ZHCSZF0 December 2025 TPSM8D7420 , TPSM8D7620
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源 | ||||||
| IQ | VIN1 + VIN2 多相模式下静态电流 | 非开关、VEN = 2V、MSEL = 41.2kΩ、RT = 6.8kΩ、SS = 0V | 2 | 4.9 | mA | |
| IQ | VIN1 + VIN2 多输出模式下静态电流 | 非开关、VEN = 2V、MSEL = 29.4kΩ、RT = 6.8kΩ、SS = 0V | 4.3 | 8.2 | mA | |
| ISD | VIN1 + VIN2 中的关断电源电流 | VEN = 0V | 2 | 10.1 | µA | |
| UVLO | ||||||
| VINUVLO(R) | VIN UVLO 上升阈值 | VIN 上升 | 3.5 | 3.8 | V | |
| VINUVLO(F) | VIN UVLO 下降阈值 | VIN 下降 | 2.5 | 3 | V | |
| VINUVLO(H) | VIN UVLO 迟滞 | 1.2 | V | |||
| ENABLE | ||||||
| VEN(R) | EN 电压上升阈值 | EN 上升,启用开关 | 1.125 | 1.25 | 1.375 | V |
| VEN(F) | EN 电压下降阈值 | EN 下降,禁用开关 | 0.75 | 0.84 | 1.0 | V |
| VEN(H) | EN 电压迟滞 | 0.25 | 0.4 | 0.55 | V | |
| VEN(W) | EN 电压唤醒阈值 | 0.4 | V | |||
| IEN | EN 引脚拉电流后 EN 上升阈值 | VEN = VIN = 12V | 400 | nA | ||
| 内部 LDO | ||||||
| VVCC | 内部 LDO 输出电压 | VIN ≥ 5V,IVCC ≤ 100mA | 4 | 4.4 | 5 | V |
| IVCC | 内部 LDO 短路电流限制 | VIN = 12V | 130 | 220 | mA | |
| 基准电压 | ||||||
| VFB_INT | FB 基准电压 | 选择内部补偿,无负载电流。 | 595.5 | 600 | 604.5 | mV |
| VFB_EXT | FB 基准电压 | 选择外部补偿,VCOMP = 0.6V | 595.5 | 600 | 604.5 | mV |
| IFB(LKG) | FB 输入泄漏电流 | VFB = 0.6V | 10 | 250 | nA | |
| 误差放大器 | ||||||
| gm-ext | EA 跨导 - 外部比较器 | VFB = VCOMP | 840 | 1000 | 1150 | µS |
| ICOMP(src) | EA 拉电流 — 外部比较器 | VCOMP = 1V,VFB = 0.4V | 100 | 155 | 400 | µA |
| ICOMP(sink) | EA 灌电流 — 外部比较器 | VCOMP = 1V,VFB = 0.8V | 50 | 155 | 500 | µA |
| 开关频率 | ||||||
| fSW-max(FCCM) | 开关频率,FCCM 运行 | RRT = 6.81kΩ 至 AGND | 1.95 | 2.2 | 2.4 | MHz |
| fSW(FCCM) | 可调开关频率范围 | RRT 电阻器,从 6.81kΩ 至 39.2kΩ 至 AGND | 0.4 | 2.2 | MHz | |
| 同步 | ||||||
| VIH(sync) | SYNC 高电平阈值 | 1.25 | 1.5 | V | ||
| VIL(sync) | SYNC 低电平阈值 | 0.65 | 1.0 | V | ||
| VOH(sync) | 同步输出高电压最小值 | SYNC_OUT 引脚上无负载 | 4.4 | V | ||
| VOL(sync) | 同步输出低电压最大值 | SYNC_OUT 引脚上无负载 | 0.6 | V | ||
| fSYNC-2p2 | 频率同步范围约为 2.2MHz | RRT = 6.81kΩ 至 AGND | 1.76 | 2.2 | 2.64 | MHz |
| fSYNC-0p4 | 频率同步范围约为 400kHz | RRT = 39.2kΩ 至 AGND | 320 | 400 | 480 | kHz |
| tSYNC(IH) | 外部同步信号的最小脉冲宽度高于 VIH(sync) | 50 | ns | |||
