ZHCSYA3 May   2025 CD3268A , CD3269A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 eN-MIC 麦克风积分噪声测量
    2. 6.2 电流测量
    3. 6.3 MICPWR 输出电压测量
    4. 6.4 音调模式阈值测量
    5. 6.5 阻抗测量
    6. 6.6 音调模式输出测量
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 音调模式启动时序
      2. 7.3.2 身份验证
      3. 7.3.3 并联稳压器
      4. 7.3.4 上电复位
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 按钮模式
      2. 7.4.2 音调模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
      2. 9.1.2 开发支持
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.4.1 布局指南

系统级性能指标，包括热性能、电磁兼容性 (EMC)、器件可靠性和音频性能，都会受到器件和支持元件布局的影响。严格遵循 节 8.4.2 中所示的布局指南即可符合应用部分中提供的器件和元件选型指南。该示例代表了在布置器件时所涉及的工程权衡的示范性基准平衡。此设计可以根据需要稍加修改以满足特定应用的需求。例如，在某些应用中，可以通过在器件中使用额外的连续覆铜，以增大器件尺寸为代价来改善散热性能。反之，通过在内部走线进行布线并加入过孔栅栏和附加滤波元件，可以折损散热性能来优先考虑 EMI 性能。建议流程是先参考 节 8.4.2 中所示指南，并与 TI 现场应用工程师合作，或通过 E2E 社区根据应用特定目标进行修改。

  • 有关 CD326x 的建议布局，请参阅 图 8-5，该布局专为通用外部接地连接而设计。TI 建议将所有元件尽可能靠近封装引脚放置。EVM 实现了建议布局，如 EVM 用户指南所示。

  • 为具有高 dv/dt 的布线提供低电容路径（相对于所有其他节点）。因此，输入和输出电容应必须可能靠近 IC 引脚放置，并必须避免长距离并联接线以及窄布线。传导交流电的环路轮廓必须尽可能小，因为该面积与辐射的能量成正比。

  • 使用具有多个过孔的接地平面来连接每个端子，以创建与 GND 的低阻抗连接，从而更大限度地降低接地噪声。

  • 建议使用单一公共 GND 平面，以避免信号之间产生潜在的电压差。

  • 放置去耦电容器（尤其是对于 VSHUNT 引脚）时，请将这些电容器尽可能靠近器件放置。通常推荐使用 0.1µF 电容器。