ZHCSZA8F September 2005 – December 2025 LM5005
PRODUCTION DATA
LM5005 集成了一个 N 沟道高侧 MOSFET 和相关的浮动高压栅极驱动器。该栅极驱动器电路与一个内部自举二极管及一个外部自举电容器结合使用。TI 建议使用短迹线在 BST 和 SW 引脚之间连接一个 22nF 陶瓷电容器。在降压开关关断期间,SW 电压约为 –0.5V,自举电容器通过内部自举二极管从 VCC 充电。以高 PWM 占空比工作时,降压开关会强制每个周期关闭 500ns,以确认自举电容器重新充电。
在轻负载条件下或输出电压预充电时,在降压开关关断期间,SW 电压可能不会保持低电平。如果电感器电流降至零且 SW 电压上升,自举电容器可能无法具有足够电压来运行降压开关栅极驱动器。对于这些应用,将 PRE 引脚连接到 SW 引脚,以对自举电容器进行预充电。在新开关周期开始之前,连接在 PRE 引脚和 PGND 引脚之间的内部预充电 MOSFET 和二极管在每个周期导通 250ns。如果 SW 引脚处于正常负电压电平(连续导通模式),则没有电流流过预充电 MOSFET 和二极管。