TLE2142-Q1 在高达 10nF 的电容性负载下性能稳定，不过在此高负载水平下，6MHz 带宽会降至 1.8MHz。因此，该器件可用于低压降采样保持和直接缓冲长电缆，包括 4mA 至 20mA 电流环路。

500μV 最大偏移电压和 1.7μV/°C 典型漂移也证明了这种特殊设计对固有集成电路元件失配的不敏感性有所提高。最小共模抑制比和电源电压抑制比分别为 85dB 和 90dB。

在 ±2V 至 ±22V 范围内，器件性能相对不受电源电压的影响。输入可以在 V_CC––0.3V 至 V_CC+–1.8V 之间工作，而不会引起相位反转，不过每个输入端都可能流出超过较低共模输入范围的过大输入电流。全 NPN 输出级可在轻电流负载条件下提供 V_CC− + 0.1V 至 V_CC+ − 1V 的接近轨到轨输出摆幅。由于输出电流受到内部限制，该器件可以承受任一电源的短路，但必须注意确保不超过最大封装功耗。

TLE2142-Q1 也可用作比较器。V_CC± 的差分输入可以保持而不会损坏器件。在 TTL 电源电平下，开环传播延迟通常为 200ns。当器件的驱动超出推荐输出摆幅的限制时，这可以很好地显示输出级的饱和恢复情况。

TLE2142-Q1 采用业界通用的 8 引脚小外形 (D) 封装。该器件的工作温度范围是 -40°C 至 125°C。