应遵循以下 EMI 遏制指南：

• 对于 dv/dt 和 di/dt 电路路径，应使用紧凑型回路（功率回路和栅极驱动器）。
• 对于连接到开关节点的组件，应使用最小但符合散热需求的覆铜区域进行散热（尽量减少暴露的辐射表面）。
• 采用铜接地平面（可以拼接）和顶层灌铜（用接地灌铜方式环绕电路）。
• 如果经济上可行，请使用 4 层 PCB（以更好地接地）。
• 最大限度地减小与输入迹线相关的铜区域面积（为了使辐射接收量最小化）。
• 尽量将与开关节点关联的覆铜区域隐藏在屏蔽磁体下方。
• 尽量将散热器装在元件的安静侧而不是开关侧，例如电感器的输出侧。
• 使用 Bob Smith 端接技术、Bob Smith EFT 电容器和 Bob Smith 平面。
• 使用 Bob Smith 平面作为 PCB 输入侧的接地屏蔽层（形成虚拟接地或真实大地接地）。
• 在直流/直流输入端使用 LC 滤波器。
• 抑制所有开关节点（如果存在）上的高频振铃（允许使用缓冲器）。
• 利用栅极驱动电阻器和可能的缓冲器来控制上升时间。
• 开关频率注意事项
• 跨越隔离边界使用 EMI 桥电容器（隔离拓扑）。
• 观察电感器上的极性点（有噪声的嵌入式端）。
• 在输入端使用铁氧体磁珠（允许使用磁珠或 0Ω 电阻）。
• 保持输入相关电路与电源电路之间的物理隔离（使用铁氧体磁珠作为边界线）。
• 平衡效率与可接受的噪声容限。
• 可使用共模电感器。
• 可使用集成的 RJ-45 插孔（使用内部变压器和 Bob Smith 端接技术进行了屏蔽）。
• 最终产品外壳注意事项（屏蔽）。