| tSYNC(IL) | 外部同步信号的最小脉冲宽度低于 VIL(sync) | 50 | ns | |||
| tSYNC-SW(delay) | 从 SYNC 上升沿到 SW 上升沿的延迟 | 40 | ns | |||
| 启动 | ||||||
| ISS(R) | 软启动充电电流 | VSS = 0V | 21 | µA | ||
| tEN | EN 高电平到开关延迟开始 | VIN > VINUVLO(R) | 1300 | µs | ||
| RSS(F) | 软启动放电电阻 | 22 | 45 | Ω | ||
| 功率级 | ||||||
| tON(min) | 最小 ON 脉冲宽度 (1) | VIN = 12V | 45 | 60 | ns | |
| tOFF(min) | 最小 OFF 脉冲宽度 (1) | VIN = 4V | 60 | 105 | ns | |
| 过流保护 | ||||||
| IHS(OC1) | 高侧峰值电流限值TPSM8D7620 | HS FET 上的峰值电流限值 | 8.2 | 9 | 9.6 | A |
| IHS(OC2) | 高侧峰值电流限值TPSM8D7420 | HS FET 上的峰值电流限值 | 6.3 | 7.2 | 8.2 | A |
| ILS(OC1) | 低侧谷值电流限值 TPSM8D7620 | LS FET 上的谷值电流限制 | 5.9 | 6.8 | 7.2 | A |
| ILS(OC2) | 低侧谷值电流限值 TPSM8D7420 | LS FET 上的谷值电流限制 | 4.4 | 5.4 | 6.4 | A |
| ILS1(NOC) | 低侧负电流限值 TPSM8D7620 | LS FET 上的灌电流限制 | -4 | -3 | A | |
| ILS3(NOC) | 低侧负电流限值 TPSM8D7420 | LS FET 上的灌电流限制 | -3.5 | -2.5 | A | |
| VHiccup-FB | FB 引脚上的断续阈值 | HS FET 导通时间 > 165ns | 0.18 | 0.23 | 0.3 | V |
| tHiccup-1 | 进入断续前的等待时间 | 126 | 128 | 130 | 电流限制周期 | |
| tHiccup-2 | 重启之前的断续时间 | 50 | 70 | ms | ||
| 输出放电 | ||||||
| RDischarge | 输出放电电阻 | VIN = 12V,VOUT = 2.5V,禁用电源转换 | 19.5 | Ω | ||
| 电源正常 | ||||||
| VPGTH-1 | 电源正常阈值 (PG) | PGOOD 低电平,VFB 上升 | 93 | 96 | 99 | % VREF |
| VPGTH-2 | 电源正常阈值 (PG) | PGOOD 高电平,VFB 下降 | 91 | 93 | 95 | % VREF |
| VPGTH-3 | 电源正常阈值 (PG) | PGOOD 高电平,VFB 上升 | 109 | 113 | 117 | % VREF |
| VPGTH-4 | 电源正常阈值 (PG) | PGOOD 低电平,VFB 下降 | 107 | 110 | 113 | % VREF |
| tPGOOD(R) | 从 VFB 有效到 PGOOD 高电平的 PG 延迟 | VVOUT = 3.3V | 300 | 700 | µs | |
| tPGOOD(F) | 从 VFB 无效到 PGOOD 低电平的 PG 延迟 | VVOUT = 3.3V | 47 | µs | ||
| IPG(LKG) | 开漏输出高电平时的 PG 引脚漏电流 | VPG = 3.3V | 0.075 | µA | ||
| VPG-D(LOW) | 两个通道的 PG 引脚输出低电平电压 | IPG = 1mA,VEN = 0V,VIN > VIN(PG_VALID). | 400 | mV | ||
| RPG | 下拉 MOSFET 电阻 | IPG = 1mA,VEN = 3.3V。 | 35 | 90 | Ω | |
| VIN(PG_VALID) | 有效 PG 输出的最小 VIN | PG 上的上拉电阻 - RPG = 10kΩ,PG 上的电压上拉 - VPULLUP_PG = 3V,VPG-D(LOW) = 0.4V | 1.2 | V | ||
| 热关断 | ||||||
| TJ(SD) | 热关断阈值(1) | 温度上升 | 153 | 167 | 186 | °C |
| TJ(HYS) | 热关断迟滞 (1) | 9 | °C | |||
| Tsense | 温度检测精度 (1) | 在 TA=25°C 下校准后 | -10 | +10 | °C | |