实践
      4. 3.5.4 仿真策略和示例
      5. 3.5.5 通过/未通过检查
  7. 4设计示例
    1. 4.1 堆叠
    2. 4.2 电源布线
    3. 4.3 信号路由
  8. 5总结
  9. 6参考资料
  10. 7修订历史记录

交流阻抗

下面是 SK-AM62P-LP (PROC164E2) 的 VDDS_MMC0 eMMC PHY IO 电源交流阻抗图,考虑了从 PMIC 电感器输出端到 VDDS_MMC0 SoC 引脚的电源和 GND 形状(具有过孔和去耦电容器)。未模拟 SoC 封装和芯片。

通过对完整系统进行建模,TI 已经证明 图 3-1 中绘制的交流阻抗曲线可充分控制电源噪声,从而在 HS400 数据速率(例如 400MHz)下符合 JESD84-B51 标准。

按照以下步骤检查交流阻抗:

  1. 提取 PCB 的 1.8V AM62Px VDDS_MMC0 eMMC PHY IO 电源(含去耦电容器)的 S 参数文件。
    1. 必须使用 3-D 场求解器提取功率 S 参数。2.5D 求解器不足以进行功率提取。
    2. 必须针对从 PMIC 电感器输出端到 AM62Px VDDS_MMC0 引脚的电源路径进行建模。
    3. 必须使用供应商提供的 S 参数或 SPICE 模型精确模拟电源路径中的电容器及任何其他元件。
  2. 绘制 eMMC PHY IO 电源 VDDS_MMC0 的交流阻抗,并将其与下面图 3-1 中提供的目标交流阻抗曲线进行比较。
    1. 检查 VDDS_MMC0 从直流到高达 400MHz 的交流阻抗。提取的交流阻抗必须等于或小于图 3-1 才能通过交流阻抗检查。
注: 超过约 50MHz 时,PCB 电源平面和去耦电容器对阻抗的影响逐渐减小。随着频率的上升,SoC 封装电感和片上电容的影响会更加显著。
 VDDS_MMC0 交流阻抗幅度与频率间的关系(仅限电路板)图 3-1 VDDS_MMC0 交流阻抗幅度与频率间的关系(仅限电路板)