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ZHCSZ68A September 2025 – November 2025 DLP78TUV

PRODUCTION DATA

5.4 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）。在该表定义的限值内运行器件时，可实现本数据表中指定的器件的功能性能。在高于或低于这些限值的条件下运行器件时，不暗示任何性能水平。

		最小值	标称值	最大值	单位
电源电压
V_DD	LVCMOS 内核逻辑的电源电压⁽¹⁾	1.65	1.8	1.95	V
V_DDI	LVDS 接口的电源电压⁽¹⁾	1.65	1.8	1.95	V
V_CC2	微镜电极和 HVCMOS 电压⁽¹⁾⁽²⁾	9.5	10	10.5	V
V_MBRST	微镜偏置/复位电压⁽¹⁾	-17		21.5	V
\|V_DD – V_DDI\|	电源电压差值（绝对值）⁽³⁾		0	0.3	V
LVCMOS
V_IH(DC)	输入高电压	0.7 × VDD		V_DD + 0.3	V
V_IL(DC)	输入低电压	-0.3		0.3 × VDD	V
V_IH(AC)	输入高电压	0.8 × VDD		V_DD + 0.3	V
V_IL(AC)	输入低电压	-0.3		0.2 × VDD	V
I_OH	高电平输出电流			2	mA
I_OL	低电平输出电流	-2			mA
t_PWRDNZ	PWRDNZ 脉冲宽度⁽⁴⁾	10			ns
SCP 接口
F_SCPCLK	SCP 时钟频率	50		500	kHz
SCPCLK_DCDIN	SCP 时钟输入占空比	40%		60%
LVDS 接口
F_CLOCK	LVDS 接口的时钟频率（所有通道），DCLK⁽⁵⁾			400	MHz
DCD_IN	输入 CLK 占空比失真容差	44%		56%
\|V_ID\|	输入差分电压（绝对值）⁽⁶⁾	150	300	440	mV
V_CM	共模电压⁽⁶⁾	1100	1200	1300	mV
V_LVDS	LVDS 电压⁽⁶⁾	880		1520	mV
t_{LVDS_RSTZ}	LVDS 接收器从 PWRDNZ 恢复所需的时间	2			µs
Z_IN	内部差分端接电阻	80	100	120	Ω
Z_LINE	线路差分阻抗（PWB/引线）	90	100	110	Ω
环境
T_ARRAY	长期工作时的阵列温度⁽⁷⁾⁽⁸⁾⁽⁹⁾	10		40 至 70⁽¹⁰⁾	°C
T_ARRAY	短期工作（最长 500 个小时）时的阵列温度⁽⁸⁾⁽¹¹⁾	0		10	°C
T_DP-AVG	平均露点温度（非冷凝）⁽¹²⁾			28	°C
T_DP-ELR	高露点温度范围（非冷凝）⁽¹³⁾	28		36	°C
CT_ELR	高露点温度范围内的累积时间			24	月
Q_AP-ILL	窗口孔隙照明溢出⁽¹⁴⁾⁽¹⁵⁾⁽¹⁶⁾			17	W/cm²
固态照明
ILL_UV4	波长小于 365nm 时的照明功率⁽⁷⁾⁽¹⁷⁾⁽¹⁸⁾			10	mW/cm²
ILL_UV3	波长大于等于 365nm 小于等于 385nm 时的照明功率⁽⁷⁾⁽¹⁷⁾⁽¹⁸⁾			2	W/cm²
ILL_UV2	波长大于等于 385nm 小于等于 400nm 时的照明功率⁽⁷⁾⁽¹⁷⁾⁽¹⁸⁾			5	W/cm²
ILL_UV1	波长大于等于 400nm 小于 410nm 时的照明功率⁽⁷⁾⁽¹⁷⁾⁽¹⁸⁾			12	W/cm²
ILL_UV	波长大于等于 365nm 小于等于 410nm 时的照明功率⁽⁷⁾⁽¹⁷⁾⁽¹⁸⁾			12	W/cm²
ILL_BLU	波长大于等于 410nm 小于等于 475nm 时的照明功率⁽¹⁷⁾⁽¹⁸⁾			12.8	W/cm²
ILL_VIS	波长大于等于 410nm 小于等于 800nm 时的照明功率⁽¹⁷⁾⁽¹⁸⁾			22	W/cm²

(1) 所有电压均以公共接地 V_SS 为基准。DMD 正常运行需要 V_DD、V_DDI 和 V_CC2 电源。还必须连接 V_SS。

(2) V_CC2 电源电压瞬态必须处于指定的最大电压范围内。

(3) 为了防止电流过大，电源电压差值 |V_DDI – V_DD| 必须小于指定的限值。请参阅 DMD 电源要求。

(4) PWRDNZ 输入引脚将 SCP 复位并禁用 LVDS 接收器。PWRDNZ 输入引脚覆盖 SCPENZ 输入引脚并使 SCPDO 输出引脚处于三态。

(5) 请参阅时序要求 中的 LVDS 时钟时序要求。

(6) 有关 LVDS 波形要求，请参阅图 5-5。

(7) 如果 DMD 同时暴露于温度和 UV 照明的最大建议运行条件 下，则会缩短器件寿命。

(8) 阵列温度无法直接测量，必须根据图 6-3 中所示测试点 1 (TP1) 测量的温度进行分析计算（按照“微镜阵列温度计算”）。

(9) 长期定义为器件的使用寿命。

(10) 根据图 5-1，最大工作阵列温度根据 DMD 在终端应用中经历的微镜着陆占空比进行降额。有关微镜着陆占空比的定义，请参阅微镜着陆开/着陆关占空比。

(11) 短期是器件使用寿命期间的总累积时间。

(12) 器件不在高露点温度范围内的随时间变化的平均值（包括存储和运行）。

(13) 在存储和运行期间，暴露于高范围内的露点温度限制在 CT_ELR 的总累积时间以内。

(14) 适用于图 5-2 中定义的区域

(15) DMD 的工作区域被 DMD 窗口表面内的孔隙包围，该孔隙遮挡了正常视图中 DMD 器件组件的结构。该孔隙的大小可以预测多种光学条件。照亮有源阵列外部区域的溢出光会产生散射，并对使用 DMD 的终端应用的性能产生不利影响。照明光学系统的一项设计要求是尽可能减少入射到有源阵列外部的光通量。根据光学系统的特定光学架构和组装公差，有源阵列外部的溢出光量可能会导致系统性能下降。

(16) 要进行计算，请参阅窗口孔隙照明溢出计算。

(17) 入射到 DMD 上的最大允许光功率受到每个指定波长范围的最大光功率密度以及微镜阵列温度 (T_ARRAY) 的限制。

(18) 如需计算，请参阅微镜功率密度计算。