ZHCSYL4 July   2025 TMUX9612

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值：TMUX961x 器件
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件：TMUX961x 器件
    4. 6.4  源极和漏极持续电流
    5. 6.5  源极和漏极脉冲电流
    6. 6.6  电气特性（全局）：TMUX961x 器件
    7. 6.7  电气特性（±110V 双电源）
    8. 6.8  电气特性（±50V 双电源）
    9. 6.9  电气特性（100V 单电源）
    10. 6.10 开关特性：TMUX961x 器件
    11. 6.11 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 导通电阻
    2. 7.2 关断漏电流
    3. 7.3 导通漏电流
    4. 7.4 器件导通与关断时间
    5. 7.5 电荷注入
    6. 7.6 关断隔离
    7. 7.7 串扰
    8. 7.8 带宽
    9. 7.9 THD + 噪声
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 双向运行
      2. 8.3.2 平缓的导通电阻
      3. 8.3.3 保护特性
        1. 8.3.3.1 失效防护逻辑
        2. 8.3.3.2 ESD 保护
        3. 8.3.3.3 闩锁效应抑制
      4. 8.3.4 1.8V 逻辑兼容输入
      5. 8.3.5 逻辑引脚上带有集成下拉电阻器
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 正常模式
      2. 8.4.2 真值表
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

5 引脚配置和功能

TMUX9612 RUM 封装，16 引脚 WQFN（俯视图）图 5-1 RUM 封装，16 引脚 WQFN（俯视图）
表 5-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 WQFN
D1 16 I/O 漏极引脚 1。可以是输入或输出。
D2 13 I/O 漏极引脚 2。可以是输入或输出。
D3 8 I/O 漏极引脚 3。可以是输入或输出。
D4 5 I/O 漏极引脚 4。可以是输入或输出。
GND 3 P 接地 (0V) 基准
S1 15 I/O 源极引脚 1。可以是输入或输出。
S2 14 I/O 源极引脚 2。可以是输入或输出。
S3 7 I/O 源极引脚 3。可以是输入或输出。
S4 6 I/O 源极引脚 4。可以是输入或输出。
SEL1 2 I 逻辑控制输入 1。
SEL2 12 I 逻辑控制输入 2。
SEL3 11 I 逻辑控制输入 3。
SEL4 4 I 逻辑控制输入 4。
VOUT 10 P 内部生成的电压输出轨。为了实现可靠运行，应在 VOUT 和 GND 之间的引脚 10 或散热焊盘上连接 0.01µF 至 0.1µF 的去耦电容器。让去耦电容器尽可能靠近散热焊盘能够获得出色的性能。
VDD 9 P 正电源。该引脚是正电源电势最高的引脚。为了实现可靠运行，应在 VDD 和 GND 之间连接一个 1µF 至 10µF 的去耦电容器。
VSS 1 P 负电源。该引脚是负电源电势最高的引脚。在单电源应用中，该引脚可以接地。为了实现可靠运行，应在 VSS 和 GND 之间连接一个 1µF 至 10µF 的去耦电容器。
散热焊盘 (VOUT) P 散热焊盘内部连接到 VOUT（与引脚 10 的节点相同）。VOUT 是内部生成的电压输出轨。为了实现可靠运行，应在 VOUT 和 GND 之间的引脚 10 或散热焊盘上连接 0.01µF 至 0.1µF 的去耦电容器。让去耦电容器尽可能靠近散热焊盘能够获得出色的性能。
(1) I = 输入，O = 输出，I/O = 输入和输出，P = 电源