ZHCT384 February 2023 MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107 , MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1303 , MSPM0L1304 , MSPM0L1305 , MSPM0L1306 , MSPM0L1343 , MSPM0L1344 , MSPM0L1345 , MSPM0L1346

成本优化

借助 MSPM0 MCU，设计人员可以在不影响性能和灵活性的情况下降低元件级和系统级成本。

内部制造更多信息	MSPM0 平台利用 TI 的内部 65nm 低功耗闪存工艺技术实现了成本很低的 MCU，并且每片晶圆的芯片数量超过竞争 MCU 晶圆制造通过 TI 内部晶圆制造厂和外部代工厂的产能实现多源性，以确保供应连续高度优化的 TI 内部最终组装和测试设施和技术可降低成本
降低封装和 PCB 成本更多信息	经过优化的芯片支持使用以前不适用于 MCU 的更小、更具有成本效益的封装，包括 Small Outline Transistor (SOT-23-THN) 和 Very-thin Shrink Small-Outline Package (VSSOP) 与竞争 Small-outline Integrated Circuit (SOIC) 封装相比，SOT-23-THN 封装能够以不到一半的 PCB 面积提供两倍数量的引脚，从而实现更小、成本更低的 PCB 组装
提供高性价比模拟性能更多信息	凭借集成到 MCU 中的先进斩波稳定型运算放大器，现在可以通过在 MCU 中引入模拟信号链来简化设计，而不会影响性能 MSPM0 斩波稳定型运算放大器在 -40 至 125ºC 的工作范围内提供小于 ±0.5mV 的输入温漂，可显著降低高增益应用中的测量误差；通过灵活的片上模拟互连，可以创建各种模拟电路，包括反相/同相放大器、缓冲器、PGA（1 倍至 32 倍增益）以及差分或级联放大器拓扑 MSPM0G MCU 系列提供双路同步采样 4MSPS 12 位 SAR ADC，这些 ADC 具有内部硬件均值计算功能，可为需要更高精度电压和电流监控的应用实现 14 位 250KSPS 采样，通常无需分立式 ADC

在低成本微控制器的内部制造投资方面表现出色

犹他州李海市是德州仪器 (TI) 新的 300mm 半导体晶圆制造场所的所在地，该制造场所支持通过 TI 的 65nm 闪存工艺进行 MSPM0 批量生产，拥有超过 275000 平方英尺的清洁室空间和每天生产数千万个芯片的产能。

成本优化的小型引线式封装

利用优化的 SOT-23-THN 和 VSSOP 封装，与竞争解决方案相比，设计人员可在一半 PCB 面积内实现两倍数量的引脚，从而节省封装成本和 PCB 空间。