ZHCSXY7C April   1992  – March 2025 TPIC6595

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 Dissipation Rating Table
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Electrical Characteristics
    5. 5.5 Switching Characteristics
    6. 5.6 Thermal Resistance Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. 6 Parameter Measurement Information
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Serial-In Interface
      2. 7.3.2 Clear Register
      3. 7.3.3 Output Control
      4. 7.3.4 Cascaded Application
      5. 7.3.5 Current Limit Function
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Operating with Vcc < 4.5V
      2. 7.4.2 Operating with 5.5V < Vcc ≤ 7V
  9. 8 Device and Documentation Support
    1. 8.1 Documentation Support
      1. 8.1.1 Related Documentation
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 Trademarks
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 Revision History
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

3 说明

TPIC6595 是一款单片、高压、高电流功率 8 位移位寄存器，专为负载功率要求相对较高的系统而设计。该器件包含内置的输出钳位电压，用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高电压负载。

该器件包含一个可对 8 位 D 类存储寄存器进行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿上发生。当移位寄存器清零 (SRCLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时，写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时，输入移位寄存器将清零。当输出使能 (G) 保持高电平时，输出缓冲器中的所有数据将保持低电平，并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时，来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。串行输出 (SER OUT) 允许将数据从移位寄存器级联到其他器件。

输出为低侧、漏极开路 DMOS 晶体管，额定输出功率为 45V，连续灌电流能力为 250mA。当输出缓冲器中的数据较低时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时，DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。

提供单独的电源和逻辑电平接地引脚，有助于尽可能提高系统灵活性。引脚 1、10、11 和 20 在内部连接，每个引脚必须从外部连接到电源系统接地，以尽可能减小寄生电感。引脚 19 逻辑接地 (LGND) 以及引脚 1、10、11 和 20 电源接地 (PGND) 之间的单点连接必须在外部进行，以减少逻辑和负载电路之间的串扰。TPIC6595 具有 -40°C 至 125°C 的额定管壳工作温度范围。

器件信息1
器件型号 封装 本体尺寸（标称值）
TPIC6595 SOIC (20) 12.80mm × 7.50mm
PDIP (20) 25.4mm × 6.35mm
TPIC6595 典型应用典型应用