ZHCSYT4A August   2025  – April 2026 LMKDB1202 , LMKDB1204 , LMKDB1208

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息 
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SMBus 时序要求
    7. 6.7 SBI 时序要求
    8. 6.8 时序图
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 输入特性
        1. 8.3.1.1 在器件断电时运行输入时钟
        2. 8.3.1.2 失效防护输入
        3. 8.3.1.3 输入配置
          1. 8.3.1.3.1 用于时钟输入的内部端接
          2. 8.3.1.3.2 交流耦合或直流耦合时钟输入
      2. 8.3.2 灵活的电源序列
        1. 8.3.2.1 PWRDN# 置为有效和置为无效
        2. 8.3.2.2 OE# 置为有效和置为无效
        3. 8.3.2.3 器件电源关闭时的时钟输入和 PWRGD/PWRDN# 行为
      3. 8.3.3 LOS 和 OE
        1. 8.3.3.1 同步 OE
        2. 8.3.3.2 OE 控制
          1. 8.3.3.2.1 OE 映射
        3. 8.3.3.3 自动输出禁用
        4. 8.3.3.4 LOS 检测
      4. 8.3.4 输出特性
        1. 8.3.4.1 输出组
        2. 8.3.4.2 双端接
        3. 8.3.4.3 可编程输出压摆率
          1. 8.3.4.3.1 通过 SMBus 进行压摆率控制
        4. 8.3.4.4 可编程输出摆幅
        5. 8.3.4.5 准确的输出阻抗
        6. 8.3.4.6 可编程输出阻抗
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 SMBus 模式
      2. 8.4.2 SBI 模式
      3. 8.4.3 引脚模式
  10. 9 寄存器映射
    1. 9.1 LMKDB1204 寄存器
    2. 9.2 LMKDB1208 寄存器
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
      3. 10.2.3 应用曲线
    3. 10.3 电源相关建议
    4. 10.4 布局
      1. 10.4.1 布局指南
      2. 10.4.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

LMKDB1208 寄存器

表 9-24 列出了 LMKDB1208 寄存器的存储器映射寄存器。表 9-24 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留位置,并且不应修改寄存器内容。

表 9-24 LMKDB1208 寄存器
偏移首字母缩写词寄存器名称部分
0hR0CLK0 至 CLK3 的输出使能控制节 9.2.1
1hR1CLK4 至 CLK7 的输出使能控制节 9.2.2
3hR3OE0b 至 OE7b 的 OE 引脚回读节 9.2.3
4hR4ACP 使能控制和 LOSb 配置节 9.2.4
5hR5器件信息节 9.2.5
6hR6器件信息(续)节 9.2.6
7hR7SMBus 字节计数器节 9.2.7
8hR8CLK0 至 CLK3 的 SBI 掩码节 9.2.8
9hR9CLK4 至 CLK7 的 SBI 掩码节 9.2.9
AhR10输入时钟选择节 9.2.10
BhR11CLK0 至 CLK3 的 SBI 回读节 9.2.11
ChR12CLK4 至 CLK7 的 SBI 回读节 9.2.12
EhR14CLK0 至 CLK3 的 OE 引脚使能节 9.2.13
FhR15CLK4 至 CLK7 的 OE 引脚使能节 9.2.14
11hR17输出幅度控制节 9.2.15
12hR18LOSb 回读和 SMBus 超时配置节 9.2.16
14hR20CLK0 至 CLK3 的输出阻抗选择节 9.2.17
15hR21CLK4 至 CLK7 的输出阻抗选择节 9.2.18
23hR35输入接收器偏置和端接电阻器控制节 9.2.19
26hR38不可清除的 SMBus 写入锁定节 9.2.20
27hR39LOS 状态和可清除的 SMBus 写入锁定节 9.2.21
5BhR91转换率选择节 9.2.22

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 9-25 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 9-25 LMKDB1208 访问类型代码
访问类型代码说明
读取类型
RR读取
写入类型
WW写入
WMCW写入
WSCW写入
复位或默认值
-n复位后的值或默认值

9.2.1 R0 寄存器(偏移 = 0h)[复位 = 99h]

R0 如 表 9-26 所示。

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表 9-26 R0 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7CLK_EN_3R/W1hCLK3 的输出使能
0h = 输出已禁用(低电平/低电平)
1h = 输出已使能
6:5RESERVEDR0h保留位
4CLK_EN_2R/W1hCLK2 的输出使能
0h = 输出已禁用(低电平/低电平)
1h = 输出已使能
3CLK_EN_1R/W1hCLK1 的输出使能
0h = 输出已禁用(低电平/低电平)
1h = 输出已使能
2:1RESERVEDR0h保留位
0CLK_EN_0R/W1hCLK0 的输出使能
0h = 输出已禁用(低电平/低电平)
1h = 输出已使能

