ZHCSZA8F September   2005  – December 2025 LM5005

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 高压启动稳压器
      2. 6.3.2 关机和待机
      3. 6.3.3 振荡器和同步功能
      4. 6.3.4 误差放大器和 PWM 比较器
      5. 6.3.5 斜坡发生器
      6. 6.3.6 电流限值
      7. 6.3.7 软启动功能
      8. 6.3.8 MOSFET 栅极驱动器
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断模式
      2. 6.4.2 待机模式
      3. 6.4.3 轻负载运行
      4. 6.4.4 热关断保护
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 降低偏置功率耗散
      2. 7.1.2 输入电压 UVLO 保护
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1  使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
        2. 7.2.2.2  频率设置电阻器 (RT)
        3. 7.2.2.3  电感器 (LF)
        4. 7.2.2.4  斜坡电容器 (CRAMP)
        5. 7.2.2.5  输出电容器 (COUT)
        6. 7.2.2.6  肖特基二极管 (DF)
        7. 7.2.2.7  输入电容器 (CIN)
        8. 7.2.2.8  VCC 电容器 (CVCC)
        9. 7.2.2.9  自举电容器 (CBST)
        10. 7.2.2.10 软启动电容器 (CSS)
        11. 7.2.2.11 反馈电阻器(RFB1 和 RFB2)
        12. 7.2.2.12 RC 缓冲器(RS 和 CS)
        13. 7.2.2.13 补偿元件(RC1、CC1、CC2)
        14. 7.2.2.14 物料清单
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 专为降低 EMI 而设计的 PCB 布局
        2. 7.4.1.2 热设计
        3. 7.4.1.3 接地平面设计
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 器件支持
      1. 8.2.1 开发支持
        1. 8.2.1.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    3. 8.3 文档支持
      1. 8.3.1 相关文档
        1. 8.3.1.1 PCB 布局资源
        2. 8.3.1.2 热设计资源
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 支持资源
    6. 8.6 商标
    7. 8.7 静电放电警告
    8. 8.8 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

MOSFET 栅极驱动器

LM5005 集成了一个 N 沟道高侧 MOSFET 和相关的浮动高压栅极驱动器。该栅极驱动器电路与一个内部自举二极管及一个外部自举电容器结合使用。TI 建议使用短迹线在 BST 和 SW 引脚之间连接一个 22nF 陶瓷电容器。在降压开关关断期间,SW 电压约为 –0.5V,自举电容器通过内部自举二极管从 VCC 充电。以高 PWM 占空比工作时,降压开关会强制每个周期关闭 500ns,以确认自举电容器重新充电。

在轻负载条件下或输出电压预充电时,在降压开关关断期间,SW 电压可能不会保持低电平。如果电感器电流降至零且 SW 电压上升,自举电容器可能无法具有足够电压来运行降压开关栅极驱动器。对于这些应用,将 PRE 引脚连接到 SW 引脚,以对自举电容器进行预充电。在新开关周期开始之前,连接在 PRE 引脚和 PGND 引脚之间的内部预充电 MOSFET 和二极管在每个周期导通 250ns。如果 SW 引脚处于正常负电压电平(连续导通模式),则没有电流流过预充电 MOSFET 和二极管。