ZHCSZ85 November   2025 SN74LV3T99

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 组合逻辑配置
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 平衡 CMOS 三态输出
      2. 7.4.2 LVxT 增强输入电压
        1. 7.4.2.1 升压转换
        2. 7.4.2.2 降压转换
      3. 7.4.3 钳位二极管结构
    5. 7.5 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
        1. 8.2.1.1 电源注意事项
        2. 8.2.1.2 输入注意事项
        3. 8.2.1.3 输出注意事项
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.4.2 LVxT 增强输入电压

SN74LV3T99 属于 TI 的 LVxT 逻辑器件系列，具有集成电压电平转换功能。该系列器件的设计具有更低的输入电压阈值，支持升压转换；其输入可承受高达 5.5V 电平的信号，支持降压转换。为了正常运行，输入信号必须保持或高于指定的 VIH(MIN) 电平才能获得高电平输入状态，保持或低于指定的 VIL(MAX) 电平才能获得低电平输入状态。图 7-2 展示了 LVxT 系列器件的典型 VIH 和 VIL 电平，以及标准 CMOS 器件的电压电平用于比较。

输入为高阻抗，通常建模为与输入电容并联的电阻器，如电气特性 中所示。最坏情况下的电阻是使用绝对最大额定值 中给出的最大输入电压和电气特性 中给出的最大输入泄漏电流，根据欧姆定律 (R = V ÷ I) 计算得出。

施密特触发输入架构可提供由电气特性 表中的 ΔVT 定义的迟滞，因而此器件能够很好地耐受慢速或高噪声输入。虽然输入的驱动速度可能比标准 CMOS 输入慢得多，但仍建议正确端接未使用的输入。使用缓慢的转换信号驱动输入会增加器件的动态电流消耗。有关施密特触发输入的其他信息，请参阅了解施密特触发。

在运行期间，任何时候都不要让输入悬空。未使用的输入必须在有效的高或低电压电平下进行端接。如果系统不会一直主动驱动输入，则可以添加上拉或下拉电阻器，以在这些时间段提供有效的输入电压。电阻值将取决于多种因素；但建议使用 10kΩ 电阻器，这通常可以满足所有要求。

SN74LV3T99 LVxT 输入电压电平图 7-2 LVxT 输入电压电平