ZHCSXS1 January   2025 SN54SC8T165-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 计时特点
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 平衡 CMOS 推挽式输出
      2. 7.3.2 SCxT 增强输入电压
        1. 7.3.2.1 升压转换
        2. 7.3.2.2 降压转换
      3. 7.3.3 钳位二极管结构
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
        1. 8.2.1.1 电源注意事项
        2. 8.2.1.2 输入注意事项
        3. 8.2.1.3 输出注意事项
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

5.7 计时特点

在自然通风条件下的建议运行温度范围内测得（除非另有说明）
参数 说明 条件 VCC TA = 25°C -55°C 至 125°C 单位
最小值 最大值 最小值 最大值
tW 脉冲持续时间 SH/LD 为低电平 1.2V ± 0.1V 6.1 6.9 ns
tW 脉冲持续时间 CLK 高电平或低电平 1.2V ± 0.1V 41.3 7 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 SH/LD 为高电平 1.2V ± 0.1V 50.8 8 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前的 SER 1.2V ± 0.1V 34.6 10.1 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 CLK INH 为低电平 1.2V ± 0.1V 1 1 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 CLK INH 为高电平 1.2V ± 0.1V 1 1 ns
tSU 建立时间 SH/LD↓ 之前的数据 1.2V ± 0.1V 49.4 10 ns
tH 保持时间 CLK↑ 之后的 SER 数据 1.2V ± 0.1V 6.43 0 ns
tH 保持时间 SH/LD↓ 之后的 PAR 数据 1.2V ± 0.1V 7.61 0 ns
tW 脉冲持续时间 SH/LD 为低电平 1.8V ± 0.15V 6.1 6.9 ns
tW 脉冲持续时间 CLK 高电平或低电平 1.8V ± 0.15V 12.3 7 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 SH/LD 为高电平 1.8V ± 0.15V 9.03 8 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前的 SER 1.8V ± 0.15V 8.83 10.1 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 CLK INH 为低电平 1.8V ± 0.15V 1 1 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 CLK INH 为高电平 1.8V ± 0.15V 1 1 ns
tSU 建立时间 SH/LD↓ 之前的数据 1.8V ± 0.15V 15.7 10 ns
tH 保持时间 CLK↑ 之后的 SER 数据 1.8V ± 0.15V 2.2 0 ns
tH 保持时间 SH/LD↓ 之后的 PAR 数据 1.8V ± 0.15V 2.06 0 ns
tW 脉冲持续时间 SH/LD 为低电平 2.5V ± 0.2V 4.3 5.4 ns
tW 脉冲持续时间 CLK 高电平或低电平 2.5V ± 0.2V 8.63 4.5 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 SH/LD 为高电平 2.5V ± 0.2V 6.93 4.5 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前的 SER 2.5V ± 0.2V 7.2 5.9 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 CLK INH 为低电平 2.5V ± 0.2V 1 1 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 CLK INH 为高电平 2.5V ± 0.2V 1 1 ns
tSU 建立时间 SH/LD↓ 之前的数据 2.5V ± 0.2V 11.1 6.9 ns
tH 保持时间 CLK↑ 之后的 SER 数据 2.5V ± 0.2V 1.32 0 ns
tH 保持时间 SH/LD↓ 之后的 PAR 数据 2.5V ± 0.2V 1 0 ns
tW 脉冲持续时间 SH/LD 为低电平 3.3V ± 0.3V 4.3 4.3 ns
tW 脉冲持续时间 CLK 高电平或低电平 3.3V ± 0.3V 8.13 4.3 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 SH/LD 为高电平 3.3V ± 0.3V 6.24 2.9 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前的 SER 3.3V ± 0.3V 6.67 4 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 CLK INH 为低电平 3.3V ± 0.3V 1 1 ns
tSU 建立时间 CLK↑ 之前 CLK INH 为高电平 3.3V ± 0.3V 1 1 ns
tSU 建立时间 SH/LD↓ 之前的数据 3.3V ± 0.3V 9.86 5.3 ns
tH 保持时间 CLK↑ 之后的 SER 数据 3.3V ± 0.3V 1 0 ns
tH 保持时间 SH/LD↓ 之后的 PAR 数据 3.3V ± 0.3V 1 0 ns