1 特性

两次快速电池包电压测量
- 专用单端测量；ASIL-D
- HV 测量精度 < 0.4%；0.3V 至 5V 单端
- BQ79881 内实现 0uS VI 同步；与电芯测量一起执行时，VI 同步的典型值为 5uS
精确的单端测量
- 多达 18 个单端 ADC 输入；ASIL-D
- HV 测量精度 < 0.4%；0V 至 5V 单端
- 可用作比例式温度传感输入
- 用于高压测量的可配置 1.8V/2.5V/3.3V 基准
四个电流传感 ADC
- 最多测量两个单独的电流；ASIL-D
- 输入范围 =+/–275mV 差分、+/–750mV 共模；ASIL-D
- 0.1% 的精度。10mA (50u Rshunt)
过流比较器
- 每个 CS ADC 配备专用的快速过流数字比较器；ASIL-D
- 响应：100uS 至 1mS。精度：1%
- 阈值：0mV 至+/–300mV。
- GPIO 引脚上的 OC 响应。
- 多数表决选项
升级后的菊花链接口
- 连接到 MCU 的 2 路并行 SPI 端口，用于支持带单桥接器件的分离链
- 双线隔离接口，SPI 至 MCU
- 2Mbps 单链/环形，4Mbps 分离链支持速度提高高达 4 倍
- 闭环 BCI：200mA；开环 BCI：300mA
- 隔离：变压器或仅电容器
- FDTI 时间：800V 电池包或 250 节电池 <100ms
- 支持环形架构
- 无需环形架构即可实现反向唤醒
智能 EIS 引擎
- 集成电化学阻抗谱 (EIS) 测量引擎
- 阻抗精度：1%（1A 励磁，200uΩ 阻抗）
- 励磁频率：0.01Hz 至 3.5kHz
- 从器件到器件的 I/V 同步 < 5us
- 支持全局激励
其他
- 用于驱动 NMOSFET 或 Opto-MOS 开关的 12V 开关驱动引脚
- 封装：48 引脚 QFN，0.5mm 间距
- 符合 AEC-Q100 和 ISO26262 ASIL-D 功能安全要求

- 功耗
  - 工作模式：< 100mW
  - 睡眠模式：< 0.5mW
  - 深度睡眠模式：< 0.05mW