ZHCSXQ7B October   2005  – January 2025 SN74AHC573-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 说明
  4. 3 引脚配置和功能
  5. 4 规格
    1. 4.1  绝对最大额定值
    2. 4.2  ESD 等级
    3. 4.3  建议运行条件
    4. 4.4  热性能信息
    5. 4.5  电气特性
    6. 4.6  时序要求，VCC = 3.3V ± 0.3V
    7. 4.7  时序要求，VCC = 5V ± 0.5V
    8. 4.8  开关特性，VCC = 3.3V ± 0.3V
    9. 4.9  开关特性，VCC = 5V ± 0.5V
    10. 4.10 工作特性
  6. 5 参数测量信息
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 电源相关建议
    2. 7.2 布局
      1. 7.2.1 布局指南
      2. 7.2.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.1 概述

在锁存器使能 (LE) 输入为高电平时，Q 输出将跟随数据 (D) 输入。当 LE 为低电平时，Q 输出被锁存在 D 输入端的逻辑电平上。

缓冲输出使能（OE）输入可用于将八个输出置于正常逻辑状态（高逻辑电平或低逻辑电平）或高阻抗状态。在高阻抗状态下，输出既不对总线施加大量负载，也不显著驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动在没有接口或上拉元件的情况下提供了驱动总线的能力。

OE 不影响锁存器的内部运行。当输出处于高阻抗状态时，可以保留旧数据或输入新数据。

为了确保加电或断电期间的高阻抗状态，OE应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC；该电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力来决定。