9.2.2 R1 寄存器(偏移 = 1h)[复位 = 99h]

R1 如 表 9-27 所示。

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表 9-27 R1 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7CLK_EN_7R/W1hCLK7 的输出使能
0h = 输出已禁用(低电平/低电平)
1h = 输出已使能
6:5RESERVEDR0h保留位
4CLK_EN_6R/W1hCLK6 的输出使能
0h = 输出已禁用(低电平/低电平)
1h = 输出已使能
3CLK_EN_5R/W1hCLK5 的输出使能
0h = 输出已禁用(低电平/低电平)
1h = 输出已使能
2:1RESERVEDR0h保留位
0CLK_EN_4R/W1hCLK4 的输出使能
0h = 输出已禁用(低电平/低电平)
1h = 输出已使能

9.2.3 R3 寄存器(偏移 = 3h)[复位 = 00h]

R3 如 表 9-28 所示。

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表 9-28 R3 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7RB_OEb_7R0hOEb7 的状态
6RB_OEb_6R0hOEb6 的状态
5RB_OEb_5R0hOEb5 的状态
4RB_OEb_4R0hOEb4 的状态
3RB_OEb_3R0hOEb3 的状态
2RB_OEb_2R0hOEb2 的状态
1RB_OEb_1R0hOEb1 的状态
0RB_OEb_0R0hOEb0 的状态

9.2.4 R4 寄存器(偏移 = 4h)[复位 = 3Ch]

R4 如 表 9-29 所示。

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表 9-29 R4 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:6RESERVEDR0h保留位
5BANK1_ACP_ENABLER/W1h当检测到 LOS 事件时,启用自动时钟停止在低电平/低电平,BANK1
4BANK0_ACP_ENABLER/W1h当检测到 LOS 事件时,启用自动时钟停止在低电平/低电平,BANK0
3LOS1b_CONFIGR/W1h组 1 的 LOSb 配置
1h = LOS1b 实时
0h = 来自 RW1C 粘滞位的 LOS1b
2LOS0b_CONFIGR/W1h组 0 的 LOSb 配置
1h = LOS0b 实时
0h = 来自 RW1C 粘滞位的 LOS0b
1RESERVEDR0h保留位
0RB_SBI_ENQR0hSBI_ENQ 的状态

9.2.5 R5 寄存器(偏移 = 5h)[复位 = 0Ah]

R5 如 表 9-30 所示。

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表 9-30 R5 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:4REV_IDR0h器件版本
3:0VENDOR_IDRAh供应商 ID

9.2.6 R6 寄存器(偏移 = 6h)[复位 = 28h]

R6 如 表 9-31 所示。

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表 9-31 R6 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:0DEV_IDR28h器件 ID

9.2.7 R7 寄存器(偏移 = 7h)[复位 = 07h]

R7 如 表 9-32 所示。

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表 9-32 R7 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:5RESERVEDR0h保留位
4:0SMBUS_BCR/W7hSMBUS 块读取字节计数

9.2.8 R8 寄存器(偏移 = 8h)[复位 = 00h]

R8 如 表 9-33 所示。

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表 9-33 R8 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7SBI_MASK_3R/W0h屏蔽 CLK3 的边带禁用
6:5RESERVEDR0h保留位
4SBI_MASK_2R/W0h屏蔽 CLK2 的边带禁用
3SBI_MASK_1R/W0h屏蔽 CLK1 的边带禁用
2:1RESERVEDR0h保留位
0SBI_MASK_0R/W0h屏蔽 CLK0 的边带禁用

9.2.9 R9 寄存器(偏移 = 9h)[复位 = 00h]

R9 如 表 9-34 所示。

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表 9-34 R9 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7SBI_MASK_7R/W0h屏蔽 CLK17 的边带禁用
6:5RESERVEDR0h保留位
4SBI_MASK_6R/W0h屏蔽 CLK6 的边带禁用
3SBI_MASK_5R/W0h屏蔽 CLK5 的边带禁用
2:1RESERVEDR0h保留位
0SBI_MASK_4R/W0h屏蔽 CLK4 的边带禁用

9.2.10 R10 寄存器(偏移 = Ah)[复位 = 00h]

R10 如表 9-35 所示。

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表 9-35 R10 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:6RESERVEDR0h保留位
5:4CLK_SELR/W0h时钟源选择
0h = 两个组都来自 CLKIN0
1h = BANK0 来自 CLKIN0,BANK1 来自 CLKIN1
2h = 不适用
3h = 两个组都来自 CLKIN1
3:1RESERVEDR0h保留位
0CLK_SEL_CTRLR/W0h从引脚或 SMBus 选择输入控制
0h = 使用 CLKSEL 引脚控制
1h = 使用 CLKSEL SMB 控制

9.2.11 R11 寄存器(偏移 = Bh)[复位 = 00h]

R11 如 表 9-36 所示。

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表 9-36 R11 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7SBI_CLK_3R0hCLK3 边带禁用回读
6:5RESERVEDR0h保留位
4SBI_CLK_2R0hCLK2 边带禁用回读
3SBI_CLK_1R0hCLK1 边带禁用回读
2:1RESERVEDR0h保留位
0SBI_CLK_0R0hCLK0 边带禁用回读

9.2.12 R12 寄存器(偏移 = Ch)[复位 = 00h]

R12 如 表 9-37 所示。

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表 9-37 R12 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7SBI_CLK_7R0hCLK7 边带禁用回读
6:5RESERVEDR0h保留位
4SBI_CLK_6R0hCLK6 边带禁用回读
3SBI_CLK_5R0hCLK5 边带禁用回读
2:1RESERVEDR0h保留位
0SBI_CLK_4R0hCLK4 边带禁用回读

9.2.13 R14 寄存器(偏移 = Eh)[复位 = 09h]

R14 如 表 9-38 所示。

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表 9-38 R14 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7CLK_OEB_EN_3R/W0h使能 OE3b 引脚来控制 CLK3
0h = 禁用 OEb 输出停止
1h = 启用由 OEb 输出停止
6:5RESERVEDR0h保留位
4CLK_OEB_EN_2R/W0h使能 OE2b 引脚来控制 CLK2
0h = 禁用 OEb 输出停止
1h = 启用由 OEb 输出停止
3CLK_OEB_EN_1R/W1h使能 OE1b 引脚来控制 CLK1
0h = 禁用 OEb 输出停止
1h = 启用由 OEb 输出停止
2:1RESERVEDR0h保留位
0CLK_OEB_EN_0R/W1h使能 OE0b 引脚来控制 CLK0
0h = 禁用 OEb 输出停止
1h = 启用由 OEb 输出停止

9.2.14 R15 寄存器(偏移 = Fh)[复位 = 19h]

R15 如 表 9-39 所示。

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表 9-39 R15 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7CLK_OEB_EN_7R/W0h使能 OE7b 引脚来控制 CLK7
0h = 禁用 OEb 输出停止
1h = 启用由 OEb 输出停止
6:5RESERVEDR0h保留位
4CLK_OEB_EN_6R/W1h使能 OE6b 引脚来控制 CLK6
0h = 禁用 OEb 输出停止
1h = 启用由 OEb 输出停止
3CLK_OEB_EN_5R/W1h使能 OE5b 引脚来控制 CLK5
0h = 禁用 OEb 输出停止
1h = 启用由 OEb 输出停止
2:1RESERVEDR0h保留位
0CLK_OEB_EN_4R/W1h使能 OE4b 引脚来控制 CLK4
0h = 禁用 OEb 输出停止
1h = 启用由 OEb 输出停止

9.2.15 R17 寄存器(偏移 = 11h)[复位 = 66h]

R17 如 表 9-40 所示。

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表 9-40 R17 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:4AMP_1R/W6hBANK1 差分输出控制 = 0.6V 至大约 1V
25mV/步长 默认值 = 0.75V
0h = 600mV
1h = 625mV
2h = 650mV
3h = 675mV
4h = 700mV
5h = 725mV
6h = 750mV
7h = 775mV
8h = 800mV
9h = 825mV
Ah = 850mV
Bh = 875mV
Ch = 900mV
Dh = 925mV
Eh = 950mV
Fh = 975mV
3:0AMP_0R/W6hBANK0 差分输出控制 = 0.6V 至大约 1V
25mV/步长 默认值 = 0.75V
0h = 600mV
1h = 625mV
2h = 650mV
3h = 675mV
4h = 700mV
5h = 725mV
6h = 750mV
7h = 775mV
8h = 800mV
9h = 825mV
Ah = 850mV
Bh = 875mV
Ch = 900mV
Dh = 925mV
Eh = 950mV
Fh = 975mV

9.2.16 R18 寄存器(偏移 = 12h)[复位 = 0Ch]

R18 如 表 9-41 所示。

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表 9-41 R18 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:4RESERVEDR0h保留位
3PD_RESTOREBR/W1h断电时保存配置
1'b0:配置已清除
1'b1:配置已保存
2SDATA_TIMEOUT_ENR/W1h启用 SMB SDATA 超时监控
1'b0:禁用 SDATA 超时
1'b1:启用 SDATA 超时
1LOS1b_RBR0h实时回读丢失检测块输出
0h = 检测到 LOS 事件
1h = 未检测到 LOS 事件
0LOS0b_RBR0h实时回读丢失检测块输出
0h = 检测到 LOS 事件
1h = 未检测到 LOS 事件

9.2.17 R20 寄存器(偏移 = 14h)[复位 = 00h]

R20 如 表 9-42 所示。

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表 9-42 R20 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7CLK_IMPEDANCE_3R/W0h输出时钟阻抗选择
0h = 85Ω
1h = 100Ω
6:5RESERVEDR0h保留位
4CLK_IMPEDANCE_2R/W0h输出时钟阻抗选择
0h = 85Ω
1h = 100Ω
3CLK_IMPEDANCE_1R/W0h输出时钟阻抗选择
0h = 85Ω
1h = 100Ω
2:1RESERVEDR0h保留位
0CLK_IMPEDANCE_0R/W0h输出时钟阻抗选择
0h = 85Ω
1h = 100Ω

9.2.18 R21 寄存器(偏移 = 15h)[复位 = 00h]

R21 如 表 9-43 所示。

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表 9-43 R21 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7CLK_IMPEDANCE_7R/W0h输出时钟阻抗选择
0h = 85Ω
1h = 100Ω
6:5RESERVEDR0h保留位
4CLK_IMPEDANCE_6R/W0h输出时钟阻抗选择
0h = 85Ω
1h = 100Ω
3CLK_IMPEDANCE_5R/W0h输出时钟阻抗选择
0h = 85Ω
1h = 100Ω
2:1RESERVEDR0h保留位
0CLK_IMPEDANCE_4R/W0h输出时钟阻抗选择
0h = 85Ω
1h = 100Ω

9.2.19 R35 寄存器(偏移 = 23h)[复位 = 00h]

R35 如 表 9-44 所示。

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表 9-44 R35 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:4RESERVEDR0h保留位
3d_RX1_EN_AC_INPUTR/W0h当 CLKIN 是交流耦合时启用接收器偏置
0h = 直流耦合输入
1h = 交流耦合输入
2d_RX1_EN_RTERM_LSBR/W0h启用 CLKIN1 上的端接电阻器
0h = 输入端接电阻器禁用
1h = 输入端接电阻器启用
1d_RX0_EN_AC_INPUTR/W0h当 CLKIN 是交流耦合时启用接收器偏置
0h = 直流耦合输入 1h = 交流耦合输入
0d_RX0_EN_RTERM_LSBR/W0h启用 CLKIN0 上的端接电阻器
0h = 输入端接 R 禁用
1h = 输入端接 R 启用

9.2.20 R38 寄存器(偏移 = 26h)[复位 = 00h]

R38 如 表 9-45 所示。

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表 9-45 R38 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:1RESERVEDR0h保留位
0WRITE_LOCKR/WMC0h不可清除的 SMBus 写入锁定位。当写入 1 时,无法写入 SMBus 控制寄存器。该位只能通过下电上电来清除
0h = SMBus 未被该位进行写入锁定。请参阅 WRITE_LOCK_RW1C 位。
1h = SMBus 已进行写入锁定

9.2.21 R39 寄存器(偏移 = 27h)[复位 = 00h]

R39 如 表 9-46 所示。

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表 9-46 R39 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:3RESERVEDR0h保留位
2LOS1_EVTR/WSC0h高电平时的 LOS 事件状态,表示检测到 LOS 事件。可通过写入 1 来清除。
0h = 未检测到 LOS 事件
1h = 检测到 LOS 事件
1LOS0_EVTR/WSC0h高电平时的 LOS 事件状态,表示检测到 LOS 事件。可通过写入 1 来清除。
0h = 未检测到 LOS 事件
1h = 检测到 LOS 事件
0WRITE_LOCK_RW1CR/W0h可清除的 SMBus 写入锁定位。当写入 1 时,无法写入 SMBus 控制寄存器。可通过向该位写入 1 来清除该位。
0h = SMBus 未被该位进行写入锁定。请参阅 WRITE_LOCK 位。
1h = SMBus 已进行写入锁定

9.2.22 R91 寄存器(偏移 = 5Bh)[复位 = 60h]

R91 如 表 9-47 所示。

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表 9-47 R91 寄存器字段说明
位字段类型复位说明
7:4SLEWRATE_OPTR/W6h有四个寄存器分配,每个分配存储一个压摆率值(从 16 个可用压摆率值中选择)。此寄存器位与第 2 个选项相关。有关详细信息,请参阅“可编程输出压摆率”部分。
0h = 0(最快)
1h = 1
2h = 2
3h = 3
4h = 4
5h = 5
6h = 6(LMKDB1208 默认设置)
7h = 7
8h = 8
9h = 9
Ah = 10
Bh = 11
Ch = 12
Dh = 13
Eh = 14
Fh = 15(最慢)
3:0RESERVEDR0h保留位